公开(公告)号：CN106505097B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201610728449.9

申请日：2016-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄钲谦 ,  刘继文 ,  曾鸿辉 ,  江宗育

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：FinFET组件；多个图案化的伪半导体鳍，布置在所述FinFET组件的多个鳍旁；隔离结构，形成在所述图案化的伪半导体鳍上；以及调整组件，形成在所述图案化的伪半导体鳍上，并且电连接至所述FinFET组件。所述图案化的伪半导体鳍的高度比所述FinFET组件的鳍的高度短。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104576733B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201310719773.0

申请日：2013-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦友 ,  施啟元 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管（FinFET）及其形成方法。FinFET具有鳍部，鳍部具有在衬底上外延生长的一个或多个半导体层。在鳍部上方形成第一钝化层，并且在鳍部之间形成隔离区。对鳍部的上部进行重塑，并且在重塑后的部分上方形成第二钝化层。此后，可以在鳍部上方形成栅结构，并且可以形成源极/漏极区。

公开(公告)号：CN106252230B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201510798935.3

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  刘继文 ,  梁英強

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了用于FINFET的环绕硅化物。一种方法包括在半导体鳍的中间部分上形成栅极堆叠件，以及在栅极堆叠件的侧壁上形成第一栅极间隔件。形成第一栅极间隔件之后，形成模板介电区以覆盖半导体鳍。该方法还包括开槽模板介电区。开槽之后，在栅极堆叠件的侧壁上形成第二栅极间隔件。蚀刻半导体鳍的端部部分以在模板介电区中形成凹槽。在凹槽中外延生长源极/漏极区。

公开(公告)号：CN106098556B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510777476.0

申请日：2015-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张简旭珂 ,  刘继文 ,  吴志楠 ,  林俊泽

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明公开了栅极结构和形成栅极结构的方法。在一些实施例中，方法包括在衬底中形成源极/漏极区，以及在源极/漏极区之间形成栅极结构。该栅极结构包括位于衬底上方的栅极介电层、位于栅极介电层上方的功函调节层、位于功函调节层上方的第一金属、位于第一金属上方的粘合层以及位于粘合层上方的第二金属。在一些实施例中，粘合层可以包括第一金属和第二金属的合金，并且可以通过使第一金属和第二金属退火来形成。在其他实施例中，粘合层可以包括第一金属和/或第二金属中的至少一种的氧化物，并且可以至少部分地通过将第一金属暴露于含氧等离子体或自然环境来形成。本发明的实施例还涉及用于器件的金属栅极方案及其形成方法。

公开(公告)号：CN105977284B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201510770595.3

申请日：2015-11-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  刘继文

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 一种用于形成半导体器件的方法包括：形成从半导体衬底向上延伸的鳍和在鳍的部分的侧壁上形成牺牲层。该方法还包括在牺牲层上方形成间隔件层和经过牺牲层的底面使鳍的部分凹进。凹进形成设置在间隔件层的侧壁部分之间的沟槽。去除牺牲层的至少部分以及在沟槽中形成源极/漏极区。本发明实施例涉及用于鳍式场效应晶体管的源极/漏极区及其形成方法。

公开(公告)号：CN107785249A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710385165.9

申请日：2017-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简昭欣 ,  徐崇浚 ,  季维均 ,  刘继文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L21/244 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28568 ,  H01L29/16 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/872 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66515

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤。在半导体基板上形成第一金属层，并在第一金属层上形成第二金属层。第二金属层由与第一金属层不同的金属形成。施加微波辐射于半导体基板、第一金属层和第二金属层，以形成包含第一金属层、第二金属层和半导体基板的成分的合金。

公开(公告)号：CN104934472B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201410222725.5

申请日：2014-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  陈冠霖 ,  王昭雄 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种器件，该器件包括：衬底、鳍结构、第一源极/漏极区、以及第二源极/漏极区；其中，衬底包括硅；鳍结构包括由硅形成且由隔离区环绕的下部、由碳化硅锗形成的中部、由硅形成的上部和在中部与上部之间形成的碳化硅层，其中，中部由氧化物层环绕，上部包括沟道；第一源极/漏极区包括第一磷化硅区和在第一磷化硅区下面形成的第一碳化硅层；并且第二源极/漏极区包括第二磷化硅区和在第二磷化硅区下面形成的第二碳化硅层。本发明还提供了FINFET结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN107623037A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201610937094.4

申请日：2016-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  刘致为

Inventor： 吕芳谅 ,  刘致为 ,  刘继文 ,  黄仕贤 ,  翁翊轩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66803 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 于制作场效晶体管的方法中，由第一半导体材料所制成的鳍片式结构是形成，以使鳍片式结构从设置于基材上的隔离绝缘层突伸出。栅极结构是形成于鳍片式结构的一部分上，而定义出通道区域、源极区域和漏极区域于鳍片式结构中。于栅极结构形成后，激光退火是进行于鳍片式结构上。

公开(公告)号：CN107527801A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710456366.3

申请日：2017-06-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李东颖 ,  叶致锴 ,  叶震亚 ,  邱远鸿 ,  刘继文 ,  杨育佳

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的实施例公开了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。牺牲薄膜用于图案化对半导体结构的接触件，例如对晶体管的源极/漏极区的接触件。接触件可以包括沿平行于栅电极的轴线的锥形轮廓，以使在接触件远离源极/漏极区延伸时接触件的最外侧宽度减小。

公开(公告)号：CN103928518B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201310580828.4

申请日：2013-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  黄俊嘉 ,  王昭雄 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种集成电路结构，包括：半导体衬底和延伸至半导体衬底内的隔离区，其中，隔离区具有相向的相对侧壁。鳍结构包括：比隔离区的顶面高的硅鳍；被硅鳍覆盖的含锗半导体区；位于含锗半导体区的相对两侧上的氧化硅区；以及位于硅鳍和一个氧化硅区之间并且与它们接触的含锗半导体层。