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公开(公告)号：CN101768412B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN200910215848.5
申请日：2009-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/304 , C09G1/02 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/7684
Abstract: 本发明提供了一种用于制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用该组合物的抛光方法以及包括通过该方法制造的铜互连的半导体器件。该组合物包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂和pH调节剂，其中，磨料颗粒是具有约0.6或更小的平均一次粒径与平均二次粒径的比率的非球形胶体氧化硅，而所述铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物。
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公开(公告)号：CN101333420A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810085567.8
申请日：2008-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/18 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光(CMP)的浆料组合物。该组合物含有去离子水；含氮化合物；和选择性含有的研磨颗粒、氧化剂、或研磨颗粒和氧化剂的组合。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。
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公开(公告)号：CN101333421B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200810085569.7
申请日：2008-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/304 , C09G1/18 , B24B29/00
CPC classification number: C09G1/04 , H01L45/06 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光的浆料组合物，该浆料组合物含有去离子水、和铁或铁化合物。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，而且能够降低相变存储材料的蚀刻速率，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。
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公开(公告)号：CN101333421A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810085569.7
申请日：2008-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/18 , B24B29/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/04 , H01L45/06 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光的浆料组合物，该浆料组合物含有去离子水、和铁或铁化合物。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，而且能够降低相变存储材料的蚀刻速率，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101191036A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710145660.9
申请日：2007-09-10
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 公开了一种用于化学机械抛光的淤浆组合物及其前体组合物。该抛光淤浆组合物含有磨料颗粒、pH值调节剂、表面活性剂和去离子水，其中，所述表面活性剂包括两个或更多个离子部分和两个或更多个亲脂基团。该组合物对具有阶梯高度的半导体的凸面进行抛光的抛光速率高于作为半导体抛光停止层的凹面的抛光速率，从而使抛光可以自动停止，以减少抛光过程后表面缺陷的产生，并且具有高度的抛光平面化和优良的分散稳定性。
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公开(公告)号：CN101333420B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200810085567.8
申请日：2008-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/304 , C09G1/18 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光(CMP)的浆料组合物。该组合物含有去离子水；含氮化合物；和选择性含有的研磨颗粒、氧化剂、或研磨颗粒和氧化剂的组合。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。
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公开(公告)号：CN101768412A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910215848.5
申请日：2009-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/7684
Abstract: 本发明提供了一种用于制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用该组合物的抛光方法以及包括通过该方法制造的铜互连的半导体器件。该组合物包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂和pH调节剂，其中，磨料颗粒是具有约0.6或更小的平均一次粒径与平均二次粒径的比率的非球形胶体氧化硅，而所述铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物。
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公开(公告)号：CN101191036B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200710145660.9
申请日：2007-09-10
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 公开了一种用于化学机械抛光的淤浆组合物及其前体组合物。该抛光淤浆组合物含有磨料颗粒、pH值调节剂、表面活性剂和去离子水，其中，所述表面活性剂包括两个或更多个离子部分和两个或更多个亲脂基团。该组合物对具有阶梯高度的半导体的凸面进行抛光的抛光速率高于作为半导体抛光停止层的凹面的抛光速率，从而使抛光可以自动停止，以减少抛光过程后表面缺陷的产生，并且具有高度的抛光平面化和优良的分散稳定性。
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公开(公告)号：CN102666771A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080059220.1
申请日：2010-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 在此披露了一种CMP淤浆组合物。该CMP淤浆组合物包括氧化铈颗粒、用于将这些氧化铈颗粒吸附到抛光衬垫上的吸附剂、用于调节吸附剂吸附性能的吸附调节剂、以及pH调节剂。该CMP淤浆组合物可以改善图案化的氧化物层的抛光效率以及金刚石圆盘调节器的寿命。
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