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公开(公告)号：CN115128054B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202110323147.4
申请日：2021-03-25
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种活性金属氧化物磨粒与金刚石晶圆衬底界面摩擦化学反应的检测方法，通过磁控溅射法，在纳米压痕划痕仪用的金刚石压头表面包覆一层厚度均匀可控的活性金属氧化物磨粒壳层，通过与金刚石晶圆衬底的划擦实验来控制活性金属氧化物磨粒与晶圆之间的界面作用关系，再通过扫描探针显微拉曼光谱仪对金刚石晶圆衬底表面的相互作用区域进行化学成分检测，从而明确活性金属氧化物磨粒与晶圆衬底的界面摩擦化学反应机理，其操作简单，在半导体晶圆衬底的高效超精密加工领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117182793A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311239319.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种金刚石磨盘及其制备方法，所述金刚石磨盘由盘体和打磨面组成，所述打磨面配置在盘体上，用于在旋转后对外部工作面实施平整打磨；所述盘体配置成由DLP光固化的3D打印方式制造出为多孔结构的多边形结块所构造成；多个所述多边形结块通过结合剂规则拼接而成呈环柱体的所述盘体；每一结块的内端面均匀分布有不同形状的孔隙，所述孔隙构造为一体形成在结块上，并通过各个孔隙相互协作配合形成所述打磨面；通过DLP光固化3D打印技术制造出金刚石磨盘，可根据设计要求制造出合适的孔隙率和孔径，使磨盘具有多孔结构，不受传统的模具限制，能够满足不同结块的设计需求，可根据需要调整孔隙率和孔径，提供更好的磨削效果。
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公开(公告)号：CN117181051A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311225849.4
申请日：2023-09-21
Applicant: 华侨大学
IPC: B01F27/90 , B01F33/501 , B01F101/23
Abstract: 本发明提供了一种用于砂轮原料的桌面级混料装置，涉及混料装置技术领域。包括底座、混料容器、搅拌机构以及控制件，所述底座用以支撑于桌面上；所述混料容器，设于所述底座的上方，所述混料容器的顶部设有开口，正对所述开口配置有可开合的盖体；所述搅拌机构包括设于所述混料容器内的搅拌器、用以驱使所述搅拌器转动的电机，所述搅拌器上设置有多个搅拌叶片，各所述搅拌叶片呈上下错位分布，且各所述搅拌叶片的顶面与搅拌器轴垂直，所述搅拌叶片的底面均呈圆弧形，用以减少对砂轮原料的剪切；所述控制件设于所述底座内部，并与所述电机相电连接，用以调控电机转速和搅拌时长。本申请结构简单，并设计为桌面级尺寸，便于实验室使用。
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公开(公告)号：CN115213811B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210852879.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 华侨大学
IPC: B24B37/34 , H01L21/306 , B24B1/00 , B24B37/04 , B24B37/30
Abstract: 本申请公开了一种用于光辅助化学机械抛光的载具以及抛光加工方法，载具包括光源底座、光源聚焦装置以及晶圆安装座；光源底座与晶圆安装座分别设置于光源聚焦装置的两端；光源底座用于安装在抛光机上，光源底座上安装有光源；光源聚焦装置包括防护罩、第一凸透镜以及第二凸透镜，第一凸透镜与第二凸透镜同轴间隔设置在防护罩内，防护罩内设置有驱动件，用于驱动第二凸透镜靠近或远离第一凸透镜运动；光源通过外部红外遥控开光控制其光照强度；晶圆安装座上设置有光强传感器，光强传感器用于将信号反馈至外部处理器，外部处理器将光照强度值显示在显示器上。本申请能够提高晶圆加工质量。
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公开(公告)号：CN115070629A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210856788.0
申请日：2022-07-20
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本申请公开了一种用于复杂曲面石材的抛光磨头制备方法以及抛光方法，抛光磨头的制备方法包括以下步骤：S1，选用两种金属棒，一种金属棒前端为圆柱型，另一种金属棒前端为球头型；两种金属棒前端均粘接一层橡胶层；S2，将高分子纤维布涂抹胶水，并将纤维布粘贴在带有橡胶层的金属棒前端，重复粘贴纤维布6‑10层，形成一个具有柔性基体的磨头；S3，将磨料混入海藻酸钠溶液中搅拌均匀，将柔性基体浸没在海藻酸钠溶液中，重复3‑5分钟后取出，海藻酸钠形成凝胶附着在柔性基体上；S4，将步骤S3中的柔性基体部位浸没于氯化钙溶液中固化2‑5h，取出后干燥24‑72h。本申请能够提高抛光质量和加工效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115042101A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210856862.9
申请日：2022-07-20
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种诱导工件摩擦化学反应的砂轮结块及其制备方法，其由如下质量百分比的组分均匀混合制成：砂轮用酚醛树脂35‑55％、硬质磨料35‑55％、聚酰胺1.5‑3.5％、白糊精1.5‑3.5％和海藻酸钠凝胶球5‑10％。本发明将遇水放热无机物当做一种能量源，将这些遇水放热无机物包裹在凝胶球中，在加工过程中随着凝胶球的破裂，这些遇水放热无机物溶于水而放出大量的热，促进磨削过程中的化学反应，使得碳化硅以及蓝宝石转变成更软的二氧化硅和AlO(OH)，磨粒能够更为轻松的对其进行去除，从而实现高效加工并获得拥有良好表面质量的衬底，同时也可以通过凝胶球实现对砂轮结块的造孔，提高结块的容屑空间，避免堵塞。
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公开(公告)号：CN116141214B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210934985.X
申请日：2022-08-04
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种可循环利用的混合磨料抛光膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将热塑性弹性体TPE加热至熔融状态，获得熔融态TPE；(2)将微米级硬质磨料与微米级稀土磨料混合均匀，制成混合磨料；(3)将混合磨料与熔融态TPE混合均匀；(4)将步骤(3)所得的物料进行挤出流延成型，即得所述混合磨料抛光膜。本发明制备的混合磨料抛光膜的应用范围广，普遍适用于陶瓷基材抛光、平坦石材表面抛光、半导体晶圆抛光以及大尺寸平面的精密加工，在有破损的情况下，可通过简单的加热至熔融状态后，再次经过挤出流延的方法再次成型，大大降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN115274478B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202210784511.1
申请日：2022-07-05
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种硬质磨料与衬底在纳米尺度下的界面化学反应的实现装置及其实现方法，包括液气模块、控温模块和主轴模块，液气模块用于在液气箱内存在不同的液气介质，控温模块包括加热装置和降温装置，主轴模块包括带有压力控制的标准纳米划痕装置、光学镜头、转换盘和运动装置，光学镜头用于寻找衬底上的划擦位置，标准纳米划痕装置用于在衬底上施加不同的载荷并划擦，转换盘用于将光学镜头与纳米划痕压头进行切换，控温模块用于控制不同的温度，实现在不同的温度、液气介质和/或载荷条件下纳米划痕压头在衬底表面低速划擦，有助于观察在不同介质作用下硬质磨料与衬底之间纳米尺度的界面化学反应，在半导体超精密加工领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117840824B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410263207.1
申请日：2024-03-08
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体晶圆表面的磨削方法，通过制备的带有导电层包覆的硬质磨粒的研磨盘，控制脉冲电源可使工件与研磨盘表层的导电磨粒间形成电火花放电通道，放电产生高温仅诱导半导体晶圆表层氧化而不产生裂纹，再由导电磨粒对应去除氧化层，显著提高大尺寸半导体晶圆的处理效率，获取无损伤半导体晶圆表面，结合磨粒放电和特制研磨盘，对半导体晶圆表面氧化层的高效去除，同时确保了磨削过程中的无损伤，在半导体制造中提供更高效、更可控的磨削工艺，且包覆有导电层的硬质磨粒所形成的导电磨粒，确保硬质磨粒可以直接获得导电特性，也可以有效避免硬质磨粒直接进行磨削操作，而是通过导电层与待磨削物进行缓冲接触。
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公开(公告)号：CN117817448A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410244827.0
申请日：2024-03-05
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种磨粒放电诱导去除绝缘晶圆表面的磨抛加工方法，通过制备的带有软质磨粒和金属颗粒的磨抛盘，并利用磁场将工作液中的金属粉末吸附到工件表面形成金属层，再通过控制脉冲电源，使金属层与磨抛盘表层的金属颗粒间形成电火花放电通道，放电产生高温仅诱导绝缘晶圆表层熔融变质而不产生裂纹，由软质磨粒去除变质层，显著提高大尺寸绝缘晶圆的加工效率，得到无损伤绝缘晶圆表面，实现绝缘晶圆的超精密加工，尤其是，在工件表面形成变质层以及金属层，通过至少两层防护于工件表面，达到更为快速的去除操作和更为有效的晶圆保护。
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