发明公开
- 专利标题: CMP研磨剂以及研磨方法
- 专利标题(英): CMP polishing compound and polishing method
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申请号: CN200480003202.6申请日: 2004-01-30
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公开(公告)号: CN1745460A公开(公告)日: 2006-03-08
- 发明人: 深泽正人 , 吉田诚人 , 小山直之 , 大槻裕人 , 山岸智明 , 榎本和宏 , 芳贺浩二 , 仓田靖
- 申请人: 日立化成工业株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 日立化成工业株式会社
- 当前专利权人: 日立化成工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理商 钟晶
- 优先权: 024105/2003 2003.01.31 JP
- 国际申请: PCT/JP2004/000916 2004.01.30
- 国际公布: WO2004/068570 JA 2004.08.12
- 进入国家日期: 2005-07-29
- 主分类号: H01L21/304
- IPC分类号: H01L21/304 ; C09K3/14
摘要:
本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法,其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水,所述水溶性高分子为具有下述族群中的任一种化合物的N-单取代化合物骨架和N,N-二取代化合物骨架中的任一种的化合物:丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α-取代化合物所构成的族群。其中相对研磨剂100重量份,水溶性高分子优选为0.01~10重量份。从而,在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中,能够有效、高速地研磨,且操作管理也能容易地进行。
公开/授权文献
- CN100377310C CMP研磨剂以及研磨方法 公开/授权日:2008-03-26
IPC分类: