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公开(公告)号：CN108735689B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201810333020.9
申请日：2018-04-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50 , H01L25/07
Abstract: 一种模块(100)包括载体(102)、仅安装在所述载体(102)的主表面(128)的一部分上的至少部分导热电绝缘体(104)、位于导热电绝缘体(104)上的至少部分导电的再分配结构(112)、安装在所述再分配结构(112)上并且在导热电绝缘体(104)上方的电子芯片(106)以及包封所述载体(102)的至少一部分、导热电绝缘体(104)的至少一部分、所述再分配结构(112)的至少一部分和所述电子芯片(106)的至少一部分的包封材料(108)。
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公开(公告)号：CN107689343B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201710660496.9
申请日：2017-08-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：形成填充有牺牲材料的沟槽。所述沟槽从第一侧延伸到半导体衬底中。在所述半导体衬底的第一侧和所述沟槽之上形成外延层。从所述半导体衬底的与所述第一侧相反的第二侧去除所述沟槽中的牺牲材料。用导电材料填充所述沟槽。
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公开(公告)号：CN107680905B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201710652352.9
申请日：2017-08-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/268 , H01L21/22 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/739
Abstract: 晶格空位在半导体层(700)的与工艺表面(701)直接邻接的预处理区(710)中生成。掺杂剂至少注入到所述预处理区(710)中。通过用激光束(850)照射所述工艺表面(701)，来加热所述半导体层(700)的熔化区(712)，激活至少在所述熔化区(712)中的注入的掺杂剂。
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公开(公告)号：CN108074995B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201711098619.0
申请日：2017-11-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·鲁普 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , H-J·舒尔策
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0745 , H01L31/18
Abstract: 切割半导体晶锭，以获得具有前侧表面和与所述前侧表面平行的后侧表面的半导体切片。钝化层直接形成在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上。由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成的阻挡层形成在所述后侧表面上。
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公开(公告)号：CN106571320B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201610875848.8
申请日：2016-09-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 制造半导体晶圆的方法的实施例包括：针对半导体晶锭的至少两个位置确定至少一个材料特性。在半导体晶锭中形成沿着轴向延伸的凹口或平面。在半导体晶锭中形成多个标记。沿着轴向处于不同位置的多个标记中的至少一些标记可通过根据至少一个材料特性设置的特性特征来相互区分。然后，将半导体晶锭切分成半导体晶圆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024855B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201610188505.4
申请日：2016-03-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/223
CPC classification number: H01L29/36 , C30B29/06 , C30B31/06 , C30B33/00 , C30B33/005 , H01L21/02005
Abstract: 公开了半导体晶片和制造方法。半导体晶片包括：第一主表面和第二主表面，沿着竖直方向彼此相反；以及侧表面，环绕半导体晶片。在侧表面和半导体晶片的中心之间的垂直于竖直方向的横向距离包括第一部分和第二部分。第一部分从侧表面延伸到第二部分，并且第二部分从第一部分延伸到中心。第一部分中的氮和氧中的至少之一的平均浓度大于5x 1014cm‑3并且超过第二部分中的氮和氧中的至少之一的平均浓度(第二部分中的氮和氧中的至少之一的平均浓度的)多于20％。
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公开(公告)号：CN109659359A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811038503.2
申请日：2014-07-11
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/732 , H01L29/08 , H01L21/04
Abstract: 本文涉及一种双极晶体管及其制造方法。双极晶体管包括半导体结构，该半导体结构包括发射极区、基极区和集电极区。发射极区电连接至双极晶体管的发射极接触。另外，发射极区具有第一导电类型。基极区电连接至双极晶体管的基极接触。此外，基极区至少主要地具有第二导电类型。集电极区电连接至双极晶体管的集电极接触并且至少主要地具有第一导电类型。另外，集电极区包括具有第二导电类型的多个封闭的子区，或者基极区包括具有第一导电类型的多个封闭的子区。
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公开(公告)号：CN106128953B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610294432.7
申请日：2016-05-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法与含氧相关热施主的半导体器件。一种制造半导体器件的方法包括确定表示半导体晶圆(100)中的非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)的信息。基于与非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)有关的信息以及与半导体晶圆(100)中的氧相关热施主的生成速率或分解速率有关的信息，确定用于生成或分解氧相关热施主的处理温度梯度(Tproc(t))以补偿目标掺杂剂浓度(Dtarg)与非本征掺杂剂浓度(Dext)之差。
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公开(公告)号：CN106298730B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610365247.2
申请日：2016-05-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明的各个实施例涉及具有电连接至导电结构的金属结构的半导体器件。半导体器件(500)包括半导体裸片(900)，该半导体裸片(900)包括导电结构(150)。金属结构(350)电连接至导电结构(150)并且包含第一金属。辅助层堆叠(320)夹设在导电结构(150)与金属结构(350)之间，并且包括粘附层(325)，该粘附层(325)包括第二金属。辅助层堆叠(320)进一步包括金属扩散阻挡层(321)，该金属扩散阻挡层(321)在粘附层(325)与导电结构(150)之间。粘附层(325)包含该第一金属和第二金属。
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公开(公告)号：CN104810392B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201510039578.2
申请日：2015-01-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括具有相对的第一侧和第二侧的半导体主体。该半导体器件进一步包括半导体主体中的、在第一侧和pn结之间的漂移区。在该第一侧和第二侧之间沿着所述漂移区的垂直延伸的至少50％，该漂移区的净掺杂的分布是波动的，并且包括在1x1013cm‑3和5x1014cm‑3之间的掺杂峰值。器件的阻断电压Vbr由pn结的击穿电压定义，该pn结位于漂移区和相反的导电类型的半导体区之间，该半导体区被电耦接至半导体主体的第一侧。
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