公开(公告)号：CN107785249B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN201710385165.9

申请日：2017-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简昭欣 ,  徐崇浚 ,  季维均 ,  刘继文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤。在半导体基板上形成第一金属层，并在第一金属层上形成第二金属层。第二金属层由与第一金属层不同的金属形成。施加微波辐射于半导体基板、第一金属层和第二金属层，以形成包含第一金属层、第二金属层和半导体基板的成分的合金。

公开(公告)号：CN107785249A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710385165.9

申请日：2017-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简昭欣 ,  徐崇浚 ,  季维均 ,  刘继文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L21/244 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28568 ,  H01L29/16 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/872 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66515

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤。在半导体基板上形成第一金属层，并在第一金属层上形成第二金属层。第二金属层由与第一金属层不同的金属形成。施加微波辐射于半导体基板、第一金属层和第二金属层，以形成包含第一金属层、第二金属层和半导体基板的成分的合金。