公开(公告)号：CN101305450A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680042016.2

申请日：2006-11-09

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 西山雅也 ,  深泽正人 ,  阿久津利明 ,  榎本和宏 ,  芦泽寅之助 ,  大槻裕人

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明的研磨剂是用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水。作为所述研磨抑制剂，优选使用：(1)以由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺及其α－取代衍生物所组成的组中的任一种N－单取代衍生物或N，N－二取代衍生物作为骨架的水溶性高分子、(2)聚乙二醇、(3)炔系二醇的氧化乙烯加成物、(4)具有炔键的水溶性有机化合物、(5)烷氧基化直链脂肪醇的任一种，或者(6)聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明是提供一种氧化硅用研磨剂以及使用该氧化硅用研磨剂的研磨方法，该研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。

公开(公告)号：CN101023512A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580031762.7

申请日：2005-09-27

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  榎本和宏 ,  小山直之 ,  深泽正人

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、分散剂、聚羧酸、第一可离解酸基的pKa值为3.2以下的强酸以及水，pH值为4.5～7.5，上述强酸的浓度为100～1000ppm或50～1000ppm，是一价的强酸，浓度为50～500ppm，或者是二价的强酸，浓度为100～1000ppm。较好的是，上述聚羧酸是聚丙烯酸。这样，在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜平坦化的CMP技术中，可降低图案密度依存的影响，可有效、高速进行抛光，且无抛光损伤并容易进行工艺管理。

公开(公告)号：CN1795543A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014467.6

申请日：2004-05-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 小山直之 ,  町井洋一 ,  吉田诚人 ,  深泽正人 ,  芦泽寅之助

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1454

Abstract: 本发明涉及一种研磨剂，其包含在介质中分散有4价金属氢氧化物粒子的研浆和添加剂，所述添加剂为含有从由通式(I)以及通式(II)所表示的单体中选出的至少一种单体成分的聚合物。通式(I)中R1表示氢、甲基、苯基、苯甲基、氯基、二氟甲基、三氟甲基、氰基，R2、R3分别表示独立的氢或C2～C18的烷基链、羟甲基、乙酰基、双丙酮基，但不包括两个均为氢的情况。通式(II)中，R1与通式(I)一样，R4表示吗啉基、硫化吗啉基、吡咯烷基、哌啶基。本发明提供的研磨剂，由粒子与被研磨膜形成化学反应层，由于粒子非常小的机械作用和研磨垫的机械除去而不产生研磨损伤，并通过添加剂来实现高平坦化。

公开(公告)号：CN102965025A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210434219.3

申请日：2006-11-09

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 西山雅也 ,  深泽正人 ,  阿久津利明 ,  榎本和宏 ,  芦泽寅之助 ,  大槻裕人

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、其用途以及研磨方法。本发明的氧化硅用研磨剂为用于研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，包括研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，所述多晶硅研磨抑制剂包括从聚乙烯吡咯烷酮或者含有乙烯吡咯烷酮的共聚物选出的聚乙烯吡咯烷酮类。

公开(公告)号：CN101333418B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200810146155.0

申请日：2005-09-27

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  小山直之 ,  芳贺浩二 ,  阿久津利明

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、水、以及由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方聚合而成的聚合物、以及/或者由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方与具有不饱和双键的单体聚合而成的聚合物，优选的是，还含有分散剂或由甲基丙烯酸及其盐类的至少一种与具有不饱和键的单体聚合而得到的聚合物。这样，抛光后的被抛光膜的、由图案密度差所造成的残膜厚差比较小。

公开(公告)号：CN101058713B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200710107753.2

申请日：2002-10-31

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 天野仓仁 ,  樱田刚史 ,  安西创 ,  深泽正人 ,  佐佐木晶市

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是提供被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液，含有全氟链烷磺酸、氧化金属溶解剂和水。本发明的研磨方法包括：研磨具有表面由凹部及凸部组成的层间绝缘膜、沿表面被覆前述层间绝缘膜的阻隔导体层和填充前述凹部被覆阻隔导体层的导电性物质层的基体的导电性物质，使前述凸部的阻隔导体层露出的第1研磨工序，和一边至少向阻隔导体层及凹部的导电性物质层供给本发明的研磨液一边进行化学机械研磨使凸部的层间绝缘膜露出的第2研磨工序。

公开(公告)号：CN101484982A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780024845.2

申请日：2007-07-03

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 野部茂 ,  筱田隆 ,  樱田刚史 ,  田中孝明 ,  大森义和 ,  木村忠广 ,  深泽正人

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及包含磨粒、和锯齿及裂缝抑制剂的CMP用研磨液，锯齿及裂缝抑制剂是选自聚羧酸、聚羧酸衍生物和含有羧酸的共聚物中的至少一种。根据本发明可以提供抑制配线部附近的绝缘膜被过度研磨的锯齿现象、裂缝现象，并且被研磨面的平坦性高的CMP用研磨液。

公开(公告)号：CN101375376A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200780003934.9

申请日：2007-01-31

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  榎本和宏 ,  山岸智明 ,  小山直之

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明提供一种在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中，能够高效并且高速地进行SiO2膜或SiOC膜等绝缘膜研磨的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的方法以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。含有氧化铈粒子、分散剂、侧链上具有氨基的水溶性高分子和水的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的研磨方法，以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。

公开(公告)号：CN101311205A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810129238.9

申请日：2005-07-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  小山直之 ,  仓田靖 ,  芳贺浩二 ,  阿久津利明 ,  大槻裕人

IPC: C08J5/14 ,  C08L33/02 ,  B24B29/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种CMP研磨剂，该CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，其中，上述水溶性高分子是，使用阳离子性偶氮化合物以及其盐中的至少一种作为聚合引发剂，而使含有具有不饱和双键的羧酸以及其盐中的至少一种的单体聚合所形成的聚合物。按照本发明，提供一种在对层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜进行平坦化处理的CMP技术中，可无研磨损伤、有效、高速、均匀且易于控制研磨操作地进行研磨的研磨剂以及研磨方法。

公开(公告)号：CN103333662A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310241747.1

申请日：2009-12-10

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 佐藤英一 ,  太田宗宏 ,  茅根环司 ,  野部茂 ,  榎本和宏 ,  木村忠广 ,  深泽正人 ,  羽广昌信 ,  星阳介

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述研磨粒包含具有晶界的多晶氧化铈。