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    对包含多晶硅、氧化硅和氮化硅的基片进行抛光的方法
    2.
    发明授权
    对包含多晶硅、氧化硅和氮化硅的基片进行抛光的方法 失效

    公开(公告)号：CN102199399B

    公开(公告)日：2014-04-02

    申请号：CN201110072210.8

    申请日：2011-03-16

    申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司

    发明人： 郭毅 ,  刘振东 ,  K-A·K·雷迪 ,  G·张

    IPC分类号： H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3105

    摘要： 本发明提供了一种用来对基片进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供基片，其中，所述基片包含多晶硅、氧化硅和氮化硅；提供一种化学机械抛光组合物，其包含以下组分作为初始组分：水；磨料；烷基芳基聚醚磺酸盐化合物，其中，所述烷基芳基聚醚磺酸盐化合物具有疏水性部分以及非离子型无环亲水性部分，该疏水性部分包含与芳环连接的烷基，所述亲水性部分包含4-100个碳原子；以及式I所示的物质其中R1，R2，R3，R4，R5，R6和R7各自是化学式为-(CH2)n-的桥连基团，n是选自1-10的整数；提供包括抛光表面的化学机械抛光垫；使得所述抛光表面相对于所述基片运动；将化学机械抛光组合物分配在所述抛光表面上；以及磨去所述基片的至少一部分，从而抛光所述基片；其中，从基片上除去至少一部分多晶硅；从所述基片上除去至少一部分的氧化硅和氮化硅。

    对包含多晶硅以及氧化硅和氮化硅中的至少一种的基片进行抛光的方法
    3.
    发明授权
    对包含多晶硅以及氧化硅和氮化硅中的至少一种的基片进行抛光的方法 有权

    公开(公告)号：CN102201337B

    公开(公告)日：2014-03-12

    申请号：CN201110072107.3

    申请日：2011-03-16

    申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司

    发明人： 郭毅 ,  刘振东 ,  K-A·K·雷迪 ,  G·张

    IPC分类号： H01L21/3105 ,  C09G1/02

    CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02

    摘要： 本发明提供了一种用来对基片进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供基片，其中，所述基片包含多晶硅以及氧化硅和氮化硅中的至少一种；提供一种化学机械抛光组合物，其包含以下组分作为初始组分：水；磨料；无环有机磺酸化合物，其中，所述无环有机磺酸化合物包含具有6-30个碳原子的无环疏水性部分以及包含10-300个碳原子的非离子型无环亲水性部分；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；使得抛光表面相对于基片运动；将所述化学机械抛光组合物分配在所述抛光表面上；磨去所述基片的至少一部分，从而对所述基片进行抛光；其中，从基片上除去至少一部分多晶硅；从基片上除去至少一部分的氧化硅和氮化硅中的至少一种。

    一种抛光基材的方法
    4.
    发明公开
    一种抛光基材的方法 有权

    公开(公告)号：CN103084972A

    公开(公告)日：2013-05-08

    申请号：CN201210418371.2

    申请日：2012-10-26

    申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司

    发明人： 郭毅 ,  K-A·K·雷迪

    IPC分类号： B24B39/06

    CPC分类号： C09G1/04 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

    摘要： 本发明提供了一种使用化学机械抛光组合物浓缩物的多种稀释液以抛光基材，对包含过载地沉积在二氧化硅上的多晶硅的基材进行化学机械抛光的方法，其中，用于抛光基材的所述浓缩物的第一稀释液被调节得具有第一多晶硅去除速率和第一多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性；以及，用于抛光基材的所述浓缩物的第二稀释液被调节得具有第二多晶硅去除速率和第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性。

    对包含多晶硅以及氧化硅和氮化硅中的至少一种的基片进行抛光的方法
    5.
    发明公开
    对包含多晶硅以及氧化硅和氮化硅中的至少一种的基片进行抛光的方法 有权

    公开(公告)号：CN102201337A

    公开(公告)日：2011-09-28

    申请号：CN201110072107.3

    申请日：2011-03-16

    申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司

    发明人： 郭毅 ,  刘振东 ,  K-A·K·雷迪 ,  G·张

    IPC分类号： H01L21/3105 ,  B24B37/04 ,  H01L21/321 ,  C09G1/02

    CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02

    摘要： 本发明提供了一种用来对基片进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供基片，其中，所述基片包含多晶硅以及氧化硅和氮化硅中的至少一种；提供一种化学机械抛光组合物，其包含以下组分作为初始组分：水；磨料；无环有机磺酸化合物，其中，所述无环有机磺酸化合物包含具有6-30个碳原子的无环疏水性部分以及包含10-300个碳原子的非离子型无环亲水性部分；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；使得抛光表面相对于基片运动；将所述化学机械抛光组合物分配在所述抛光表面上；磨去所述基片的至少一部分，从而对所述基片进行抛光；其中，从基片上除去至少一部分多晶硅；从基片上除去至少一部分的氧化硅和氮化硅中的至少一种。

    用于浅沟槽隔离的水性硅石浆料组合物和其使用方法
    7.
    发明公开
    用于浅沟槽隔离的水性硅石浆料组合物和其使用方法 有权

    公开(公告)号：CN109423213A

    公开(公告)日：2019-03-05

    申请号：CN201810926391.8

    申请日：2018-08-14

    申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司

    发明人： N·K·彭塔 ,  J·考兹休克 ,  D·莫斯利 ,  K-A·K·雷迪 ,  M·万哈尼赫姆

    IPC分类号： C09G1/02 ,  B24B1/00

    摘要： 本发明提供水性CMP抛光组合物，其包含以所述组合物的总重量计0.5到30重量％的多个含有阳离子氮原子的细长、弯曲或结节状胶态硅石颗粒分散体，和0.001到0.5重量％，优选10到500ppm的具有阳离子胺基的二烯丙基胺盐(如二烯丙基卤化铵)，或具有阳离子胺基的二烯丙基烷基胺盐(如二烯丙基烷基铵盐)的阳离子共聚物，或所述共聚物的混合物，其中所述组合物的pH为1到4.5。优选地，具有阳离子胺基的二烯丙基胺盐的所述阳离子共聚物包含二烯丙基氯化铵与二氧化硫的共聚物，并且具有阳离子胺基的所述二烯丙基烷基胺盐的所述共聚物包含二烯丙基单甲基卤化铵(例如二烯丙基单甲基氯化铵)与二氧化硫的共聚物。浆料组合物在具有氮化物和硅图案的图案晶片的CMP抛光中表现出良好的氧化物选择性。

    稳定的、可浓缩的化学机械抛光组合物和抛光基材的方法
    8.
    发明公开
    稳定的、可浓缩的化学机械抛光组合物和抛光基材的方法 无效

    公开(公告)号：CN102559062A

    公开(公告)日：2012-07-11

    申请号：CN201110354333.0

    申请日：2011-09-20

    申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司

    发明人： 刘振东 ,  郭毅 ,  K-A·K·雷迪 ,  张广云

    IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/311 ,  B24B37/24

    CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02

    摘要： 稳定的、可浓缩的化学机械抛光组合物和抛光基材的方法。一种化学机械抛光组合物，该组合物包括作为原始成分的下述组分：水；研磨剂；如式(I)的双季化物质；如式(II)的胍的衍生物；和任选地，季铵盐。同时，提供了一种化学机械抛光基材的方法，其包括：提供一种基材，其中所述基材包括二氧化硅；提供一种本发明的化学机械抛光组合物；提供一个化学机械抛光垫；在化学机械抛光垫和基材之间的界面建立动态接触；把化学机械抛光组合物分配至在化学机械抛光垫和基材之间的界面处或者邻近处的化学机械抛光垫上；其中化学机械抛光组合物的pH为2-6。

    抛光硫族合金的方法
    9.
    发明公开
    抛光硫族合金的方法 无效

    公开(公告)号：CN102310362A

    公开(公告)日：2012-01-11

    申请号：CN201110243557.4

    申请日：2011-07-01

    申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司

    发明人： 具滋澔 ,  刘振东 ,  K·沙旺特 ,  K-A·K·雷迪

    IPC分类号： B24B37/04 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

    CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

    摘要： 抛光硫族合金的方法，本发明提供了一种用于化学机械抛光基底的方法。本发明包括提供一其中包括硫族相变合金的基底和提供一化学机械抛光组合物，其中该化学抛光组合物包括，按重量百分比计，水、0.1-30的研磨剂、至少一种抛光剂，抛光剂选自0.05-5的卤素化合物、0.05-5的邻苯二甲酸、0.05-5的邻苯二甲酸酐及其盐、衍生物和其混合物，其中该化学机械抛光组合物的pH为2-小于7。一化学机械抛光垫以该化学机械抛光垫和该化学机械抛光组合物抛光基底，达到从基底选择性地或非选择性地去除硫族相变合金。