一种用于半导体晶圆表面的磨削方法

    公开(公告)号:CN117840824B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410263207.1

    申请日:2024-03-08

    申请人: 华侨大学

    IPC分类号: B24B1/00 B24D18/00 B24B7/22

    摘要: 本发明提供了一种用于半导体晶圆表面的磨削方法,通过制备的带有导电层包覆的硬质磨粒的研磨盘,控制脉冲电源可使工件与研磨盘表层的导电磨粒间形成电火花放电通道,放电产生高温仅诱导半导体晶圆表层氧化而不产生裂纹,再由导电磨粒对应去除氧化层,显著提高大尺寸半导体晶圆的处理效率,获取无损伤半导体晶圆表面,结合磨粒放电和特制研磨盘,对半导体晶圆表面氧化层的高效去除,同时确保了磨削过程中的无损伤,在半导体制造中提供更高效、更可控的磨削工艺,且包覆有导电层的硬质磨粒所形成的导电磨粒,确保硬质磨粒可以直接获得导电特性,也可以有效避免硬质磨粒直接进行磨削操作,而是通过导电层与待磨削物进行缓冲接触。

    一种磨粒放电诱导去除绝缘晶圆表面的磨抛加工方法

    公开(公告)号:CN117817448A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202410244827.0

    申请日:2024-03-05

    申请人: 华侨大学

    IPC分类号: B24B1/00 B24D18/00 B24B7/22

    摘要: 本发明提供了一种磨粒放电诱导去除绝缘晶圆表面的磨抛加工方法,通过制备的带有软质磨粒和金属颗粒的磨抛盘,并利用磁场将工作液中的金属粉末吸附到工件表面形成金属层,再通过控制脉冲电源,使金属层与磨抛盘表层的金属颗粒间形成电火花放电通道,放电产生高温仅诱导绝缘晶圆表层熔融变质而不产生裂纹,由软质磨粒去除变质层,显著提高大尺寸绝缘晶圆的加工效率,得到无损伤绝缘晶圆表面,实现绝缘晶圆的超精密加工,尤其是,在工件表面形成变质层以及金属层,通过至少两层防护于工件表面,达到更为快速的去除操作和更为有效的晶圆保护。

    一种磨粒放电诱导去除绝缘晶圆表面的磨抛加工方法

    公开(公告)号:CN117817448B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202410244827.0

    申请日:2024-03-05

    申请人: 华侨大学

    IPC分类号: B24B1/00 B24D18/00 B24B7/22

    摘要: 本发明提供了一种磨粒放电诱导去除绝缘晶圆表面的磨抛加工方法,通过制备的带有软质磨粒和金属颗粒的磨抛盘,并利用磁场将工作液中的金属粉末吸附到工件表面形成金属层,再通过控制脉冲电源,使金属层与磨抛盘表层的金属颗粒间形成电火花放电通道,放电产生高温仅诱导绝缘晶圆表层熔融变质而不产生裂纹,由软质磨粒去除变质层,显著提高大尺寸绝缘晶圆的加工效率,得到无损伤绝缘晶圆表面,实现绝缘晶圆的超精密加工,尤其是,在工件表面形成变质层以及金属层,通过至少两层防护于工件表面,达到更为快速的去除操作和更为有效的晶圆保护。

    一种基于磨粒放电诱导去除半导体晶圆表面的抛光方法

    公开(公告)号:CN117961656A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410248104.8

    申请日:2024-03-05

    申请人: 华侨大学

    IPC分类号: B24B1/00 B24D18/00 B24B7/22

    摘要: 本发明提供了一种基于磨粒放电诱导去除半导体晶圆表面的抛光方法,通过制备的带有软质磨粒和金属颗粒的抛光垫,控制脉冲电源可使工件与抛光垫表层的金属颗粒间形成电火花放电通道,放电产生高温仅诱导半导体晶圆表层氧化而不产生裂纹,再由软质磨粒对应去除氧化层,显著提高大尺寸半导体晶圆的抛光效率,获取无损伤半导体晶圆表面,实现半导体晶圆的超精密加工,结合磨粒放电和特制抛光垫,对半导体晶圆表面氧化层的高效去除,同时确保了抛光过程中的无损伤,在半导体制造中提供更高效、更可控的抛光工艺。

    一种用于电化学机械抛光的工具制备方法及抛光工具

    公开(公告)号:CN118186563A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410309397.6

    申请日:2024-03-19

    申请人: 华侨大学

    IPC分类号: C25F3/30 C25F7/00

    摘要: 本发明提供了一种用于电化学机械抛光的工具制备方法及抛光工具,其制备方法通过在抛光工具的配方中添加导电填料,使得抛光工具存在联结的导电网络,因而抛光工具可以在电场作用下实现对半导体晶圆的电化学机械抛光,并且由于加工工具的导电性,材料去除率大大提高,同时抛光液可以使用绿色无污染的水或氯化钠溶液去除磨削的材料;通过该种方法制备的抛光工具可以提高材料去除率,获得较好的表面质量。

    一种用于半导体晶圆表面的磨削方法

    公开(公告)号:CN117840824A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202410263207.1

    申请日:2024-03-08

    申请人: 华侨大学

    IPC分类号: B24B1/00 B24D18/00 B24B7/22

    摘要: 本发明提供了一种用于半导体晶圆表面的磨削方法,通过制备的带有导电层包覆的硬质磨粒的研磨盘,控制脉冲电源可使工件与研磨盘表层的导电磨粒间形成电火花放电通道,放电产生高温仅诱导半导体晶圆表层氧化而不产生裂纹,再由导电磨粒对应去除氧化层,显著提高大尺寸半导体晶圆的处理效率,获取无损伤半导体晶圆表面,结合磨粒放电和特制研磨盘,对半导体晶圆表面氧化层的高效去除,同时确保了磨削过程中的无损伤,在半导体制造中提供更高效、更可控的磨削工艺,且包覆有导电层的硬质磨粒所形成的导电磨粒,确保硬质磨粒可以直接获得导电特性,也可以有效避免硬质磨粒直接进行磨削操作,而是通过导电层与待磨削物进行缓冲接触。