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公开(公告)号:CN117381633A
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202311319622.6
申请日:2023-10-12
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明属于半导体抛光技术领域,具体涉及一种宽禁带半导体晶圆抛光方法,其包括:将柔性固结磨料抛光膜安装抛光盘上,将宽禁带半导体晶圆设置在柔性固结磨料抛光膜表面,并在宽禁带半导体晶圆上方设置载物盘;向载物盘施加载荷,使宽禁带半导体晶圆与柔性固结磨料抛光膜产生挤压接触,驱动所述抛光盘转动,以使柔性固结磨料抛光膜与宽禁带半导体晶圆在不同旋转速度下产生相对运动;在柔性固结磨料抛光膜表面加入两性离子化合物溶液作为抛光液,抛光液在所述磨粒的摩擦诱导下与宽禁带半导体晶圆产生界面化学反应,生成硬度较低的反应层;通过磨粒去除反应层,实现宽禁带半导体晶圆的抛光。本发明具有加工精度高、效率高、成本低等特点。
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公开(公告)号:CN115799144A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202211634022.4
申请日:2022-12-19
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体倾角可控的贴片加工装置,包括底板,还包括:贴片机构、液压机构、测量机构、固定及调节机构,其中,所述底板上固定设置有贴片机构,所述贴片结构包括固定在底板上方的下板和上板,所述下板和上板之间设置有双曲柄机构,且所述上板上设置有适于放置贴片加工台;所述固定及调节机构设置于所述下板上,且连接至所述双曲柄机构所述液压机构设置于所述加工台上方。本发明还提供了一种贴片加工方法。通过本发明方案,使得该贴片加工装置的结构简单稳定,可操作性、可维护性高。
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公开(公告)号:CN117532492A
公开(公告)日:2024-02-09
申请号:CN202311542005.2
申请日:2023-11-17
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明属于半导体抛光技术领域,具体涉及一种用于二维材料高取向生长的蓝宝石衬底的加工方法,其包括:将C向[0001]单晶蓝宝石衬底安装于倾角加工设备,加工出具有C轴偏A轴方向或C轴偏M轴方向的单晶蓝宝石衬底;将单晶蓝宝石衬底和柔性抛光垫分别安装在抛光设备上,并加入多羟基官能团化合物和去离子水作为抛光液;柔性抛光垫表面设置有带电磨粒;设置抛光设备的载荷及转速,使单晶蓝宝石衬底与柔性抛光垫发生相对摩擦,单晶蓝宝石衬底与抛光液中的多羟基官能团化合物在带电磨粒摩擦诱导下生成硬度较低的摩擦反应层;通过带有回弹效果的带电磨粒的机械作用将反应层均匀去除。本发明能极大提高单晶蓝宝石衬底原子台阶加工效率。
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公开(公告)号:CN116634855A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202310537399.6
申请日:2023-05-12
Applicant: 华侨大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明提供了一种单极性横向忆阻器及其制备方法,单极性横向忆阻器包括:基板层;阻变功能层,设置在所述基板层上;所述阻变功能层采用1T′相多晶二维二硫化铼制成;金属电极层,设置在所述阻变功能层上。本发明通过化学气相沉积工艺手段制备可控的1T′相多晶二维二硫化铼层,可实现高开关比、稳定性强的单极性横向忆阻器,丰富了二维材料忆阻器的种类,并且与传统硅基CMOS工艺兼容,对高集成度、多功能化非易失存储和逻辑运算领域的发展具有很大的推动作用。
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