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公开(公告)号：CN111471400B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010078522.9
申请日：2020-02-03
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
发明人： 郭毅
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3105
摘要： 公开了一种用于抛光介电衬底的化学机械抛光组合物，其包含用聚烷氧基化的有机硅烷稳定的胶体二氧化硅磨料颗粒。
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公开(公告)号：CN111471400A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010078522.9
申请日：2020-02-03
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
发明人： 郭毅
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3105
摘要： 公开了一种用于抛光介电衬底的化学机械抛光组合物，其包含用聚烷氧基化的有机硅烷稳定的胶体二氧化硅磨料颗粒。
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公开(公告)号：CN107964373B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201710969236.X
申请日：2017-10-17
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02
摘要： 本发明提供具有极佳加热老化及存放稳定性的水性化学机械平面化(CMP)抛光组合物，呈包含以下两者的混合物的浓缩物形式：含有两个季铵基团的化合物，如六丁基C1‑C8烷二铵二氢氧化物或其盐，优选N，N，N，N′，N′，N′‑六丁基‑1，4‑丁二铵二氢氧化物(HBBAH)；和按所述组合物的总重量计，以固体形式呈1wt.％到30wt.％或优选15wt.％到22wt.％的量的含有氨基硅烷基团的二氧化硅粒子，所述组合物的pH值介于3到5或优选3.5到4.5范围内，其中在45℃温度下加热老化至少6天之后，所述组合物对可见沉淀或沉降稳定，固体含量为15wt.％。
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公开(公告)号：CN109593474A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811011723.6
申请日：2018-08-31
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
摘要： 本发明提供一种含水化学机械平面化抛光(CMP抛光)组合物，其包含一种或多种含水胶态二氧化硅颗粒(优选球形胶体二氧化硅颗粒)分散体、等电点(pI)低于5的一种或多种胺羧酸(优选酸性氨基酸或吡啶酸)以及具有C6到C10烷基、芳基或烷芳基疏水基团的一种或多种乙氧基化阴离子表面活性剂，其中所述组合物具有3到5的pH。所述组合物在抛光中实现良好的氮化硅去除和氮化物与氧化物的选择性去除。
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公开(公告)号：CN109593473A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811009708.8
申请日：2018-08-31
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
摘要： 本发明提供水性化学机械平坦化(CMP)抛光组合物，其包含一种或多种具有+5到+50mV的ζ电位且具有一个或多个氨基硅烷基团的胶态二氧化硅粒子分散体，优选细长、弯曲或结节状胶态二氧化硅粒子，或更优选含有阳离子氮原子的此类粒子；以及至少一种胺杂环羧酸，其具有2.5到5，优选3到4的等电点(pI)。所述组合物具有2.5到5.3的pH。优选地，所述胺杂环羧酸为含胺杂环单羧酸，如烟碱酸、吡啶羧酸或异烟酸。所述组合物增强氧化物:氮化物去除速率比率。
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公开(公告)号：CN107880783A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710869144.4
申请日：2017-09-22
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02
摘要： 本发明提供水性化学机械平坦化(CMP)抛光组合物，其包含带正电二氧化硅粒子组合物与以所述CMP抛光组合物中的总二氧化硅粒子固体计总共3到20wt.％的一种或多种带负电二氧化硅粒子组合物，其中所述二氧化硅粒子具有如动态光散射(DLS)所测定的5到50nm的z平均粒子尺寸。所述带正电二氧化硅粒子组合物中的二氧化硅粒子与所述一种或多种带负电二氧化硅粒子组合物中的二氧化硅粒子的z平均粒子尺寸(DLS)比率在1:1到5:1，或优选5:4到3:1范围内。所述组合物实现介电或氧化物衬底的改进的抛光且在室温下稳定贮存至少7天。
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公开(公告)号：CN106625031A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610950906.9
申请日：2016-10-26
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC分类号： B24B1/00 , B24B29/02 , B24B37/24 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/24 , B24D11/003 , H01L21/31053 , B24B1/00 , B24B29/02 , B24B37/245 , H01L21/304
摘要： 本发明提供一种化学机械抛光方法，包括：提供衬底，其中所述衬底包括氧化硅和氮化硅；提供抛光浆料；提供抛光垫，包括：具有组合物的抛光层，所述组合物是多个成分的反应产物，包括：多官能异氰酸酯和胺引发的多元醇固化剂；其中对所述胺引发的多元醇固化剂与所述多官能异氰酸酯的化学计量比进行选择以调节所述抛光层的去除率选择性；在抛光表面和所述衬底之间形成动态接触；将所述抛光浆料分散到在所述抛光表面和所述衬底之间的界面处或界面附近的所述抛光垫上；并且，将至少一些所述氧化硅和所述氮化硅从所述衬底上去除。
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公开(公告)号：CN102756326B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201210139136.1
申请日：2012-04-26
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 一种用来对包含锗-锑-碲硫属化物相变合金(GST)的基片进行化学机械抛光的方法，该方法使用化学机械抛光组合物，所述化学机械抛光组合物主要由以下作为初始组分的物质组成：水；磨料；选自乙二胺四乙酸及其盐的材料；氧化剂；所述化学机械抛光组合物促进获得高的GST去除速率，并且缺陷率低。
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公开(公告)号：CN104449396A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410478499.7
申请日：2014-09-18
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
发明人： 郭毅
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3105
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053
摘要： 本发明提供了一种用于抛光含氧化硅的基材的低缺陷化学机械抛光组合物，该组合物包含以下成分作为初始组分：水、胶体二氧化硅磨料、以及如通式I所示的添加剂。
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