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公开(公告)号：CN1147640A
公开(公告)日：1997-04-16
申请号：CN96110858.4
申请日：1996-07-26
申请人： 日立化成工业株式会社
CPC分类号： G02B6/1221 , C08G73/10 , C08G73/1064 , C08G73/1071 , G02F1/3616 , Y10T428/31721
摘要： 满足下述要求当中的要求(a)、(b)和(c)的聚酰亚胺、满足要求(b)、(c)、(d)的聚酰亚胺和满足要求(a)、(b)、(c)、(d)的聚酰亚胺具有卓越的透明性、各向同性和抗断裂性能(在多层膜的形成过程中没有断裂生成，这样，多层膜的形成就比较容易，即，聚酰亚胺具有优良的加工性能)，并且能够赋予光学元件以卓越的光学特性。
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公开(公告)号：CN1745460A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200480003202.6
申请日：2004-01-30
申请人： 日立化成工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： 本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法，其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有下述族群中的任一种化合物的N－单取代化合物骨架和N，N－二取代化合物骨架中的任一种的化合物：丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α－取代化合物所构成的族群。其中相对研磨剂100重量份，水溶性高分子优选为0.01～10重量份。从而，在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，能够有效、高速地研磨，且操作管理也能容易地进行。
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公开(公告)号：CN101375376A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003934.9
申请日：2007-01-31
申请人： 日立化成工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： 本发明提供一种在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中，能够高效并且高速地进行SiO2膜或SiOC膜等绝缘膜研磨的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的方法以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。含有氧化铈粒子、分散剂、侧链上具有氨基的水溶性高分子和水的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的研磨方法，以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。
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公开(公告)号：CN101375376B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200780003934.9
申请日：2007-01-31
申请人： 日立化成工业株式会社
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： 本发明提供一种在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中，能够高效并且高速地进行SiO2膜或SiOC膜等绝缘膜研磨的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的方法以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。含有氧化铈粒子、分散剂、侧链上具有氨基的水溶性高分子和水的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的研磨方法，以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。
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公开(公告)号：CN101511538A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033479.7
申请日：2007-09-13
申请人： 日立化成工业株式会社
IPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 本发明涉及CMP研磨剂、CMP研磨剂用添加液以及使用了这些的基板的研磨方法，所述CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，并且上述水溶性高分子含有以还原性无机酸盐和氧作为氧化还原聚合引发剂，将含有具有不饱和双键的羧酸及其盐中的至少一种的单体进行聚合所形成的聚合物。据此，在对层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜进行平坦化的CMP技术中，可以有效地进行氧化硅膜的研磨。
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公开(公告)号：CN100377310C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200480003202.6
申请日：2004-01-30
申请人： 日立化成工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： 本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法，其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α-取代化合物所构成的组中的任一种的N-单取代化合物骨架或N，N-二取代化合物骨架的化合物。其中相对研磨剂100重量份，水溶性高分子优选为0.01～10重量份。从而，在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，能够有效、高速地研磨，且操作管理也能容易地进行。
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公开(公告)号：CN1119678C
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN96110858.4
申请日：1996-07-26
申请人： 日立化成工业株式会社
CPC分类号： G02B6/1221 , C08G73/10 , C08G73/1064 , C08G73/1071 , G02F1/3616 , Y10T428/31721
摘要： 满足下述要求当中的要求(a)、(b)和(c)的聚酰亚胺、满足要求(b)、(c)、(d)的聚酰亚胺和满足要求(a)、(b)、(c)、(d)的聚酰亚胺具有卓越的透明性、各向同性和抗断裂性能(在多层膜的形成过程中没有断裂生成，这样，多层膜的形成就比较容易，即，聚酰亚胺具有优良的加工性能)，并且能够赋予光学元件以卓越的光学特性：(a)TE模和TM模的折射率差值为0.02或更小，(b)玻璃化温度(Tg)为250℃或更高，(c)在波长0.7至1.6μm处的光透射损失为1dB/cm或更少，和(d)氟含量为0-22.6%重量或更少。
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