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公开(公告)号:CN101346805A
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN200680049346.4
申请日:2006-12-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/04
Abstract: 本发明提供一种CMP研磨液,它是在研磨时与氧化剂混合使用的CMP研磨液,它含有铜防锈剂、水溶性高分子、pH调整剂及水,基本上不含磨料;通过使用这种CMP研磨液,可以在对铜进行化学研磨时有效地抑制凹状缺陷,从而形成可靠性高的布线。上述防锈剂、水溶性高分子以及氧化剂的含量,优选相对于每1升上述CMP研磨液,分别为0.1~5重量%、0.05~5重量%以及0.01~5M,上述pH调整剂的量,为用于将上述CMP研磨液的pH值调整至1.5~2.5的必需量。
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公开(公告)号:CN1943017A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200580010955.4
申请日:2005-04-12
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 一种金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法,能够以高Cu研磨速度实现高平坦化,并减少研磨后残留在被研磨面的研磨粒子。该金属用研磨液包含研磨粒子及化学成分,由所述化学成分形成在作为该金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属上的反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位的电荷与所述研磨粒子的表面电位的电荷符号相同。
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公开(公告)号:CN101346805B
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200680049346.4
申请日:2006-12-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/04
Abstract: 本发明提供一种CMP研磨液,它是在研磨时与氧化剂混合使用的CMP研磨液,它含有铜防锈剂、水溶性高分子、pH调整剂及水,基本上不含磨料;通过使用这种CMP研磨液,可以在对铜进行化学研磨时有效地抑制凹状缺陷,从而形成可靠性高的布线。上述防锈剂、水溶性高分子以及氧化剂的含量,优选相对于每1升上述CMP研磨液,分别为0.1~5重量%、0.05~5重量%以及0.01~5M,上述pH调整剂的量,为用于将上述CMP研磨液的pH值调整至1.5~2.5的必需量。
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公开(公告)号:CN101346806A
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN200680049417.0
申请日:2006-12-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC classification number: C11D11/0047 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液和使用其的被研磨膜的研磨方法,其能够解决(a)由固体粒子所导致的损伤的产生,(b)碟陷、腐蚀等平坦性恶化的产生,(c)用以除去残留于研磨后的基板表面上的研磨粒子的清洗工序的复杂性,(d)由于固体研磨粒子本身的成本及废液处理而导致成本提高等问题,并且能够以高的Cu研磨速度进行CMP。本发明提供一种金属用研磨液,其含有:金属的氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、以及重均分子量大于等于8000的具有阴离子性官能基的水溶性聚合物,pH值为大于等于1且小于等于3。本发明还提供一种被研磨膜的研磨方法,其特征在于:一面将上述的金属用研磨液供给至研磨平台的研磨布上,一面于将具有被研磨金属膜的基板按压于研磨布上的状态下使研磨平台与基板相对移动,以进行研磨。
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公开(公告)号:CN101343510A
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN200810212485.5
申请日:2005-04-12
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 一种金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法,能够以高Cu研磨速度实现高平坦化,并减少研磨后残留在被研磨面的研磨粒子。该金属用研磨液包含研磨粒子及化学成分,由所述化学成分形成在作为该金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属上的反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位的电荷与所述研磨粒子的表面电位的电荷符号相同。
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公开(公告)号:CN101343510B
公开(公告)日:2011-09-14
申请号:CN200810212485.5
申请日:2005-04-12
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 一种金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法,能够以高Cu研磨速度实现高平坦化,并减少研磨后残留在被研磨面的研磨粒子。该金属用研磨液包含研磨粒子及化学成分,由所述化学成分形成在作为该金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属上的反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位的电荷与所述研磨粒子的表面电位的电荷符号相同。
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公开(公告)号:CN101346806B
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN200680049417.0
申请日:2006-12-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC classification number: C11D11/0047 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液和使用其的被研磨膜的研磨方法,其能够解决(a)由固体粒子所导致的损伤的产生,(b)碟陷、腐蚀等平坦性恶化的产生,(c)用以除去残留于研磨后的基板表面上的研磨粒子的清洗工序的复杂性,(d)由于固体研磨粒子本身的成本及废液处理而导致成本提高等问题,并且能够以高的Cu研磨速度进行CMP。本发明提供一种金属用研磨液,其含有:金属的氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、以及重均分子量大于等于8000的具有阴离子性官能基的水溶性聚合物,pH值为大于等于1且小于等于3。本发明还提供一种被研磨膜的研磨方法,其特征在于:一面将上述的金属用研磨液供给至研磨平台的研磨布上,一面于将具有被研磨金属膜的基板按压于研磨布上的状态下使研磨平台与基板相对移动,以进行研磨。
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公开(公告)号:CN100447959C
公开(公告)日:2008-12-31
申请号:CN200580010955.4
申请日:2005-04-12
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 一种金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法,能够以高Cu研磨速度实现高平坦化,并减少研磨后残留在被研磨面的研磨粒子。该金属用研磨液包含研磨粒子及化学成分,由所述化学成分形成在作为该金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属上的反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位的电荷与所述研磨粒子的表面电位的电荷符号相同。
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