公开(公告)号：CN101560373A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910203503.8

申请日：2006-11-09

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 西山雅也 ,  深泽正人 ,  阿久津利明 ,  榎本和宏 ,  芦泽寅之助 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、添加液以及研磨方法。本发明的研磨剂为用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，作为所述研磨抑制剂，优选使用：炔系二醇的氧化乙烯加成物、具有炔键的水溶性有机化合物、烷氧基化直链脂肪醇中的任一种，或者聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明的研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。

公开(公告)号：CN1526786A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN03119819.8

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN100587918C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200680042016.2

申请日：2006-11-09

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 西山雅也 ,  深泽正人 ,  阿久津利明 ,  榎本和宏 ,  芦泽寅之助 ,  大槻裕人

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明的研磨剂是用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水。作为所述研磨抑制剂，优选使用：(1)以由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺及其α-取代衍生物所组成的组中的任一种N-单取代衍生物或N，N-二取代衍生物作为骨架的水溶性高分子、(2)聚乙二醇、(3)炔系二醇的氧化乙烯加成物、(4)具有炔键的水溶性有机化合物、(5)烷氧基化直链脂肪醇的任一种，或者(6)聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明是提供一种氧化硅用研磨剂以及使用该氧化硅用研磨剂的研磨方法，该研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。

公开(公告)号：CN101622695A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006201.5

申请日：2008-02-05

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 成田武宪 ,  西山雅也 ,  芦泽寅之助

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00

Abstract: 本发明提供一种硅膜用CMP研磨液，其能够获得用一种研磨液实施CMP时所需的硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜的研磨速度和研磨速度比，其中该CMP用于由可以降低半导体元件制造成本、提高产品率的自对准方式(self-alignment)来形成接触插塞(contact plug)，该硅膜用CMP研磨液含有研磨粒、阳离子性表面活性剂和水，pH为6.0～8.0。

公开(公告)号：CN101310365A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200680043100.6

申请日：2006-11-14

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 小野裕 ,  芦泽寅之助 ,  上方康雄

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00

Abstract: 本发明提供一种可平滑且高速地研磨于LSI等中所使用的铝膜表面的铝膜研磨用研磨液以及使用此研磨液的铝膜研磨方法。所述铝膜研磨用研磨液含有在25℃时的第一级酸解离指数小于等于3的多元羧酸、胶体二氧化硅以及水，且pH值为2～4。所述铝膜研磨方法方法为使用此研磨液的铝膜研磨方法。

公开(公告)号：CN1524917A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN03119818.X

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN1235698A

公开(公告)日：1999-11-17

申请号：CN97199370.X

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料,其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米,一次颗粒粒径中央值为30～250纳米,颗粒粒径中央值为150～600纳米,颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN100373556C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200480014467.6

申请日：2004-05-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 小山直之 ,  町井洋一 ,  吉田诚人 ,  深泽正人 ,  芦泽寅之助

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1454

Abstract: 本发明涉及一种研磨剂，其包含使4价金属氢氧化物粒子分散在介质中而得到的浆料和添加剂，所述添加剂为含有从由通式(I)以及通式(II)所表示的单体中选出的至少一种单体成分的聚合物。通式(I)中R1表示氢、甲基、苯基、苯甲基、氯基、二氟甲基、三氟甲基、氰基，R2、R3独立地分别表示氢或C1～C18的烷基链、羟甲基、乙酰基、双丙酮基，但不包括两个均为氢的情况。通式(II)中，R1与通式(I)一样，R4表示吗啉基、硫化吗啉基、吡咯烷基、哌啶子基。本发明提供的研磨剂，由粒子与被研磨膜形成化学反应层，由于粒子非常小的机械作用和研磨垫的机械除去而不产生研磨损伤，并通过添加剂来实现高平坦化。

公开(公告)号：CN1935927B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200610142509.5

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的初级颗粒粒径为10～600纳米，初级颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN101305450A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680042016.2

申请日：2006-11-09

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 西山雅也 ,  深泽正人 ,  阿久津利明 ,  榎本和宏 ,  芦泽寅之助 ,  大槻裕人

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明的研磨剂是用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水。作为所述研磨抑制剂，优选使用：(1)以由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺及其α－取代衍生物所组成的组中的任一种N－单取代衍生物或N，N－二取代衍生物作为骨架的水溶性高分子、(2)聚乙二醇、(3)炔系二醇的氧化乙烯加成物、(4)具有炔键的水溶性有机化合物、(5)烷氧基化直链脂肪醇的任一种，或者(6)聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明是提供一种氧化硅用研磨剂以及使用该氧化硅用研磨剂的研磨方法，该研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。