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公开(公告)号：CN101037586A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710107442.6
申请日：2003-05-29
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。
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公开(公告)号：CN101346806A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680049417.0
申请日：2006-12-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC classification number: C11D11/0047 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液和使用其的被研磨膜的研磨方法，其能够解决(a)由固体粒子所导致的损伤的产生，(b)碟陷、腐蚀等平坦性恶化的产生，(c)用以除去残留于研磨后的基板表面上的研磨粒子的清洗工序的复杂性，(d)由于固体研磨粒子本身的成本及废液处理而导致成本提高等问题，并且能够以高的Cu研磨速度进行CMP。本发明提供一种金属用研磨液，其含有：金属的氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、以及重均分子量大于等于8000的具有阴离子性官能基的水溶性聚合物，pH值为大于等于1且小于等于3。本发明还提供一种被研磨膜的研磨方法，其特征在于：一面将上述的金属用研磨液供给至研磨平台的研磨布上，一面于将具有被研磨金属膜的基板按压于研磨布上的状态下使研磨平台与基板相对移动，以进行研磨。
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公开(公告)号：CN102690607A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210144194.3
申请日：2008-02-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/321
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/30625 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液及其应用。所述金属用研磨液含有研磨粒、氧化金属溶解剂、有机溶剂和水，所述研磨粒包括平均2次粒径为5～39nm的第一研磨粒和平均2次粒径为40～300nm的第二研磨粒，所述金属用研磨液的pH为2～5。
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公开(公告)号：CN101058713B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200710107753.2
申请日：2002-10-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是提供被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液，含有全氟链烷磺酸、氧化金属溶解剂和水。本发明的研磨方法包括：研磨具有表面由凹部及凸部组成的层间绝缘膜、沿表面被覆前述层间绝缘膜的阻隔导体层和填充前述凹部被覆阻隔导体层的导电性物质层的基体的导电性物质，使前述凸部的阻隔导体层露出的第1研磨工序，和一边至少向阻隔导体层及凹部的导电性物质层供给本发明的研磨液一边进行化学机械研磨使凸部的层间绝缘膜露出的第2研磨工序。
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公开(公告)号：CN101611476A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200880005185.8
申请日：2008-02-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/30625 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液，其含有研磨粒、氧化金属溶解剂和水，其特征在于，所述研磨粒包括两种以上平均2次粒径不同的研磨粒，使用该金属用研磨液可以提供层间绝缘膜的研磨速度大，且被研磨面的平坦性高的研磨方法。另外，由此提供一种在微细化、薄膜化、尺寸精度以及电特性上优异，可靠性高，且适于低成本的半导体装置的研磨方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101045855A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710107443.0
申请日：2003-05-29
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。
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公开(公告)号：CN101037586B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200710107442.6
申请日：2003-05-29
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸性基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，前述酸的铵盐及前述酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的前述研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。
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公开(公告)号：CN101346806B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200680049417.0
申请日：2006-12-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC classification number: C11D11/0047 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液和使用其的被研磨膜的研磨方法，其能够解决(a)由固体粒子所导致的损伤的产生，(b)碟陷、腐蚀等平坦性恶化的产生，(c)用以除去残留于研磨后的基板表面上的研磨粒子的清洗工序的复杂性，(d)由于固体研磨粒子本身的成本及废液处理而导致成本提高等问题，并且能够以高的Cu研磨速度进行CMP。本发明提供一种金属用研磨液，其含有：金属的氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、以及重均分子量大于等于8000的具有阴离子性官能基的水溶性聚合物，pH值为大于等于1且小于等于3。本发明还提供一种被研磨膜的研磨方法，其特征在于：一面将上述的金属用研磨液供给至研磨平台的研磨布上，一面于将具有被研磨金属膜的基板按压于研磨布上的状态下使研磨平台与基板相对移动，以进行研磨。
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公开(公告)号：CN100386850C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN02826551.3
申请日：2002-10-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是涉及被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液是含有界面活性剂及有机溶剂的至少1种、氧化金属溶解剂和水的研磨液，进而可以含有表面用烷基改性的研磨粒和水，优选进一步含有金属氧化剂、水溶性聚合物、金属防蚀剂。
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公开(公告)号：CN100372073C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN03812783.0
申请日：2003-05-29
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量%。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。
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