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公开(公告)号：CN116141214B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210934985.X
申请日：2022-08-04
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种可循环利用的混合磨料抛光膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将热塑性弹性体TPE加热至熔融状态，获得熔融态TPE；(2)将微米级硬质磨料与微米级稀土磨料混合均匀，制成混合磨料；(3)将混合磨料与熔融态TPE混合均匀；(4)将步骤(3)所得的物料进行挤出流延成型，即得所述混合磨料抛光膜。本发明制备的混合磨料抛光膜的应用范围广，普遍适用于陶瓷基材抛光、平坦石材表面抛光、半导体晶圆抛光以及大尺寸平面的精密加工，在有破损的情况下，可通过简单的加热至熔融状态后，再次经过挤出流延的方法再次成型，大大降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN117381633A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311319622.6
申请日：2023-10-12
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明属于半导体抛光技术领域，具体涉及一种宽禁带半导体晶圆抛光方法，其包括：将柔性固结磨料抛光膜安装抛光盘上，将宽禁带半导体晶圆设置在柔性固结磨料抛光膜表面，并在宽禁带半导体晶圆上方设置载物盘；向载物盘施加载荷，使宽禁带半导体晶圆与柔性固结磨料抛光膜产生挤压接触，驱动所述抛光盘转动，以使柔性固结磨料抛光膜与宽禁带半导体晶圆在不同旋转速度下产生相对运动；在柔性固结磨料抛光膜表面加入两性离子化合物溶液作为抛光液，抛光液在所述磨粒的摩擦诱导下与宽禁带半导体晶圆产生界面化学反应，生成硬度较低的反应层；通过磨粒去除反应层，实现宽禁带半导体晶圆的抛光。本发明具有加工精度高、效率高、成本低等特点。
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公开(公告)号：CN115213811B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210852879.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 华侨大学
IPC: B24B37/34 , H01L21/306 , B24B1/00 , B24B37/04 , B24B37/30
Abstract: 本申请公开了一种用于光辅助化学机械抛光的载具以及抛光加工方法，载具包括光源底座、光源聚焦装置以及晶圆安装座；光源底座与晶圆安装座分别设置于光源聚焦装置的两端；光源底座用于安装在抛光机上，光源底座上安装有光源；光源聚焦装置包括防护罩、第一凸透镜以及第二凸透镜，第一凸透镜与第二凸透镜同轴间隔设置在防护罩内，防护罩内设置有驱动件，用于驱动第二凸透镜靠近或远离第一凸透镜运动；光源通过外部红外遥控开光控制其光照强度；晶圆安装座上设置有光强传感器，光强传感器用于将信号反馈至外部处理器，外部处理器将光照强度值显示在显示器上。本申请能够提高晶圆加工质量。
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公开(公告)号：CN117532492A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311542005.2
申请日：2023-11-17
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明属于半导体抛光技术领域，具体涉及一种用于二维材料高取向生长的蓝宝石衬底的加工方法，其包括：将C向[0001]单晶蓝宝石衬底安装于倾角加工设备，加工出具有C轴偏A轴方向或C轴偏M轴方向的单晶蓝宝石衬底；将单晶蓝宝石衬底和柔性抛光垫分别安装在抛光设备上，并加入多羟基官能团化合物和去离子水作为抛光液；柔性抛光垫表面设置有带电磨粒；设置抛光设备的载荷及转速，使单晶蓝宝石衬底与柔性抛光垫发生相对摩擦，单晶蓝宝石衬底与抛光液中的多羟基官能团化合物在带电磨粒摩擦诱导下生成硬度较低的摩擦反应层；通过带有回弹效果的带电磨粒的机械作用将反应层均匀去除。本发明能极大提高单晶蓝宝石衬底原子台阶加工效率。
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公开(公告)号：CN116634855A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310537399.6
申请日：2023-05-12
Applicant: 华侨大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明提供了一种单极性横向忆阻器及其制备方法，单极性横向忆阻器包括：基板层；阻变功能层，设置在所述基板层上；所述阻变功能层采用1T′相多晶二维二硫化铼制成；金属电极层，设置在所述阻变功能层上。本发明通过化学气相沉积工艺手段制备可控的1T′相多晶二维二硫化铼层，可实现高开关比、稳定性强的单极性横向忆阻器，丰富了二维材料忆阻器的种类，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，对高集成度、多功能化非易失存储和逻辑运算领域的发展具有很大的推动作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116141215B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210935317.9
申请日：2022-08-04
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种含稀土化合物的软胶抛光垫的制备方法，选取涤纶制的网状结构进行骨架支撑，使得加工时长可以等到足够的保障，并且本发明可采用多层结构设计，使得在金刚石磨抛加工过程初期得到更高的材料去除率的同时，也能在后续的磨抛加工过程中得到更好的表面质量；采用镀钛金刚石磨粒/镀铁金刚石磨粒，不仅仅可以提升抛光垫基体对金刚石磨粒的把持力，同时还可以参与金刚石石墨化反应；La0.6Sr0.4Co3粉在金刚石磨抛加工过程中，对金刚石石墨化起到类似催化剂的作用，使得加工效率更好，同时也可以对抛光垫进行优化作用。
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公开(公告)号：CN116141214A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210934985.X
申请日：2022-08-04
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种可循环利用的混合磨料抛光膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将热塑性弹性体TPE加热至熔融状态，获得熔融态TPE；(2)将微米级硬质磨料与微米级稀土磨料混合均匀，制成混合磨料；(3)将混合磨料与熔融态TPE混合均匀；(4)将步骤(3)所得的物料进行挤出流延成型，即得所述混合磨料抛光膜。本发明制备的混合磨料抛光膜的应用范围广，普遍适用于陶瓷基材抛光、平坦石材表面抛光、半导体晶圆抛光以及大尺寸平面的精密加工，在有破损的情况下，可通过简单的加热至熔融状态后，再次经过挤出流延的方法再次成型，大大降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN115799144A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211634022.4
申请日：2022-12-19
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体倾角可控的贴片加工装置，包括底板，还包括：贴片机构、液压机构、测量机构、固定及调节机构，其中，所述底板上固定设置有贴片机构，所述贴片结构包括固定在底板上方的下板和上板，所述下板和上板之间设置有双曲柄机构，且所述上板上设置有适于放置贴片加工台；所述固定及调节机构设置于所述下板上，且连接至所述双曲柄机构所述液压机构设置于所述加工台上方。本发明还提供了一种贴片加工方法。通过本发明方案，使得该贴片加工装置的结构简单稳定，可操作性、可维护性高。
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公开(公告)号：CN116141215A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210935317.9
申请日：2022-08-04
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种含稀土化合物的软胶抛光垫的制备方法，选取涤纶制的网状结构进行骨架支撑，使得加工时长可以等到足够的保障，并且本发明可采用多层结构设计，使得在金刚石磨抛加工过程初期得到更高的材料去除率的同时，也能在后续的磨抛加工过程中得到更好的表面质量；采用镀钛金刚石磨粒/镀铁金刚石磨粒，不仅仅可以提升抛光垫基体对金刚石磨粒的把持力，同时还可以参与金刚石石墨化反应；La0.6Sr0.4Co3粉在金刚石磨抛加工过程中，对金刚石石墨化起到类似催化剂的作用，使得加工效率更好，同时也可以对抛光垫进行优化作用。
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公开(公告)号：CN115213811A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210852879.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 华侨大学
IPC: B24B37/34 , H01L21/306 , B24B1/00 , B24B37/04 , B24B37/30
Abstract: 本申请公开了一种用于光辅助化学机械抛光的载具以及抛光加工方法，载具包括光源底座、光源聚焦装置以及晶圆安装座；光源底座与晶圆安装座分别设置于光源聚焦装置的两端；光源底座用于安装在抛光机上，光源底座上安装有光源；光源聚焦装置包括防护罩、第一凸透镜以及第二凸透镜，第一凸透镜与第二凸透镜同轴间隔设置在防护罩内，防护罩内设置有驱动件，用于驱动第二凸透镜靠近或远离第一凸透镜运动；光源通过外部红外遥控开光控制其光照强度；晶圆安装座上设置有光强传感器，光强传感器用于将信号反馈至外部处理器，外部处理器将光照强度值显示在显示器上。本申请能够提高晶圆加工质量。
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