公开(公告)号：CN101029214B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200710096425.7

申请日：2003-08-06

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 芳贺浩二 ,  大槻裕人 ,  仓田靖 ,  榎本和宏

IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/304

摘要： 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳-碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。

公开(公告)号：CN1935927B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200610142509.5

申请日：1997-09-30

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/304

摘要： 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的初级颗粒粒径为10～600纳米，初级颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN101023512A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580031762.7

申请日：2005-09-27

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 仓田靖 ,  榎本和宏 ,  小山直之 ,  深泽正人

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： 本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、分散剂、聚羧酸、第一可离解酸基的pKa值为3.2以下的强酸以及水，pH值为4.5～7.5，上述强酸的浓度为100～1000ppm或50～1000ppm，是一价的强酸，浓度为50～500ppm，或者是二价的强酸，浓度为100～1000ppm。较好的是，上述聚羧酸是聚丙烯酸。这样，在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜平坦化的CMP技术中，可降低图案密度依存的影响，可有效、高速进行抛光，且无抛光损伤并容易进行工艺管理。

公开(公告)号：CN1282226C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN97199370.X

申请日：1997-09-30

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC分类号： H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053

摘要： 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的初级颗粒粒径为50-500纳米，初级颗粒粒径中央值为50-190纳米，颗粒粒径中央值为200-510纳米，颗粒最大粒径在1430纳米以下。

公开(公告)号：CN1821339A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610058544.9

申请日：1998-12-18

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 吉田诚人 ,  芦沢寅之助 ,  寺崎裕樹 ,  大槻裕人 ,  仓田靖 ,  松沢纯 ,  丹野清仁

IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： 在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN1675331A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03818946.1

申请日：2003-08-06

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 芳贺浩二 ,  大槻裕人 ,  仓田靖 ,  榎本和宏

IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳－碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。

公开(公告)号：CN1626567A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410048737.7

申请日：2000-08-17

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC分类号： C08J5/14

摘要： 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂，含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH低于3，氧化剂浓度为0.01－3重量％，或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差大于5nm的磨料。

公开(公告)号：CN1161826C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN00811963.5

申请日：2000-08-25

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 内田刚 ,  上方康雄 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  星野铁哉 ,  五十岚明子

IPC分类号： H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  C09K3/00

摘要： 本发明中提供了一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、水溶性聚合物和水的CMP用研磨剂，及用它的研磨方法。水溶性聚合物的重量平均分子量在500以上，研磨剂的动摩擦系数在0.25以上，研磨剂的厄布洛德粘度在0.95cP以上，1.5cP以下，研磨剂的拐点压力在50gf/cm2以上。

公开(公告)号：CN1982401B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710001563.2

申请日：2003-08-06

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 芳贺浩二 ,  大槻裕人 ,  仓田靖 ,  榎本和宏

IPC分类号： H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

摘要： 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳-碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。

公开(公告)号：CN101423747A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810183028.8

申请日：1998-12-18

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 吉田诚人 ,  芦沢寅之助 ,  寺崎裕樹 ,  大槻裕人 ,  仓田靖 ,  松沢纯 ,  丹野清仁

IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/3105

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： 在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。