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公开(公告)号：CN101191036B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200710145660.9
申请日：2007-09-10
申请人： 第一毛织株式会社
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053
摘要： 公开了一种用于化学机械抛光的淤浆组合物及其前体组合物。该抛光淤浆组合物含有磨料颗粒、pH值调节剂、表面活性剂和去离子水，其中，所述表面活性剂包括两个或更多个离子部分和两个或更多个亲脂基团。该组合物对具有阶梯高度的半导体的凸面进行抛光的抛光速率高于作为半导体抛光停止层的凹面的抛光速率，从而使抛光可以自动停止，以减少抛光过程后表面缺陷的产生，并且具有高度的抛光平面化和优良的分散稳定性。
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公开(公告)号：CN101875182B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010184693.6
申请日：2010-04-28
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
IPC分类号： B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053 , B24B37/0056 , B24B37/044 , C09G1/02
摘要： 一种用来对基板进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供一种基板，所述基板包含二氧化硅；提供一种化学机械抛光组合物，该化学机械抛光组合物包含：水，磨料；式(I)所示的双季阳离子；以及任选的季烷基铵化合物；提供化学机械抛光垫；在所述化学机械抛光垫和基板之间的界面处建立动态接触；以及在所述化学机械抛光垫和基板之间的界面处或界面附近将所述化学机械抛光组合物分配在所述化学机械抛光垫上；所述化学机械抛光组合物的pH为2-6；所述化学机械抛光组合物的二氧化硅去除速率至少为1,500/分钟。
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公开(公告)号：CN102751187A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201110099722.3
申请日：2011-04-20
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/3105 , C09G1/18 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/04 , H01L29/495 , H01L29/66545
摘要： 一种抛光方法和栅极的形成方法，所述栅极的形成方法包括：在半导体衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括牺牲氧化层以及覆盖所述牺牲氧化层的多晶硅层；在所述伪栅结构周围形成侧墙；依次形成氮化硅层和覆盖所述氮化硅层的介质层，所述氮化硅层覆盖所述多晶硅层、侧墙和衬底；对所述介质层抛光直至暴露出所述氮化硅层；在固结磨料抛光垫上抛光所述氮化硅层且停止于所述多晶硅层，抛光液中具有阴离子表面活性剂或两性离子表面活性剂，所述抛光液的PH值为10.5～11；去除所述伪栅结构后形成开口；在所述开口中形成栅极结构。所述抛光方法能够改善在固结磨料抛光垫上对氮化硅层进行抛光且停止于多晶硅层时产生的凹陷和过抛问题。
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公开(公告)号：CN101523562B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200780037463.3
申请日：2007-11-12
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/3212 , H01L21/31053
摘要： 提供了一种分步化学机械抛光(CMP)方法。该方法包括以下步骤：第一步，采用具有多晶硅去除速率大于或等于的化学机械抛光液去除大部分的多晶硅但不暴露多晶硅表面；第二步，在该抛光液中加入氧化剂后，对多晶硅表面以及随后暴露出来的多晶硅与二氧化硅表面进行抛光。该方法可避免表面碟形凹损缺陷，使晶片平坦度增高，使工艺更稳定。
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公开(公告)号：CN101375376B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200780003934.9
申请日：2007-01-31
申请人： 日立化成工业株式会社
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： 本发明提供一种在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中，能够高效并且高速地进行SiO2膜或SiOC膜等绝缘膜研磨的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的方法以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。含有氧化铈粒子、分散剂、侧链上具有氨基的水溶性高分子和水的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的研磨方法，以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。
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公开(公告)号：CN102666771A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080059220.1
申请日：2010-12-31
申请人： 第一毛织株式会社
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： 在此披露了一种CMP淤浆组合物。该CMP淤浆组合物包括氧化铈颗粒、用于将这些氧化铈颗粒吸附到抛光衬垫上的吸附剂、用于调节吸附剂吸附性能的吸附调节剂、以及pH调节剂。该CMP淤浆组合物可以改善图案化的氧化物层的抛光效率以及金刚石圆盘调节器的寿命。
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公开(公告)号：CN101291778B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200680038577.5
申请日：2006-10-18
申请人： 日立化成工业株式会社
IPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
摘要： 本发明提供了通过使氧化铈粒子的分散性达到最大状态而减小粗大粒子的含有比率，从而同时实现减少抛光损伤以及使抛光速度高速化的氧化铈浆料、氧化铈抛光液以及使用其抛光衬底的方法。本发明是关于含有氧化铈粒子、分散剂和水的氧化铈浆料，其氧化铈重量/分散剂重量比为20～80，本发明还涉及含有上述氧化铈浆料及水溶性高分子等添加剂的氧化铈抛光液。
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公开(公告)号：CN101885959B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010238216.3
申请日：2004-09-09
申请人： 日立化成工业株式会社
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： C09G1/02 , C01F17/0043 , C01F17/005 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
摘要： 本发明提供铈系研磨剂，其为将含有氧化铈的粒子的组合物分散于水中而得到的铈系研磨剂，其特征是，在6当量浓度的硝酸12.5g与30％过氧化氢溶液12.5g的混合液中溶解20g时，溶液中存在的不溶成分的浓度的质量比是10ppm以下。另外，通过减少在氧化铈粒子及其原料铈盐粒子中含有的杂质数量而提高纯度，在使用含该氧化铈粒子的铈系研磨剂进行研磨时，可以减少被研磨面上产生的擦痕。
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公开(公告)号：CN102473622A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080032887.2
申请日：2010-09-14
申请人： 日立化成工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04 , C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463 , B24B1/00 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/31053
摘要： 本发明的研磨剂含有：4价金属氢氧化物粒子，阳离子化聚乙烯醇，选自由氨基糖、该氨基糖的衍生物、具有氨基糖的多糖类以及该多糖类的衍生物所组成的组的至少一种糖类，以及水。本发明的基板研磨方法包括如下的工序：在将形成有氧化硅膜(被研磨膜)1的硅基板2的该氧化硅膜1按压于研磨定盘的研磨垫上的状态下，一边将本发明的研磨剂供给至氧化硅膜1与研磨垫之间，一边使基板2与研磨定盘相对移动而对氧化硅膜1进行研磨。
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公开(公告)号：CN1667026B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200510055087.3
申请日：2005-03-11
申请人： K.C.科技股份有限公司 , 汉阳大学校产学协力团
IPC分类号： C08J3/14 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
摘要： 本发明是关于一种抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法。本文描述的是一种化学机械抛光浆料。此种抛光浆料中的抛光粒子，其粒度分布曲线具有分别独立的小颗粒区与大颗粒区，且其均值粒度为50-150nm。本发明所述的抛光浆料具有优化的粒度，其粒度可以通过改变生产条件控制，这对抛光具有精细设计要求的半导体非常有用。本发明还提出了一种抛光浆料及其制备方法，采用这种抛光浆料时，可以通过控制其抛光粒子粒度分布曲线来保证化学机械抛光的精度和减少表面划痕数量。本发明还提供了一种抛光基板的方法。
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