公开(公告)号：CN102646685B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210110904.0

申请日：2001-12-11

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  小山润 ,  桑原秀明 ,  藤川最史

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L27/1222 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  H01L27/124 ,  H01L27/156 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66765

摘要： 本发明的名称是半导体设备及其制造方法。本发明提供了一种半导体设备及其制造方法。按照本发明的一个方面，半导体设备包括：在一个衬底上的象素部分，包括至少一个第一n沟道型薄膜晶体管和至少一个电镀的源布线，该n沟道型薄膜晶体管包括在一个绝缘表面上的一个半导体层，在该半导体层上的一个绝缘薄膜和在该绝缘薄膜上的一个栅极；一个在该衬底上的驱动电路，包括至少第二和第三n沟道薄膜晶体管；一个在该衬底上的电镀的端子部分。

公开(公告)号：CN104538354A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410856610.1

申请日：2014-12-31

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 杨祖有

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L27/1296 ,  G02F1/1333 ,  G02F2001/13625 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/06 ,  H01L29/6675

摘要： 本发明公开了一种LTPS TFT像素单元及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供一基板，并在基板上形成一缓冲层；在缓冲层上形成半导体图案层和第一绝缘层，半导体图案层与第一绝缘层同层设置且半导体图案层的高度和第一绝缘层的高度相等。通过上述方式，本发明可以减小LTPS TFT像素单元的侧效应，并可以提高其电性。

公开(公告)号：CN104538307A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410796421.X

申请日：2014-12-19

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 虞晓江

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/266 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L29/78609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/32155 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/66492 ,  H01L21/027 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/6675

摘要： 本发明公开了一种用于制作多晶硅薄膜晶体管的方法，包括：在预制基底上形成半导体材料层；在半导体材料层上形成中间层；在中间层上涂布光阻材料形成光阻层，并用光罩对光阻层进行第一次曝光；按一预定方向相对于光罩移动具有第一次曝光处理后的光阻层的预制基底，并采用光罩对所述光阻层进行第二次曝光；去除光阻层上受到曝光的光阻材料，以在光阻层上形成光阻区和镂空区，其中，光阻区包括中心部和翼部，镂空区不包含光阻材料；在半导体材料层中形成对应于翼部的离子轻掺杂区，以及对应于镂空区的用于形成源漏极的离子重掺杂区。本发明可以在制作LTPS面板时，减少面板的制作工序并能降低面板的生产成本。

公开(公告)号：CN104485278A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410770410.4

申请日：2014-12-12

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 薛景峰 ,  陈归 ,  郝思坤 ,  张鑫

IPC分类号： H01L21/22

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G03F1/50 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/32 ,  H01L21/223 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L21/22 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1214 ,  H01L2021/775

摘要： 本发明公开了一种阵列基板的掺杂方法及掺杂设备，其方法包括提供定义有待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区的基板；通过光刻工艺在基板上形成光阻层，该光阻层对应待重掺杂区形成第一光阻部，对应待轻掺杂区形成第二光阻部，对应待掺杂沟道区形成第三光阻部，第一光阻部比第二光阻部薄，第二光阻部比第三光阻部薄；经光阻层对待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区进行一次掺杂，以一次形成分别与待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区对应的重掺杂区、轻掺杂区和沟道区。通过上述方式，本发明能够实现对基板的沟道区、重掺杂区以及轻掺杂区的一次掺杂，简化工艺，降低成本。

公开(公告)号：CN104282769A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410473273.8

申请日：2014-09-16

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 龙春平 ,  王祖强

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L27/1244 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78672 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/6675

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的低温多晶硅阵列基板制备工艺较为复杂的问题。本发明的薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、栅极绝缘层、有源层、钝化层；其中，栅极、源极、漏极同层设置，且材料相同；栅极绝缘层设于栅极上方，有源层设置于栅极绝缘层上方，且栅极绝缘层、栅极、有源层三者图案相同；钝化层覆盖所述源极、漏极、有源层，钝化层中设有与源极位置对应的第一过孔、与漏极位置对应的第二过孔，与有源层位置所对应的第三过孔和第四过孔；第一电极连接线通过第一过孔和第三过孔将源极与所述有源层连接，第二电极连接线通过第二过孔和第四过孔将漏极与有源层连接。

公开(公告)号：CN103681776A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310722877.7

申请日：2013-12-24

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 张慧娟

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/78672

摘要： 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示装置，用于解决采用现有的ELC技术制备的多晶硅薄膜均匀性较差的问题。本发明提供的制备方法包括：在基板上形成缓冲层；通过构图工艺，在基板的缓冲层上形成非晶硅层，该非晶硅层包括多个凸起结构以及位于该多个凸起结构四周的部分被刻蚀掉的刻蚀区域；以及对非晶硅层进行准分子激光晶化，得到低温多晶硅薄膜。本发明实施例中，由于形成的非晶硅层中包括多个凸起结构，该些凸起结构在后续晶化过程中作为形核中心，能够均匀形核，从而保证了多晶硅晶粒的均匀分布，增大了晶粒的尺寸。

公开(公告)号：CN103472646A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310388775.6

申请日：2013-08-30

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 孙建 ,  李成 ,  安星俊 ,  柳奉烈

IPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/1333

CPC分类号： H01L27/1222 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L21/28 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78621

摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法和显示装置，用以解决现有技术中工艺复杂、成本高、耗时长的问题，同时达到增大存储电容的目的，所述阵列基板上的数据线和公共电极线同层设置在衬底基板上，且位于有源层下方，数据线和共电极线相隔设置，公共电极上设置有连接区，连接区在正投影方向上至少部分与公共电极线重叠，公共电极与公共电极线通过连接区与公共电极线之间的第一过孔实现电连接。

公开(公告)号：CN103219392A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310123873.7

申请日：2013-04-10

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 孟庆超 ,  罗强强

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L29/78642 ,  H01L27/124 ,  H01L29/167 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7866 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、制备方法以及显示装置。一种薄膜晶体管，包括基板以及设置于所述基板上的栅极层、源极层、漏极层，所述源极层与所述漏极层设置在不同的层上且所述漏极层与所述栅极层同层设置。采用该薄膜晶体管的阵列基板，由于源极与漏极之间能完全阻断，从而保证源极与漏极之间不会出现桥连现象，提高了显示装置的产品质量。

公开(公告)号：CN102881655A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210385263.X

申请日：2012-10-12

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 黄国有 ,  张玮伦 ,  陈茂松

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78654 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78663

摘要： 一种画素结构及画素结构的制作方法。首先于电极上形成绝缘层、平坦层，平坦层具第一开口，暴露电极上的绝缘层。于平坦层上形成导电层，且导电层填入第一开口中。形成图案化光阻层，具蚀刻开口，暴露出电极上方的导电层。以图案化光阻层为罩幕，对导电层进行湿式蚀刻制程，经蚀刻开口移除电极上的导电层，并侧向蚀刻图案化光阻层下的导电层，以形成具第二开口的图案化导电层，第二开口位于第一开口内，暴露出电极上方的绝缘层。以图案化光阻层为罩幕，对绝缘层进行干式蚀刻制程，经蚀刻开口移除电极上方的绝缘层，以形成具暴露出电极的第三开口的图案化绝缘层，第三开口小于第二开口且自行对准于第二开口。

公开(公告)号：CN101383290B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200810215715.3

申请日：2008-09-02

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  石塚章广

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L33/0058 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种漏电流小且可靠性高的半导体装置的制造方法。在薄膜晶体管的制造方法中，通过利用抗蚀掩模进行蚀刻来在薄膜晶体管中形成背沟道部，通过去掉该抗蚀掩模并蚀刻所述背沟道部的一部分，去掉残存于背沟道部上的蚀刻残渣等，由此可以降低产生的漏电流。当进一步蚀刻背沟道部时，可以以无偏向的干法蚀刻来进行。