公开(公告)号：CN102077322A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980125234.6

申请日：2009-06-17

Applicant: 株式会社IHI

Inventor： 河口纪仁 ,  川上隆介 ,  西田健一郎 ,  伊泽淳 ,  M正木 ,  森田胜

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/127 ,  B23K26/128 ,  B23K26/147 ,  B23K26/702 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/67115

Abstract: 提供一种激光退火装置，能够减少惰性气体的温度的波动引起的激光的折射现象导致的激光的照射不均。激光退火装置（1）具备：气体供给装置（10），至少对被处理体（7）中的激光照射区域供给惰性气体（G）；以及气体温度调整装置（15），调整惰性气体（G）的温度。气体温度调整装置（15）对被供给到激光照射区域的惰性气体（G）的温度进行调整，使得惰性气体（G）的温度与惰性气体供给区域的外侧的包围激光的光路的空间（房间R）的气氛温度的温度差变小。

公开(公告)号：CN102077318A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980124021.1

申请日：2009-06-19

Applicant: 株式会社IHI

Inventor： 河口纪仁 ,  川上隆介 ,  西田健一郎 ,  M正木 ,  森田胜

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06

Abstract: 提供一种在激光的长轴方向的接缝部不会损害结晶性的均匀性，能够在基板整个面形成不能以目视确认接缝部的程度的良好的、均匀性高的结晶性半导体薄膜的激光退火方法及装置。在线状光束的照射中，通过配置在激光（2）的光路上的遮挡体（10），遮蔽与线状光束的端部对应的部分，以遮蔽量周期地增减的方式使遮挡体（10）工作。

公开(公告)号：CN102057467A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200880129715.X

申请日：2008-06-12

Applicant: 株式会社IHI

Inventor： 河口纪仁 ,  川上隆介 ,  西田健一郎 ,  M正木 ,  森田胜 ,  芳之内淳

IPC: H01L21/268

CPC classification number: B23K26/0732 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0665 ,  G02B27/0905 ,  G02B27/0966 ,  G02B27/48 ,  H01L21/02678

Abstract: 在使用了固体激光的激光退火中，能够容易地对应于半导体膜的激光照射部分的位置变动，对矩形光束的短轴方向的焦点位置进行补正。使用将入射光在短轴方向聚光的短轴用聚光透镜（29）、和将来自该短轴用聚光透镜（29）的出射光投影到上述半导体膜（3）的表面的投影透镜（30），使激光（1）在半导体膜（3）的表面在矩形光束的短轴方向聚光。以位置变动检测器（31）检测出半导体膜（3）的激光照射部分在该半导体膜的垂直方向的位置变动，基于该检测值使短轴用聚光透镜（29）在光轴方向移动。