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公开(公告)号:CN102639280A
公开(公告)日:2012-08-15
申请号:CN201080055561.1
申请日:2010-12-07
申请人: JP赛席尔联合股份有限公司
IPC分类号: B23K26/04
CPC分类号: B23K26/042 , B23K26/0608 , B23K26/0676 , B23K26/0738 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L33/0095
摘要: 一种激光加工系统可包含一相对侧照相机(opposite side camera),以用于自该系统的一相对侧(即与激光加工工艺相对之侧)提供工件对准。该相对侧照相机可与一空气轴承定位平台一起使用,且该平台的一部分及/或该相对侧照相机可移动,以使该相对侧照相机能够对欲对准的该工件上的一特征(feature)进行成像。相对侧对准可用于经由自一工件的一或二侧实施对准而对该工件进行背面切割及/或双侧切割。激光加工系统及方法亦可用于提供准秘密切割(quasi-stealth scribing)及多光束切割。
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公开(公告)号:CN102157375A
公开(公告)日:2011-08-17
申请号:CN201110073309.X
申请日:2006-03-30
申请人: 应用材料公司
IPC分类号: H01L21/324
CPC分类号: B23K26/0608 , B23K26/0604 , B23K26/0613 , B23K26/073 , B23K26/0732 , B23K26/0736 , B23K26/0738 , B23K26/352 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L21/324
摘要: 本发明涉及双波长热流激光退火。本发明公开了一种热处理设备和方法,其中第一激光源(40),例如以10.6μm发射的CO2激光器,作为线光源(48)聚焦到硅晶片(20)上,并且第二激光源(26),例如以808nm发射的GaAs激光器棒作为围绕线光束的更大光束(34)聚焦到晶片上。两个光束在线光源的窄方向上同步扫描,以产生在通过更大光束进行活化时由线光束产生窄加热脉冲。GaAs辐射的能级大于硅带隙能级,并产生了自由载流子。CO2辐射的能级小于硅带隙能级,因此硅对此是透明的,但是长波长辐射被自由载流子吸收。
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公开(公告)号:CN101432851B
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN200780014781.8
申请日:2007-03-16
申请人: 日立电脑机器株式会社
IPC分类号: H01L21/268 , H01L21/20
CPC分类号: G02B6/4296 , B23K26/03 , B23K26/046 , B23K26/0608 , B23K26/0622 , B23K26/0738 , G02B6/4249 , H01L21/268 , H01S5/0085 , H01S5/4012
摘要: 本发明提供了适用于液晶显示装置的激光照射装置以及激光照射方法。激光照射装置设有半导体激光元件组(1A),其装有照射激光波长为370nm~480nm的激光的多个第1半导体激光元件(1),传送从多个第1半导体激光元件(1)照射的激光的光纤(2),以直线状保持该光纤(2)的直线光纤束(3),将由该直线光纤束(3)保持的光纤发出的激光整形成线状并且使激光强度分布的顶部平滑化后输出的光补偿器(4),将从该光补偿器输出的激光作为线状激光光斑会聚在目标体上的物镜(5)。上述半导体激光元件组(1A)的总照射输出值为6W以上100W以下。
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公开(公告)号:CN102077318A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN200980124021.1
申请日:2009-06-19
申请人: 株式会社IHI
IPC分类号: H01L21/20 , H01L21/268
CPC分类号: H01L21/02678 , B23K26/066 , B23K26/0738 , C30B1/023 , C30B29/06
摘要: 提供一种在激光的长轴方向的接缝部不会损害结晶性的均匀性,能够在基板整个面形成不能以目视确认接缝部的程度的良好的、均匀性高的结晶性半导体薄膜的激光退火方法及装置。在线状光束的照射中,通过配置在激光(2)的光路上的遮挡体(10),遮蔽与线状光束的端部对应的部分,以遮蔽量周期地增减的方式使遮挡体(10)工作。
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公开(公告)号:CN101184871B
公开(公告)日:2011-03-30
申请号:CN200680018677.1
申请日:2006-04-04
申请人: 纽约市哥伦比亚大学理事会
发明人: 詹姆斯·S·艾姆 , 保罗·C·万德维尔特
IPC分类号: H01L21/268 , C30B13/00
CPC分类号: H01L21/02686 , B23K26/0738 , C30B13/00 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要: 一种多晶膜,其由以下步骤制造:a、提供其上配置有薄膜的基板,所述膜能够由激光引起熔融;b、产生一个激光脉冲序列,所述激光脉冲具有足以在被照射区域贯穿薄膜的厚度使薄膜熔融的通量,每个脉冲形成具有长度和宽度的线束,所述宽度足以实质上阻止在由所述激光脉冲照射的薄膜的部分内固体的核化;c、用第一激光脉冲照射所述膜的第一区域以形成第一熔融区,所述第一熔融区的宽度呈现沿其长度的改变,从而限定最大宽度(Wmax)和最小宽度(Wmin),其中Wmax小于约2×Wmin,并且第一熔融区在冷却时被晶化以形成一个或多个横向生长的晶体;d、沿着横向生长方向将所述薄膜横向移动大于Wmax的约一半而小于Wmin的距离;以及e、用第二激光脉冲照射薄膜的第二区域以形成具有大致与第一熔融区的形状相同的形状的第二熔融区,其中第二熔融区在冷却时被晶化以形成一个或多个横向生长的晶体,该晶体是第一区中的一个或多个晶体的延长物。
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公开(公告)号:CN100521091C
公开(公告)日:2009-07-29
申请号:CN200610121897.9
申请日:2004-02-05
申请人: 三星移动显示器株式会社
IPC分类号: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L21/84 , H01L21/00 , B23K26/073
CPC分类号: H01L21/02532 , B23K26/073 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , H01L21/0268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78672 , H01L29/78696 , Y10S438/945
摘要: 本发明公开了一种用于显示器设备的多晶硅薄膜,该薄膜具有彼此不平行的相邻主晶粒间界,其中被主晶粒间界包围的面积大于1μm2,还公开了一种多晶硅薄膜的制造方法,以及用该方法制造的薄膜晶体管。
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公开(公告)号:CN101321502A
公开(公告)日:2008-12-10
申请号:CN200580051613.7
申请日:2005-09-19
申请人: LIMO专利管理有限及两合公司
发明人: J·迈因席恩
IPC分类号: A61B18/20
CPC分类号: B23K26/0738 , A61B18/203 , A61B18/22 , A61B2018/00452 , A61B2018/00476 , B23K26/0608
摘要: 用于借助激光光束(4)剃除人的毛发的装置,包括带有至少一个激光源的基础单元(1)、可以被使用者带到待剃除毛发的区域内的便携式单元(2)以及包括多个光导纤维(7)的传输介质,所述传输介质可以将从至少一个激光源发出的激光光束从基础单元(1)传输到便携式单元(2),其中光导纤维(7)的末端被设置在便携式单元(2)中,使得从所述末端射出的激光光束(4)至少部分地重叠,并在重叠状态下具有一个线形的光束横截面。
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公开(公告)号:CN101266409A
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200810005535.2
申请日:2008-02-15
申请人: 日立比亚机械股份有限公司
CPC分类号: B23K26/043 , B23K26/03 , B23K26/032 , B23K26/04 , B23K26/042 , B23K26/066 , B23K26/0738 , B23K26/0861 , B23K2101/40 , B23K2101/42
摘要: 本发明涉及激光加工装置。本发明提供一种可高精度地将掩模图案投影在被加工件上且加工精度优良的激光加工装置。本发明的激光加工装置设有内装有观察形成于被加工件(320)表面的对准标记的电视摄像机(351),并能测定投影透镜(310)的焦距的自动聚焦单元(340);求出相对被加工件(320)的主扫描方向的设计值的伸缩量(Ex)及相对副扫描方向的设计值的伸缩量(Ey);关于伸缩量Ex,通过对投影透镜(310)的成像倍率(M)进行修正,从而关于伸缩量Ey,考虑投影透镜的成像倍率(M),对掩模(330)或/及被加工件(320)的移动速度进行修正。
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公开(公告)号:CN101198219A
公开(公告)日:2008-06-11
申请号:CN200710196591.4
申请日:2007-12-05
申请人: 日立比亚机械股份有限公司
IPC分类号: H05K3/10 , H05K3/16 , B23K26/073 , B23K26/08
CPC分类号: H05K3/465 , B23K26/0604 , B23K26/0661 , B23K26/0738 , B23K26/082 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2101/35 , B23K2101/42 , B23K2103/16 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , H05K3/0032 , H05K3/0035 , H05K3/045 , H05K3/107 , H05K3/16 , H05K3/4661 , H05K2201/0166 , H05K2201/09563 , H05K2203/0557 , H05K2203/108 , Y10T29/49155
摘要: 本发明提供一种剥离强度很大的印刷基板,并且提供可缩短制造时间及降低制造成本的印刷基板的制造方法与印刷基板加工机。印刷基板的制造方法如下:在表面为绝缘层的印刷基板的表面上形成抗蚀剂层;再从抗蚀剂层的表面侧向与内层导体图形连接的位置(第1位置)照射CO2激光(第1激光),来形成从抗蚀剂层的表面连接导体图形的孔;再向第1位置与形成图形的位置(第2位置)照射准分子激光(第2激光),在上述第2位置上形成从抗蚀剂层的表面连接不到内层导体层的深度的孔与槽;向孔及槽充填导电物质形成导体图形后,通过将抗蚀剂层去除,使导体图形的一部分从绝缘层的表面突出。
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公开(公告)号:CN101179012A
公开(公告)日:2008-05-14
申请号:CN200710186035.9
申请日:2007-11-07
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L21/84 , B23K26/00
CPC分类号: H01L21/02678 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L27/1218 , H01L27/1285
摘要: 在热膨胀率为大于6×10-7/℃且38×10-7/℃以下的玻璃基板上形成含有半导体膜的层并加热该层。接着,对经加热的层照射脉冲振荡的紫外激光束来形成结晶半导体膜,所述激光束具有100μm以下的宽度、1∶500以上的宽长比以及50μm以下的激光束轮廓的半峰全宽。经上述加热后,玻璃基板上形成的含有半导体膜的层的总应力成为-500N/m以上且+50N/m以下。
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