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公开(公告)号：CN101689494A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880023332.4
申请日：2008-07-04
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/76819
Abstract: 本发明提供一种抑制侵蚀和裂缝的发生、被研磨面的平坦性高的金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液以及使用该金属膜用研磨液的研磨方法，其特征在于，该金属膜用研磨液包含磨粒、甲基丙烯酸系聚合物和水。
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公开(公告)号：CN102768954A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210225793.8
申请日：2009-04-16
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/321 , B24B37/04 , C09G1/02 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法。本发明还涉及CMP用研磨液的应用，该CMP用研磨液包含介质和分散在介质中的胶态二氧化硅粒子，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。
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公开(公告)号：CN102766409A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210226495.0
申请日：2009-04-16
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3105 , H01L21/321
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质、分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂和氧化剂，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。
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公开(公告)号：CN101484982A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780024845.2
申请日：2007-07-03
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及包含磨粒、和锯齿及裂缝抑制剂的CMP用研磨液，锯齿及裂缝抑制剂是选自聚羧酸、聚羧酸衍生物和含有羧酸的共聚物中的至少一种。根据本发明可以提供抑制配线部附近的绝缘膜被过度研磨的锯齿现象、裂缝现象，并且被研磨面的平坦性高的CMP用研磨液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101432854A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780014892.9
申请日：2007-04-24
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/7684 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种CMP用研磨液，其特征在于，其是在第1化学机械研磨工序后，在第2化学机械研磨工序中使用的CMP用研磨液，所述工序研磨的基板包含：表面包括凹部和凸部的层间绝缘膜、沿表面覆盖所述层间绝缘膜的阻挡层、填充所述凹部而覆盖阻挡层的导电性物质层，其中，第1化学机械研磨工序为：研磨基板的导电性物质层，使所述凸部的阻挡层露出，第2化学机械研磨工序为：研磨露出的阻挡层，使得所述凸部的层间绝缘膜露出；其中，研磨量(A)与研磨量(B)的差(B)－(A)为650以下，所述研磨量(A)是形成于所述基板的层间绝缘膜部具有1000μm以上宽度的场部的层间绝缘膜的研磨量；所述研磨量(B)是形成于所述基板的宽90μm的配线金属部与宽10μm的层间绝缘膜交互排列的条纹状图形部的层间绝缘膜的研磨量。
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公开(公告)号：CN102352187A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110208059.6
申请日：2008-07-04
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/76819
Abstract: 本发明提供一种金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液包含磨粒、由甲基丙烯酸系聚合物构成的水溶性聚合物和水，其能够维持对层间绝缘膜的良好的研磨速度，同时抑制侵蚀和裂缝的发生，使得被研磨面的平坦性高。
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公开(公告)号：CN102007577A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980113203.9
申请日：2009-04-16
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种分散稳定性良好、层间绝缘膜的研磨速度为高速的CMP用研磨液以及研磨方法。本发明涉及一种CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质和分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子，假设所述研磨液在被调合成能在CMP研磨工序中使用的状态时，优选所述CMP用研磨液包含2.0～8.0质量％的所述胶态二氧化硅粒子，所述胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。(1)从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径(R1)为35～55nm；(2)与在前述(1)中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为(S0)，通过BET法测定的前述胶态二氧化硅粒子的比表面积为(S1)，用(S0)去除(S1)所得到的值为1.20以下；(3)在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的前述胶态二氧化硅粒子的二次粒径(Rs)与在前述(1)中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。
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公开(公告)号：CN101432854B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200780014892.9
申请日：2007-04-24
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/7684 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种CMP用研磨液，其特征在于，其是在第1化学机械研磨工序后，在第2化学机械研磨工序中使用的CMP用研磨液，所述工序研磨的基板包含：表面包括凹部和凸部的层间绝缘膜、沿表面覆盖所述层间绝缘膜的阻挡层、填充所述凹部而覆盖阻挡层的导电性物质层，其中，第1化学机械研磨工序为：研磨基板的导电性物质层，使所述凸部的阻挡层露出，第2化学机械研磨工序为：研磨露出的阻挡层，使得所述凸部的层间绝缘膜露出；其中，研磨量(A)与研磨量(B)的差(B)-(A)为以下，所述研磨量(A)是形成于所述基板的层间绝缘膜部具有1000μm以上宽度的场部的层间绝缘膜的研磨量；所述研磨量(B)是形成于所述基板的宽90μm的配线金属部与宽10μm的层间绝缘膜交互排列的条纹状图形部的层间绝缘膜的研磨量。
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公开(公告)号：CN102007577B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200980113203.9
申请日：2009-04-16
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , B24B37/04 , C09K3/14 , H01L21/3105 , H01L21/321
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种分散稳定性良好、层间绝缘膜的研磨速度为高速的CMP用研磨液以及研磨方法。本发明涉及一种CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质和分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子，假设所述研磨液在被调合成能在CMP研磨工序中使用的状态时，优选所述CMP用研磨液包含2.0～8.0质量％的所述胶态二氧化硅粒子，所述胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。(1)从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径(R1)为35～55nm；(2)与在前述(1)中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为(S0)，通过BET法测定的前述胶态二氧化硅粒子的比表面积为(S1)，用(S0)去除(S1)所得到的值为1.20以下；(3)在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的前述胶态二氧化硅粒子的二次粒径(Rs)与在前述(1)中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。
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