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公开(公告)号：CN102352187A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110208059.6
申请日：2008-07-04
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/76819
Abstract: 本发明提供一种金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液包含磨粒、由甲基丙烯酸系聚合物构成的水溶性聚合物和水，其能够维持对层间绝缘膜的良好的研磨速度，同时抑制侵蚀和裂缝的发生，使得被研磨面的平坦性高。
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公开(公告)号：CN101346805B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200680049346.4
申请日：2006-12-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/04
Abstract: 本发明提供一种CMP研磨液，它是在研磨时与氧化剂混合使用的CMP研磨液，它含有铜防锈剂、水溶性高分子、pH调整剂及水，基本上不含磨料；通过使用这种CMP研磨液，可以在对铜进行化学研磨时有效地抑制凹状缺陷，从而形成可靠性高的布线。上述防锈剂、水溶性高分子以及氧化剂的含量，优选相对于每1升上述CMP研磨液，分别为0.1～5重量％、0.05～5重量％以及0.01～5M，上述pH调整剂的量，为用于将上述CMP研磨液的pH值调整至1.5～2.5的必需量。
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公开(公告)号：CN101426730A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014174.1
申请日：2007-04-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C01F17/00 , B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供氧化物粒子的制造方法、以及将利用该制造方法得到的金属氧化物粒子分散于水性介质而得到的浆、研磨剂、基板的研磨方法，所述氧化物粒子的制造方法的特征为，包含：将金属的碳酸盐和酸进行混合得到混合物的工序，加热所述混合物来得到金属氧化物的工序，粉碎所述金属氧化物的工序。另外，特别提供包含将碳酸铈用作原料金属碳酸盐、将草酸用作酸而得到的氧化铈粒子的研磨剂。本发明提供可以快速地得到不含粗大粒子和磨耗粉的微粒的氧化物粒子的制造方法。进一步提供一种研磨剂，所述研磨剂采用该氧化物粒子，在维持适当的研磨速度的同时，减少划伤，并且可精密地研磨半导体表面。
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公开(公告)号：CN101346806A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680049417.0
申请日：2006-12-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC classification number: C11D11/0047 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液和使用其的被研磨膜的研磨方法，其能够解决(a)由固体粒子所导致的损伤的产生，(b)碟陷、腐蚀等平坦性恶化的产生，(c)用以除去残留于研磨后的基板表面上的研磨粒子的清洗工序的复杂性，(d)由于固体研磨粒子本身的成本及废液处理而导致成本提高等问题，并且能够以高的Cu研磨速度进行CMP。本发明提供一种金属用研磨液，其含有：金属的氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、以及重均分子量大于等于8000的具有阴离子性官能基的水溶性聚合物，pH值为大于等于1且小于等于3。本发明还提供一种被研磨膜的研磨方法，其特征在于：一面将上述的金属用研磨液供给至研磨平台的研磨布上，一面于将具有被研磨金属膜的基板按压于研磨布上的状态下使研磨平台与基板相对移动，以进行研磨。
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公开(公告)号：CN101283441B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200680037661.5
申请日：2006-10-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/30625 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/32125 , H01L21/7684 , H01L21/76865
Abstract: 本发明提供CMP研磨液，该CMP研磨液通过抑制阻挡导体与铜等导电性物质的界面部附近的电子移动，抑制导电性物质配线腐蚀，即，抑制阻挡导体与导电性物质的异种金属接触腐蚀。本发明涉及的CMP研磨液为，至少研磨导体层以及与上述导体层接触的导电性物质层，在电位计的正极与上述导电性物质连接、负极与上述导体连接的该研磨液中的导电性物质和导体在50±5℃时的电位差绝对值为0.25V以下。优选其中包含杂环化合物，所述杂环化合物含有羟基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亚磺酰基中的任1种，且含有氮和硫原子中的至少1种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101346806B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200680049417.0
申请日：2006-12-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC classification number: C11D11/0047 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液和使用其的被研磨膜的研磨方法，其能够解决(a)由固体粒子所导致的损伤的产生，(b)碟陷、腐蚀等平坦性恶化的产生，(c)用以除去残留于研磨后的基板表面上的研磨粒子的清洗工序的复杂性，(d)由于固体研磨粒子本身的成本及废液处理而导致成本提高等问题，并且能够以高的Cu研磨速度进行CMP。本发明提供一种金属用研磨液，其含有：金属的氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、以及重均分子量大于等于8000的具有阴离子性官能基的水溶性聚合物，pH值为大于等于1且小于等于3。本发明还提供一种被研磨膜的研磨方法，其特征在于：一面将上述的金属用研磨液供给至研磨平台的研磨布上，一面于将具有被研磨金属膜的基板按压于研磨布上的状态下使研磨平台与基板相对移动，以进行研磨。
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公开(公告)号：CN100386850C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN02826551.3
申请日：2002-10-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是涉及被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液是含有界面活性剂及有机溶剂的至少1种、氧化金属溶解剂和水的研磨液，进而可以含有表面用烷基改性的研磨粒和水，优选进一步含有金属氧化剂、水溶性聚合物、金属防蚀剂。
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公开(公告)号：CN102690607A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210144194.3
申请日：2008-02-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/321
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/30625 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液及其应用。所述金属用研磨液含有研磨粒、氧化金属溶解剂、有机溶剂和水，所述研磨粒包括平均2次粒径为5～39nm的第一研磨粒和平均2次粒径为40～300nm的第二研磨粒，所述金属用研磨液的pH为2～5。
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公开(公告)号：CN101058713B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200710107753.2
申请日：2002-10-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是提供被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液，含有全氟链烷磺酸、氧化金属溶解剂和水。本发明的研磨方法包括：研磨具有表面由凹部及凸部组成的层间绝缘膜、沿表面被覆前述层间绝缘膜的阻隔导体层和填充前述凹部被覆阻隔导体层的导电性物质层的基体的导电性物质，使前述凸部的阻隔导体层露出的第1研磨工序，和一边至少向阻隔导体层及凹部的导电性物质层供给本发明的研磨液一边进行化学机械研磨使凸部的层间绝缘膜露出的第2研磨工序。
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公开(公告)号：CN101611476A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200880005185.8
申请日：2008-02-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/30625 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液，其含有研磨粒、氧化金属溶解剂和水，其特征在于，所述研磨粒包括两种以上平均2次粒径不同的研磨粒，使用该金属用研磨液可以提供层间绝缘膜的研磨速度大，且被研磨面的平坦性高的研磨方法。另外，由此提供一种在微细化、薄膜化、尺寸精度以及电特性上优异，可靠性高，且适于低成本的半导体装置的研磨方法。
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