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公开(公告)号：CN116897413A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202280015254.3
申请日：2022-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 对包含含锡膜的基板进行适当地蚀刻。在一个示例性实施方式中，提供一种基板处理方法。基板处理方法具备：准备基板的准备工序，所述基板具备含碳膜、设置在含碳膜上的中间膜和设置在中间膜上且具有开口图案的含锡膜；第一蚀刻工序，将含锡膜作为掩模蚀刻中间膜而将开口图案转印在中间膜上；以及第二蚀刻工序，使用由包含氢、卤素或者碳和氧的处理气体生成的等离子体除去含锡膜并且将中间膜作为掩模蚀刻含碳膜。
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公开(公告)号：CN109923648B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201780068805.1
申请日：2017-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式是一种处理被处理体的方法，该被处理体包括：含有硅氧化物的被蚀刻层、设置于被蚀刻层上的掩模和设置于掩模的使被蚀刻层露出的槽，在该方法中反复执行如下流程：生成含氮的第一处理气体的等离子体以在被蚀刻层的露出面的原子层形成包含该等离子体所含离子的混合层，生成含氟的第二处理气体的等离子体以利用该等离子体所含的自由基除去混合层，从而按原子层除去被蚀刻层，由此对被蚀刻层进行蚀刻。第二处理气体的等离子体包含自由基，该自由基能够除去含有硅氮化物的混合层。
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公开(公告)号：CN109155252B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201780031969.7
申请日：2017-05-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种实施方式的方法(MT)，在处理对象的晶片(W)的被处理层(J1)的蚀刻前，在将被处理层(J1)的主面(J11)划分为多个区域(ER)的基础上，通过步骤(SB2)按多个区域(ER)的每一区域计算出被处理层(J1)上所设置的掩模(J2)的槽宽度与该槽宽度的基准值的差值，在步骤(SB6)中，利用表示被处理层(J1)的温度与形成的膜的膜厚的对应的对应数据(DT)调节被处理层(J1)的温度，以使其成为与多个区域(ER)的每一区域对应的膜厚的膜的形成所需要的温度，利用与(ALD)法同样的膜形成处理在掩模(J2)按每一原子层形成膜，将与差值对应的膜厚的膜(J3)形成与掩模(J2)，按多个区域(ER)的每一区域将槽宽度修正为基准值。
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公开(公告)号：CN108511389B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201810167763.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 提供一种半导体制造方法和等离子体处理装置，目的在于在半导体制造中防止被处理体上的导电层的腐蚀。该半导体制造方法包括：第一工序，将被处理体的导电层之上的绝缘膜蚀刻成掩模的图案，使所述导电层在所形成的所述绝缘膜的凹部露出；以及第二工序，在所述导电层露出的绝缘膜的凹部形成有机膜，其中，所述第二工序包括以下工序：将腔室的内部保持规定的压力，将台冷却至‑20℃以下的极低温，并将被处理体设置在该台上；向所述腔室的内部供给包含低蒸气压材料的气体的气体；以及从所供给的所述包含低蒸气压材料的气体的气体生成等离子体，通过该等离子体将从所述低蒸气压材料生成的前驱体堆积于所述绝缘膜的凹部来形成所述有机膜。
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公开(公告)号：CN112802737A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011214947.4
申请日：2020-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够连续控制在基片上形成的膜的覆盖率的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括a)在腔室内将在正面形成有图案的基片暴露于第一反应种，使第一反应种吸附在基片的正面的工序。此外，基片处理方法包括b)在腔室内，将基片暴露于由第二反应种形成的等离子体，在基片的正面形成膜的工序。此外，基片处理方法包括c)将包含工序a)和工序b)的处理以改变工序b)开始时的第一反应种的滞留量的方式反复执行两次以上的工序。
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公开(公告)号：CN112585728A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980054485.3
申请日：2019-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 提供一种处理方法，包括：埋入工序，在形成有凹部的基底膜埋入有机膜；以及蚀刻工序，在所述埋入工序之后，进行蚀刻直到所述基底膜的顶部的至少一部分暴露为止。
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公开(公告)号：CN111326414A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911249113.4
申请日：2019-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明的课题在于：提供一种能够高精度地控制图案的形状的技术。本发明解决课题的方法在于：基板处理方法包括：提供在表层形成有图案的基板的提供工序；设定基板的温度使得图案的变化达到规定的变化量的设定工序；在基板的表层形成与温度相对应厚度的反应层的形成工序；和向基板供给能量而除去反应层的除去工序。
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公开(公告)号：CN107026081B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201610873459.1
申请日：2016-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种用于在被处理体上的图案形成中实现高精度的最小线宽的控制和稳定的最小线宽的再现性等的对被处理体进行处理的方法。该方法包括：形成工序，反复执行序列而在处理容器内形成氧化硅膜，该序列包括：第1工序，将第1气体向等离子体处理装置的处理容器内供给；第2工序，对处理容器内的空间进行吹扫；第3工序，在处理容器内生成含有氧气的第2气体的等离子体；第4工序，对处理容器内的空间进行吹扫；准备工序，其在将被处理体收容于处理容器内之前进行；处理工序，对收容到处理容器内的被处理体进行蚀刻处理，准备工序在处理工序之前进行，形成工序在准备工序中执行，且在处理工序中执行，在第1工序中不生成第1气体的等离子体。
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公开(公告)号：CN104867827B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510080883.6
申请日：2015-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , C23C2/006 , H01J37/32091 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/31055 , H01L21/311 , H01L21/76897
Abstract: 本发明提供一种对由氧化硅构成的区域进行蚀刻的蚀刻方法。一技术方案的蚀刻方法包括以下工序：将具有由氧化硅构成的区域的被处理体暴露在含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中的工序(a)，在该工序(a)中，对该区域进行蚀刻且在该区域上形成含有碳氟化合物的堆积物；以及利用所述堆积物所含有的碳氟化合物的自由基对所述区域进行蚀刻的工序(b)，在该方法中，交替地重复执行工序(a)和工序(b)。
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公开(公告)号：CN104716025B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410663832.1
申请日：2014-11-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32568 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/67109 , H01L21/76802 , H01L21/76813
Abstract: 本发明提供一种通过隔着硬掩模蚀刻氧化硅膜而在被处理体上形成具有50以上的深宽比的空间的蚀刻方法。该蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体；以及(b)第2工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，进一步将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体。在该蚀刻方法中，第2工序中的载置台和上部电极之间的距离被设定为第1工序中的载置台和上部电极之间的距离的5/3倍以上。
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