公开(公告)号：CN101317269B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680039314.6

申请日：2006-10-14

申请人： ATMEL杜伊斯堡有限责任公司

发明人： S·拉伊 ,  R·滕佩尔

IPC分类号： H01L27/08 ,  H01L23/522 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01F27/40 ,  H01F2017/0046 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0611 ,  H01L27/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及可单片集成的电路装置(100)，其具有：构造为被差动馈给的线圈的第一电路组件，该第一电路组件具有至少一个围绕内区域(115)的导体环(110a，110b)；并且具有至少一个另外的电路组件(120，121)。按照本发明，该电路装置(100)的所述另外的电路组件(120，121)设置在该内区域(115)中。

公开(公告)号：CN100576508C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200410057877.0

申请日：2004-08-20

申请人： 夏普株式会社

发明人： 逸见卓也

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L23/58 ,  H01L27/04 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L23/57 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/552 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/13091

摘要： 在具有用与半导体衬底(4)和层间绝缘膜(7)中的至少某一方的热膨胀系数不同的材料形成的屏蔽膜(1)的半导体集成电路(100)中，屏蔽膜(1)具有屏蔽部(9)和开口部(12)，此外，被屏蔽部(9)包围了其周围的独立开口部(12a)和被开口部(12)包围了其周围的独立屏蔽部(11)中的至少某一方存在多个，分散配置在芯片的整个表面上。或者，在通过屏蔽屏蔽部(9)内的电路元件(21)和电路布线(16)的部分的与上述半导体衬底(4)的表面(4a)平行的任意的直线上开口部(12)存在多个。

公开(公告)号：CN101593745A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910000930.6

申请日：2009-01-22

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 李东兴 ,  张添昌 ,  钟元鸿

IPC分类号： H01L23/552

CPC分类号： H01L23/5225 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种用于集成电路的封环结构，所述用于集成电路的封环结构包含：封环，沿集成电路的周边排列，其中封环至少包含第一部分和第二部分，以及其中第二部分位于模拟和/或射频电路块的外侧，且第二部分屏蔽模拟和/或射频电路块免受噪声影响；以及深N阱，形成于P型衬底中，且深N阱位于第二部分的底部。利用本发明可以降低衬底噪声耦合，消除对敏感模拟和/或射频电路块的性能的不利影响。

公开(公告)号：CN101461060A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020220.9

申请日：2007-06-01

申请人： 肯奈特公司

发明人： 麦可·P.·安东尼

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明揭示一种指状叉合的金属－绝缘体－金属(MIM)电容器，其提供自屏蔽作用以及具有小额电容数值的精确电容比例。该MIM电容器包含两个终端，它们是延伸至通过一绝缘体来分离的多个指状叉合的指状部。金属平板占据该指状部上方与下方的层并且连接至其中一个终端的指状部。因此，该MIM电容器对一个终端提供自屏蔽作用。通过与该电容器隔离的一系列额外屏蔽层便可运用额外的屏蔽作用。该自屏蔽作用与该额外屏蔽作用亦可实施在一MIM电容器数组处。

公开(公告)号：CN101142639A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200680008394.9

申请日：2006-02-10

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 戴维·格伦 ,  乌尔里希·R.·菲弗尔 ,  本尼·辛曼 ,  什罗莫·什拉弗曼

IPC分类号： H01F5/00 ,  H01F27/28 ,  H01L21/20 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/645 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H03F3/26 ,  H03F3/45089 ,  H03F3/602 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了用于具有建立用于毫米波应用的小型、通用且可缩放的体系结构的集成电路变压器器件的方法。例如，集成电路变压器(22)形成在半导体衬底(21)上并且包括：形成在衬底(21)上的接地屏蔽(23)、包括细长导电条带的初级导体(24)以及包括细长导电条带的次级导体(25)。初级导体(24)和次级导体(25)对齐以形成被设置为邻近接地屏蔽(23)的耦合导线结构。接地屏蔽(23)包括末端封闭的平行细长槽(23a)和平行导电条带(23b)的图案，平行导电条带(23b)沿着接地屏蔽(23)的边缘区域(23c)在末端部分共同连接。槽(23a)和条带(23b)设置为与初级导体(24)和次级导体(25)正交。边缘区域(23c)提供与初级(24)和次级导体(25)共线的电流返回路径。该集成电路变压器(22)可以用作模板或构件块，该模板或构件块以长度为参数，用于构造各种集成电路器件和模块结构，包括但不限于功率放大器、n:1阻抗变压器以及功率合成器电路。

公开(公告)号：CN101071804A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710096957.0

申请日：2007-04-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟 ,  张智援 ,  叶子祯 ,  卓秀英 ,  张克正 ,  杨光磊

IPC分类号： H01L23/552

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0219 ,  H05K1/0298 ,  H05K2201/09236 ,  H05K2201/09618 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明是有关于一种半导体结构，包含了位于基板之上的第一屏蔽线与第二屏蔽线，此第一屏蔽线与第二屏蔽线连接于第一电压。在第一屏蔽线与第二屏蔽线间具有导线，此导线连结到第二电压。第一屏蔽层位于基材上，且通过第一导体分别连接第一屏蔽线与第二屏蔽线，以围绕导线，借此产生屏蔽的效果。

公开(公告)号：CN101042927A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710091645.0

申请日：2002-11-20

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 广濑雅庸 ,  饭田真久 ,  大田清人

IPC分类号： G11C7/18 ,  H01L27/108 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10882 ,  G11C7/02 ,  G11C7/18 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体记忆装置，包括放大互补位线对的电压差的读出放大电路；构成上述读出放大电路的P沟道型或者N沟道型的配对晶体管的两个栅电极在同一活性区域中相互平行形成；上述两个栅电极的栅长被设定为上述活性区域的两端部分比中央部分长。

公开(公告)号：CN1941369A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610139868.5

申请日：2006-09-21

申请人： 英飞凌科技股份公司

发明人： M·胡梅尔 ,  H·科内尔 ,  M·许魏尔德 ,  M·席克

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/60 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： 说明一种特别是包含至少三个导电结构层的集成电路装置(210)，在所述每个导电结构层中都配置加长的互连。因为省略了通常使用的通道层因此产生了许多技术效果以及新颖的应用可能，特别是具有高品质因子的线圈(221)。

公开(公告)号：CN1858909A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200510104805.1

申请日：2005-09-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟 ,  陈学忠

IPC分类号： H01L27/04

CPC分类号： H01L23/5225 ,  H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种集成电路结构，用以防止集成电路中的耦合噪声，包括：耦接于接地信号的封环包括多个金属线，每一金属线分别对应每一金属层且环绕其晶片的电路区；电性连接各金属线的多个穿孔；以及隔绝各金属层于其他金属层之外的多个介电层。封环可能额外包括由封环内部或外部所形成的封环。半导体结构可能包括激光熔丝及保护环。保护环以耦接于接地信号为佳。通过在子电路间形成封环延伸物可降低在晶片中介于子电路间的串音。

公开(公告)号：CN1819167A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610000320.2

申请日：2006-01-04

申请人： 国际商业机器公司

发明人： B·A·弗洛伊德 ,  U·R·法伊弗 ,  S·K·雷诺兹

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/522 ,  H01L23/64 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC分类号： H05K1/111 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19051 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01P5/02 ,  H05K1/0237 ,  H05K2201/0723 ,  H05K2201/0792 ,  H05K2201/09781 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明提供了屏蔽的电路焊盘，其中通过包括分路传输线分支消除了寄生电容，分路传输线分支减小了毫米波应用中的衬底感应损耗。电路焊盘位于衬底上，屏蔽件位于电路焊盘下，以及分路传输线分支连接到电路焊盘。由此，获得用于毫米波应用的受控阻抗。然后最小化了电路焊盘和屏蔽件之间的间隔。