公开(公告)号：CN114068300A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110023472.9

申请日：2021-01-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄景弘 ,  张庆裕 ,  赖韦翰

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  C09D125/18 ,  C09D133/04 ,  C09D133/12 ,  C09D7/63 ,  C09D7/65

Abstract: 一种制造半导体元件的方法包括在半导体基板上形成包含旋涂碳合成物的旋涂碳层。首先在第一温度下加热该旋涂碳层，以部分交联该旋涂碳层。在第二温度下对旋涂碳层进行第二加热，以进一步交联该旋涂碳层。在旋涂碳上层上形成一层覆盖层。第二温度高于第一温度。

公开(公告)号：CN108227392B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201710827508.2

申请日：2017-09-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  郑雅如 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/82

Abstract: 根据一些实施例，本发明提供一种微影图案化的方法。该方法包括：形成光阻层于基底上方，其中光阻层包括含金属化学品；对光阻层实行曝光工艺；及使用第一显影剂对光阻层实行第一显影工艺，从而形成图案化光阻层，其中第一显影剂包括第一溶剂及化学添加剂，以移除由含金属化学品所产生的金属残余物。

公开(公告)号：CN113314402A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110214175.2

申请日：2021-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦豪 ,  赖韦翰 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027

Abstract: 制造半导体装置的方法包含在基板上形成包含光阻剂组成物的光阻层。光阻剂组成物包含光活性化合物、聚合物与交联剂。聚合物具有结构：交联剂包含从以下选出的结构：‑B1‑OH、‑B2‑ORa、‑B3‑NH2、‑B4‑NR2与A1、A2、A3、B1、B2、B3、B4与D各自为C1至C30的芳基、烷基、环烷基、羟烷基、烷氧基、烷氧基烷基、乙酰基、乙酰基烷基、羧基、烷基羧基、环烷基羧基、碳氢环、杂环基、链、环、立体结构；R1、R2与Ra为C4至C15的链、环、立体结构的的烷基、环烷基、羟烷基、烷氧基或烷氧基烷基，聚合物中的x、y与z比例为0≤x/(x+y+z)≤1、0≤y/(x+y+z)≤1且0≤z/(x+y+z)≤1，且在同一个聚合物中，x、y与z皆不为0。

公开(公告)号：CN113126424A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011611914.3

申请日：2020-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何俊智 ,  林进祥 ,  张庆裕

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/56 ,  G03F1/76 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 一种制造半导体元件的方法包括在半导体基板上方形成光阻底层。光阻底层包括具有光可裂解官能基的聚合物。在光阻底层上方形成光阻层。选择性地曝光光阻层于光化辐射，以及显影经选择性曝光的光阻层以形成光阻图案。

公开(公告)号：CN112864002A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202010788008.4

申请日：2020-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦豪 ,  赖韦翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

Abstract: 本文揭示一种制造半导体元件的方法。方法包括在基板的经图案化表面上形成第一平坦化材料的第一层，在第一平坦化层上形成第二平坦化材料的第二层，交联第一平坦化材料的一部分及第二平坦化材料的一部分，并移除第二平坦化材料中未经交联的一部分。在一实施例中，方法进一步包括在移除第二平坦化材料中未经交联的部分之后，在第二平坦化材料上形成第三平坦化材料的第三层。第三平坦化材料可包括底部抗反射涂膜或旋涂碳，及酸或酸产生剂。第一平坦化材料可包括旋涂碳及酸、热酸产生剂或光酸产生剂。

公开(公告)号：CN112445070A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010476943.7

申请日：2020-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  刘朕与 ,  张庆裕

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  C07F1/10 ,  C07F3/00 ,  C07F5/00 ,  C07F7/22 ,  C07F9/90

Abstract: 本公开涉及具有低活化能配体或高显影剂溶解性配体的EUV光致抗蚀剂。一种光致抗蚀剂，包括含有金属的核心基团，以及附着至该核心基团的一个或多个第一配体或一个或多个第二配体。第一配体各自具有以下结构： 第二配体各自具有以下结构： 表示核心基团。L’表示包括被氢(H)或氟(F)饱和的0～2个碳原子的化学物质。L表示包括被H或F饱和的1～6个碳原子的化学物质。L”表示包括被H饱和的1～6个碳原子的化学物质。L”’表示包括被H或F饱和的1～6个碳原子的化学物质。链接基表示将L”和L”’链接在一起的化学物质。

公开(公告)号：CN111752093A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010221722.5

申请日：2020-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  訾安仁 ,  张庆裕 ,  林进祥 ,  刘朕与

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 在此提供一种用于形成半导体装置结构的方法。此方法包括形成材料层于基板之上，且形成光致抗蚀剂层于材料层之上。光致抗蚀剂层包括无机材料及辅助剂。无机材料包括多个金属核及多个第一连结基团，且第一连结基团键结至金属核。此方法包括曝光光致抗蚀剂层的一部分。光致抗蚀剂层包括曝光区域及未曝光区域。在曝光区域中，辅助剂与第一连结基团进行反应。此方法包括使用显影剂移除光致抗蚀剂层的未曝光区域，以形成经过图案化的光致抗蚀剂层。显影剂包括具有式(a)的基于酮的溶剂、或具有式(b)的基于酯的溶剂。

公开(公告)号：CN110955112A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910926287.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘朕与 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/16

Abstract: 一种光阻组成物及形成光阻图案的方法。形成光阻图案的方法包括：形成上方层于基板上的光阻层上方，上方层包含漂浮添加物聚合物；选择性曝光光阻层至光化辐射；显影光阻层，以在光阻层中形成图案；以及移除上方层。漂浮添加物聚合物为硅氧烷聚合物。

公开(公告)号：CN110828303A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910450703.7

申请日：2019-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王建惟 ,  郑雅如 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768

Abstract: 一种集成电路制造方法，包括在基板上形成含金属材料层、图案化含金属材料层，其中图案化的含金属材料层具有平均粗糙度、以及电化学处理图案化的含金属材料层以降低平均粗糙度。可以通过将图案化的含金属材料层暴露于导电溶液，并且在图案化的含金属材料层与暴露于溶液的相对电极之间施加电位来实施处理，使得处理降低了图案化的含金属材料层的平均粗糙度。导电溶液可包括溶解在水、醇及/或表面活性剂中的离子化合物。

公开(公告)号：CN110824845A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910743530.8

申请日：2019-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏煜中 ,  罗冠昕 ,  郑雅如 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/16

Abstract: 本公开提供一种半导体制程，其包括提供光阻溶液，光阻溶液中含有具有第一体积的第一溶剂和具有第二体积的第二溶剂，其中第一溶剂不同于第二溶剂，且第一体积小于第二体积。涂布光阻溶液于基板上以形成薄膜，其中涂布过程将蒸发一部分第一溶剂和一部分第二溶剂，使得第一溶剂的剩余部分大于第二溶剂的剩余部分。烘烤薄膜，并于烘烤薄膜后，将薄膜进行曝光以形成已曝光薄膜，以及将已曝光薄膜进行显影。