不含磨料的研磨液及CMP研磨方法

    公开(公告)号:CN101346805A

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN200680049346.4

    申请日:2006-12-22

    CPC classification number: H01L21/3212 C09G1/04

    Abstract: 本发明提供一种CMP研磨液,它是在研磨时与氧化剂混合使用的CMP研磨液,它含有铜防锈剂、水溶性高分子、pH调整剂及水,基本上不含磨料;通过使用这种CMP研磨液,可以在对铜进行化学研磨时有效地抑制凹状缺陷,从而形成可靠性高的布线。上述防锈剂、水溶性高分子以及氧化剂的含量,优选相对于每1升上述CMP研磨液,分别为0.1~5重量%、0.05~5重量%以及0.01~5M,上述pH调整剂的量,为用于将上述CMP研磨液的pH值调整至1.5~2.5的必需量。

    不含磨料的研磨液及CMP研磨方法

    公开(公告)号:CN101346805B

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:CN200680049346.4

    申请日:2006-12-22

    CPC classification number: H01L21/3212 C09G1/04

    Abstract: 本发明提供一种CMP研磨液,它是在研磨时与氧化剂混合使用的CMP研磨液,它含有铜防锈剂、水溶性高分子、pH调整剂及水,基本上不含磨料;通过使用这种CMP研磨液,可以在对铜进行化学研磨时有效地抑制凹状缺陷,从而形成可靠性高的布线。上述防锈剂、水溶性高分子以及氧化剂的含量,优选相对于每1升上述CMP研磨液,分别为0.1~5重量%、0.05~5重量%以及0.01~5M,上述pH调整剂的量,为用于将上述CMP研磨液的pH值调整至1.5~2.5的必需量。

    金属用研磨液以及被研磨膜的研磨方法

    公开(公告)号:CN101346806A

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN200680049417.0

    申请日:2006-12-27

    CPC classification number: C11D11/0047 C09G1/02 C09K3/1463 H01L21/3212

    Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液和使用其的被研磨膜的研磨方法,其能够解决(a)由固体粒子所导致的损伤的产生,(b)碟陷、腐蚀等平坦性恶化的产生,(c)用以除去残留于研磨后的基板表面上的研磨粒子的清洗工序的复杂性,(d)由于固体研磨粒子本身的成本及废液处理而导致成本提高等问题,并且能够以高的Cu研磨速度进行CMP。本发明提供一种金属用研磨液,其含有:金属的氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、以及重均分子量大于等于8000的具有阴离子性官能基的水溶性聚合物,pH值为大于等于1且小于等于3。本发明还提供一种被研磨膜的研磨方法,其特征在于:一面将上述的金属用研磨液供给至研磨平台的研磨布上,一面于将具有被研磨金属膜的基板按压于研磨布上的状态下使研磨平台与基板相对移动,以进行研磨。

    金属用研磨液以及被研磨膜的研磨方法

    公开(公告)号:CN101346806B

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN200680049417.0

    申请日:2006-12-27

    CPC classification number: C11D11/0047 C09G1/02 C09K3/1463 H01L21/3212

    Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液和使用其的被研磨膜的研磨方法,其能够解决(a)由固体粒子所导致的损伤的产生,(b)碟陷、腐蚀等平坦性恶化的产生,(c)用以除去残留于研磨后的基板表面上的研磨粒子的清洗工序的复杂性,(d)由于固体研磨粒子本身的成本及废液处理而导致成本提高等问题,并且能够以高的Cu研磨速度进行CMP。本发明提供一种金属用研磨液,其含有:金属的氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、以及重均分子量大于等于8000的具有阴离子性官能基的水溶性聚合物,pH值为大于等于1且小于等于3。本发明还提供一种被研磨膜的研磨方法,其特征在于:一面将上述的金属用研磨液供给至研磨平台的研磨布上,一面于将具有被研磨金属膜的基板按压于研磨布上的状态下使研磨平台与基板相对移动,以进行研磨。

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