公开(公告)号：CN103590092A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201210292690.3

申请日：2012-08-16

申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司

发明人： 王坚 ,  金一诺 ,  王晖

IPC分类号： C25F7/00 ,  C25F3/30 ,  C25D5/08 ,  C25D7/12 ,  C25D17/06 ,  H01L21/306 ,  H01L21/288 ,  C30B33/10

摘要： 本发明公开了一种电化学抛光/电镀装置，包括：一夹具、一喷嘴、一电源、一切换电路及一运动控制器。本发明通过使用具有外电极及内电极的夹具进行电化学抛光/电镀，能够提高抛光/电镀速率，并且能够消除抛光/电镀工艺中晶圆边缘金属铜聚集现象，提高抛光/电镀工艺中晶圆边缘均匀性。本发明还公开了一种电化学抛光/电镀方法。

公开(公告)号：CN1890034B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200480036347.6

申请日：2004-11-12

申请人： 兰姆研究公司

发明人： 任大兴

IPC分类号： B08B6/00 ,  C25F1/00 ,  C25F3/30 ,  C25F5/00

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4407 ,  H01J37/32477 ,  H01J2237/022

摘要： 提供了等离子体加工装置的碳化硅部件、制作此部件的方法、以及在半导体衬底的加工过程中使用此部件来提供降低了的衬底颗粒沾污的方法。利用在部件中导致自由碳的工艺来形成碳化硅部件。对此碳化硅部件进行处理，以便至少从表面清除自由碳。

公开(公告)号：CN1688930A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03823216.2

申请日：2003-09-26

申请人： 空气产品及化学制品股份有限公司

发明人： M·埃格伯

IPC分类号： G03C5/00 ,  C25F5/00 ,  C25F1/00 ,  C25F3/30 ,  B08B6/00 ,  C03C23/00 ,  C23G1/00 ,  C23G1/02

CPC分类号： H01L21/02063 ,  C23G1/14 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133

摘要： 包含某些有机溶剂和氟源的组合物能用于除去光致抗蚀剂和蚀刻残留物。

公开(公告)号：CN118186563A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410309397.6

申请日：2024-03-19

申请人： 华侨大学

发明人： 罗求发 ,  朱艺阳 ,  王思容 ,  陆静 ,  柯聪明 ,  黄辉 ,  徐西鹏

IPC分类号： C25F3/30 ,  C25F7/00

摘要： 本发明提供了一种用于电化学机械抛光的工具制备方法及抛光工具，其制备方法通过在抛光工具的配方中添加导电填料，使得抛光工具存在联结的导电网络，因而抛光工具可以在电场作用下实现对半导体晶圆的电化学机械抛光，并且由于加工工具的导电性，材料去除率大大提高，同时抛光液可以使用绿色无污染的水或氯化钠溶液去除磨削的材料；通过该种方法制备的抛光工具可以提高材料去除率，获得较好的表面质量。

公开(公告)号：CN117822086A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311763299.1

申请日：2023-12-20

申请人： 陈嘉朗

发明人： 陈嘉朗

IPC分类号： C25F7/00 ,  C25F3/30

摘要： 本发明公开一种电解抛光设备，包括一壳体、至少一输入通道、至少一输出通道及至少一第一电极。壳体包括一容置空间用以容置一电解液，输入通道及输出通道设置在壳体上，并连接容置空间，其中电解液由输入通道进入容置空间，并由输出通道流出容置空间。第一电极连接壳体，并用以对电解液通电。电解抛光设备用以放置在一工件的表面，并通过输出通道流出的电解液对工件的表面进行电解抛光。使用的过程中不需要重复补充或沾电解液，可有效提高电解抛光的便利性及效率。

公开(公告)号：CN117802564A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202410002155.2

申请日：2024-01-02

申请人： 上海积塔半导体有限公司

发明人： 周乐 ,  单翌 ,  闫晓晖

IPC分类号： C25F3/30 ,  C25F7/00

摘要： 本申请提供了一种溶液源盛放装置以及自动加液设备。所述溶液源盛放装置包括：多个溶液源盛放瓶，多个所述溶液源盛放瓶的容积不相同；每一所述溶液源盛放瓶的底部连接有一导出管，所述导出管用于将相应所述溶液源盛放瓶内的溶液导出；每一所述导出管上设置有一阀门，所述阀门打开时，相应所述溶液源盛放瓶内的溶液通过相应所述导出管导出。通过将上述溶液源盛放瓶作为溶液源并与待添加溶液的设备连接，可以减少人工操作，并避免误添加的问题。

公开(公告)号：CN117265630A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311209994.3

申请日：2023-09-19

申请人： 南京蓝鼎光电技术有限公司

发明人： 朱建成

IPC分类号： C25F3/30 ,  B24B1/00

摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体抛光方法，包括以下步骤：S1、将电解液配置；S2、对粗抛光碳化硅晶体投入配置电解液中，并将碳化硅晶体电化学氧化；所述电化学氧化碳化硅晶体后，其表面的SiC转化为SiO2，并生成钝化层；S3、基于电化学氧化后碳化硅晶体，对其在电解液中进行半精抛光；S4、对半精抛光后碳化硅晶体，更换磨料进而二次精抛光。本发明具有如下的有益效果：通过电解液NaNO3的选择，对碳化晶体氧化速率有着提升，由此间接提高了碳化晶体的抛光效率；利用电化学氧化作用和磨粒抛光机械作用耦合的方式将碳化晶体抛光，相较于其他抛光设备而言，有效的节约时间成本和金钱成本的投入。

公开(公告)号：CN116423384A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310307906.7

申请日：2023-03-27

申请人： 苏州大学

发明人： 王子睿 ,  王永光 ,  刘庆升 ,  丁钊 ,  朱睿 ,  成锋 ,  师晓曼 ,  彭超

IPC分类号： B24B37/30 ,  C25F3/30 ,  H01L21/306 ,  B24B37/10 ,  B24B7/22

摘要： 本发明涉及一种电化学机械抛光头及抛光装置，所述电化学机械抛光头包括抛光头主体和固定于其内部的工作电极；所述工作电极包括紧密贴合的第一分体和第二分体，所述第一分体内部设置有安装槽；所述第二分体具有与所述安装槽相仿形的结构并嵌设于所述安装槽内；所述第二分体安装至所述安装槽、且所述工作电极安装至所述避让槽后，所述抛光头主体、所述第一分体、所述第二分体的表面平齐；本发明将电化学反应中的工作电极设置为分体结构，能够控制压力与电势互补分布，平衡电化学反应程度和机械加工强度，在阳极氧化和磨粒机械去除的共同作用下实现半导体晶圆的高效抛光，提升材料的去除均匀性、去除速率，产品表面形貌优势明显。

公开(公告)号：CN106555221B

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN201510621750.5

申请日：2015-09-25

申请人： 盛美半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 贾照伟 ,  王坚 ,  王晖

IPC分类号： C25F3/30 ,  C25F7/00

摘要： 本发明揭示了一种喷头装置，包括喷头本体，喷头本体由内至外包括内壁和外壁，喷头本体具有出射口，喷头本体还具有电极；分流板，分流板设置于出射口处，分流板上开设有多个通孔。本发明所揭示的喷头装置能够实现半导体工艺中的均匀抛光目的。

公开(公告)号：CN111020686B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201911277287.1

申请日：2019-12-12

申请人： 湖南文理学院

发明人： 龙永福

IPC分类号： C25F3/12 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00

摘要： 本发明公开了一种纳米多孔硅凸透镜组的制备方法，该方法是将常规双槽腐蚀制备多孔硅薄膜，先采用正、负方波恒流源对硅片左、右表面进行电化学腐蚀形成多孔硅薄膜后，再加大腐蚀电流，对硅片的中间部分进行电抛光，然后，将其浸入氢氧化钠溶液中，并以圆形的两片多孔硅薄膜的中心轴为自旋转轴旋转圆形多孔硅薄膜，形成由多孔硅材料构成的凸透镜组。通过本发明的方法，能获得纳米多孔硅凸透镜组，能广泛应用于微机电系统，为微机光电系统领域作出了重大的贡献。