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公开(公告)号:CN102686360A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201080051291.7
申请日:2010-09-14
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: B24B37/04 , C09K3/14 , H01L21/3105
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明的CMP研磨液的第1方式为,含有氧化铈粒子、具有炔键的有机化合物和水,具有炔键的有机化合物的含量以CMP研磨液总质量基准计为0.00001质量%以上0.01质量%以下。本发明的CMP研磨液的第2方式为,含有氧化铈粒子、具有炔键的有机化合物、使含有具有阴离子性取代基的乙烯基化合物作为单体成分的组合物聚合而得到的阴离子性高分子化合物或其盐、以及水,具有炔键的有机化合物的含量以CMP研磨液总质量基准计为0.000001质量%以上且不足0.05质量%。
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公开(公告)号:CN101291778B
公开(公告)日:2012-06-20
申请号:CN200680038577.5
申请日:2006-10-18
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供了通过使氧化铈粒子的分散性达到最大状态而减小粗大粒子的含有比率,从而同时实现减少抛光损伤以及使抛光速度高速化的氧化铈浆料、氧化铈抛光液以及使用其抛光衬底的方法。本发明是关于含有氧化铈粒子、分散剂和水的氧化铈浆料,其氧化铈重量/分散剂重量比为20~80,本发明还涉及含有上述氧化铈浆料及水溶性高分子等添加剂的氧化铈抛光液。
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公开(公告)号:CN101291778A
公开(公告)日:2008-10-22
申请号:CN200680038577.5
申请日:2006-10-18
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供了通过使氧化铈粒子的分散性达到最大状态而减小粗大粒子的含有比率,从而同时实现减少抛光损伤以及使抛光速度高速化的氧化铈浆料、氧化铈抛光液以及使用其抛光衬底的方法。本发明是关于含有氧化铈粒子、分散剂和水的氧化铈浆料,其氧化铈重量/分散剂重量比为20~80,本发明还涉及含有上述氧化铈浆料及水溶性高分子等添加剂的氧化铈抛光液。
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