本发明提供了一种碳化硅晶体抛光方法，包括以下步骤：S1、将电解液配置；S2、对粗抛光碳化硅晶体投入配置电解液中，并将碳化硅晶体电化学氧化；所述电化学氧化碳化硅晶体后，其表面的SiC转化为SiO2，并生成钝化层；S3、基于电化学氧化后碳化硅晶体，对其在电解液中进行半精抛光；S4、对半精抛光后碳化硅晶体，更换磨料进而二次精抛光。本发明具有如下的有益效果：通过电解液NaNO3的选择，对碳化晶体氧化速率有着提升，由此间接提高了碳化晶体的抛光效率；利用电化学氧化作用和磨粒抛光机械作用耦合的方式将碳化晶体抛光，相较于其他抛光设备而言，有效的节约时间成本和金钱成本的投入。