公开(公告)号：CN108475684B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201680078756.5

申请日：2016-12-28

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 大塚慎也 ,  铃木久则 ,  村松雅治

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/144 ,  H04N5/369

Abstract: 本发明的背面入射型固体摄像元件中，在摄像区域内有第一电荷输送电极组(垂直移位寄存器)，在摄像区域的周边区域内有第二电荷输送电极组(水平移位寄存器)。与周边区域对应的半导体基板(4)的光入射面被蚀刻，在蚀刻后的区域内填充有无机的遮光物质(SH)。无机的遮光物质在真空环境下蒸发而气化的量极少，气化的气体对摄像的影响较少。

公开(公告)号：CN108886070B

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN201780014762.9

申请日：2017-03-01

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 粕谷立城 ,  河原健志 ,  宫崎康人 ,  前田坚太郎 ,  铃木久则

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/148

Abstract: 半导体光检测元件(SP1)具备硅基板即半导体基板(1)。半导体基板(1)具有光入射面即第二主面(1b)与相对于第二主面(1b)的第一主面(1a)。在半导体基板(1)中，相应于入射光而产生载流子。在第二主面(1b)形成有多个凸部(10)。凸部(10)具有相对于半导体基板(1)的厚度方向倾斜的斜面(10a)。在凸部(10)中，半导体基板(1)的(111)面露出而作为斜面(10a)。凸部(10)的高度为200nm以上。

公开(公告)号：CN105659385B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201480058196.8

申请日：2014-10-31

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 高木慎一郎 ,  米田康人 ,  铃木久则 ,  村松雅治

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/372

Abstract: 各个像素区域(PX)具备光电转换区域(S1)、电阻性栅极电极(R)、第一传送电极(T1)、第二传送电极(T2)、位于半导体基板(10)中第一传送电极(T1)的正下方的屏障区域(B)、及位于半导体基板(10)中第二传送电极(T2)的正下方的电荷储存区域(S2)。屏障区域(B)的杂质浓度低于电荷储存区域(S2)的杂质浓度，且第一传送电极(T1)与第二传送电极(T2)电连接。

公开(公告)号：CN107078136A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580048212.X

申请日：2015-08-04

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 高木慎一郎 ,  前田坚太郎 ,  米田康人 ,  铃木久则 ,  村松雅治

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/148 ,  H04N5/369 ,  H04N5/372

CPC classification number: H01L27/14818 ,  H01L27/14 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/148 ,  H01L27/14825 ,  H04N5/369 ,  H04N5/372

Abstract: 本发明的背面入射型固体摄像装置(SI)包括半导体基板(1)、移位寄存器(19)、及遮光膜(57)。半导体基板(1)在背面侧具有光入射面，并且具有根据光入射而产生电荷的受光部(13)。移位寄存器(19)设置于半导体基板(1)的与光入射面相反侧的光检测面(7)侧。遮光膜(57)设置于半导体基板(1)的光检测面(7)侧。遮光膜(57)具有与光检测面(7)相对的凹凸面(57a)。

公开(公告)号：CN104396016B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201380031690.0

申请日：2013-02-21

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 米田康人 ,  泷泽凉都 ,  石原真吾 ,  铃木久则 ,  村松雅治

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L21/77 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/11 ,  H04N5/369 ,  Y10T29/49124

Abstract: 本发明提供一种可容易地制造且作为制品具有优异的可靠性的固体摄像装置的制造方法。固体摄像装置(1A)的制造方法包括：第1工序，其准备摄像元件(10)，该摄像元件(10)包含入射能量线的主面(S1)、与主面(S1)相对且配置有电极(14)的主面(S2)、及对入射的能量线进行光电转换而产生信号电荷的光电转换部(11)；第2工序，其准备支撑基板(20)，该支撑基板(20)设置有沿厚度方向延伸的贯通孔(23)且具有相互相对的主面(S3、S4)；第3工序，其以主面(S2)与主面(S3)相对且电极(14)自贯通孔(23)露出的方式对摄像元件(10)与支撑基板(20)进行定位并接合摄像元件(10)与支撑基板(20)；及第4工序，其在第3工序之后将具有导电性的球状构件(30)配置于贯通孔(23)内并使其与电极(14)电连接。

公开(公告)号：CN103329271B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201180065655.1

申请日：2011-10-31

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 高木慎一郎 ,  米田康人 ,  铃木久则 ,  村松雅治

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/355 ,  H04N5/372 ,  H04N5/3725

CPC classification number: H01L27/14806 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14825 ,  H04N5/355 ,  H04N5/37213 ,  H04N5/3725

Abstract: 固体摄像装置（1）包含：多个光电转换部（3），其分别具有光感应区域（15）及电位梯度形成区域（17），并且以沿着与规定的方向交叉的方向的方式并置；多个缓冲栅极部（5），其分别对应于光电转换部（3）且配置于形成光感应区域（15）的平面形状的另一方的短边侧，并存储所对应的光电转换部（3）的光感应区域（15）中产生的电荷；及移位寄存器（9），其获取自多个缓冲栅极部（5）分别传送的电荷，并向与规定的方向交叉的方向传送并输出。缓冲栅极部（5）包含至少两个栅极，这些栅极沿规定的方向配置且以向规定的方向提高电势的方式分别被赋予规定的电位。

公开(公告)号：CN104064621B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201410320086.6

申请日：2010-02-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山村和久 ,  坂本明 ,  永野辉昌 ,  宫崎康人 ,  米田康人 ,  铃木久则 ,  村松雅治

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。

公开(公告)号：CN103782388B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280043113.9

申请日：2012-06-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 池谷友浩 ,  福井利之 ,  铃木久则 ,  村松雅治

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/14618 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 固体摄像元件（IS1）包括：半导体基板（1），其具有光感应区域（3）；多个第一电极垫（10），其排列于半导体基板（1）的主面（1a）上；多个第二电极垫（12），其在半导体基板（1）的主面（1a）上，排列于沿着排列有多个第一电极垫（10）的方向的方向上；及多根配线（14），其1对1地连接多个第一电极垫（10）与多个第二电极垫（12）。多根配线（14）连接处于相对于中心线（l）成线对称的位置关系的第一电极垫（10）与第二电极垫（12），该中心线（l）与多个第一及第二电极垫（10、12）的排列方向正交。

公开(公告)号：CN104508819A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380032343.X

申请日：2013-03-01

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 高木慎一郎 ,  米田康人 ,  杉本贤一 ,  铃木久则 ,  村松雅治

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14843 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03529 ,  Y02E10/50

Abstract: 固体摄像装置(1)包括：半导体基板(20)，其具有相互相对的主面(20a)与主面(20b)，且在主面(20a)侧设置有多个光感应区域(3)；及绝缘膜(61)，其具有相互相对的主面(61a)与主面(61b)，且以主面(61a)与主面(20a)相对的方式配置于半导体基板(20)上。半导体基板(20)的主面(20a)中的与各光感应区域(3)对应的区域的、与半导体基板(20)的厚度方向平行的剖面为凹曲线与凸曲线交替地连续而成的波浪形状。绝缘膜(61)的主面(61a)中的与各光感应区域(3)对应的区域的、与绝缘膜(61)的厚度方向平行的剖面为凹曲线与凸曲线对应于主面(20a)而交替地连续而成的波浪形状。绝缘膜(61)的主面(61b)为平坦。

公开(公告)号：CN101960599B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201080001169.9

申请日：2010-01-27

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 铃木久则 ,  米田康人 ,  高木慎一郎 ,  前田坚太郎 ,  村松雅治

IPC: H01L27/148 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14812 ,  H01L27/1485 ,  H01L29/76816

Abstract: 本发明的内建电子倍增功能型的固体摄像元件中，在倍增寄存器(EM)的垂直于电子传送方向的剖面内，绝缘层(2)两侧部的厚度大于中央区域的厚度，在N型半导体区域(1C)的中央区域与两侧部的边界上，形成有一对溢出漏极(1N)，各溢出漏极(1N)沿着倍增寄存器(EM)的电子传送方向延伸。溢出式栅极电极(G)从绝缘层(2)的较薄部分至较厚部分延伸，另外，其介于各传送电极(8(8A、8B))的长边方向的两端部与绝缘层(2)之间，且作为对各电极(8(8A、8B))的屏蔽电极也发挥功能。