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公开(公告)号：CN1935927B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200610142509.5
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的初级颗粒粒径为10～600纳米，初级颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。
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公开(公告)号：CN1282226C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN97199370.X
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C01F17/0043 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L21/02065 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的初级颗粒粒径为50-500纳米，初级颗粒粒径中央值为50-190纳米，颗粒粒径中央值为200-510纳米，颗粒最大粒径在1430纳米以下。
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公开(公告)号：CN101440259A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810186929.2
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: C09G1/18 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/321
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。
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公开(公告)号：CN1526786A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03119819.8
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C01F17/0043 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L21/02065 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。
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公开(公告)号：CN100381537C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510068160.0
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1069675C
公开(公告)日：2001-08-15
申请号：CN95193887.8
申请日：1995-06-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
Inventor： 松泽纯
IPC: C09D183/00 , H01L21/316 , C09D185/00
CPC classification number: H01L21/316 , C09D183/14 , H01L21/76801
Abstract: 提供了一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料，这种材料用来制作VLSI中多层互连的层间隔离膜。一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料由下列成份得到：(a)烷氧基硅烷和/或其部分水解的产物，(b)含氟的烷氧基硅烷和/或(e)烷基烷氧基硅烷，(c)除硅之外的金属醇盐和/或其衍生物，以及(d)有机溶剂。根据本发明的用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料具有储存稳定性并可制作成厚层。得到的二氧化硅基隔离膜是透明且均匀的膜，而且其中未观察到裂纹或针孔之类缺陷的那些膜，还具有优异的抗氧等离子性。
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公开(公告)号：CN1151752A
公开(公告)日：1997-06-11
申请号：CN95193887.8
申请日：1995-06-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
Inventor： 松泽纯
IPC: C09D183/00 , H01L21/316 , C09D185/00
CPC classification number: H01L21/316 , C09D183/14 , H01L21/76801
Abstract: 提供了一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料，这种材料用来制作VLSI中多层互连的层间隔离膜。一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料由下列成分得到：(a)烷氧基硅烷和/或其部分水解的产物，(b)含氟的烷氧基硅烷和/或(e)烷基烷氧基硅烷，(c)除硅之外的金属醇盐和/或其衍生物，以及(d)有机溶剂。根据本发明的用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料具有储存稳定性并可制作成厚层。得到的二氧化硅基隔离膜是透明且均匀的膜，而且其中未观察到裂纹或针孔之类缺陷的那些膜，还具有优异的抗氧等离子性。
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公开(公告)号：CN1680511A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510068160.0
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。
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公开(公告)号：CN1524917A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN03119818.X
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C01F17/0043 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L21/02065 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。
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公开(公告)号：CN1325540A
公开(公告)日：2001-12-05
申请号：CN99812776.0
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/304 , H01L21/308 , C23F1/16
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法,该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂,(2)氧化金属溶解剂,(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂,以及(5)水。
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