-
公开(公告)号：CN109616562A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811346721.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一LED发光芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的至少一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层的N型连接针通道后被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极的至少一列P型电极连接针在穿过所述绝缘层的所述P型连接针通道后被电连接于所述透明导电层，在一列所述N型电极连接针中，至少一个所述N型电极连接针与两个相邻所述N型电极连接针的间距不同，在一列所述P型电极连接针中，至少一个所述P型电极连接针与两个相邻所述P型电极连接针的间距不同，通过这样的方式，所述LED发光芯片的电流能够被均匀地分布。
-
公开(公告)号：CN108110099B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201710213823.6
申请日：2017-04-01
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 刘英策 , 宋彬 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 汪洋 , 陈凯轩 , 魏振东 , 邬新根 , 周弘毅 , 蔡立鹤 , 黄新茂 , 林志伟 , 李永同 , 吕奇孟 , 蔡和勋 , 李耿成
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底、外延结构、透明导电层、钝化保护层、第一电极和第二电极；透明导电层具有至少一个第一通孔；钝化保护层具有至少一个第二通孔，第二通孔与第一通孔在垂直于衬底的方向上无交叠；第一电极通过贯穿钝化保护层、透明导电层、量子阱发光层和第二半导体层的第三通孔与第一半导体层电连接；第二电极覆盖第一通孔和第二通孔，且第二电极通过第二通孔与透明导电层电连接。在第一通孔对应的区域，第二电极与第二半导体层之间的钝化保护层可以起到电流阻挡的作用，不仅降低了LED芯片的成本，而且提高了LED芯片的发光效率；此外，在第二通孔处可以实现点式发光，进而可以提高LED芯片的亮度。
-
公开(公告)号：CN105932034B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610458487.7
申请日：2016-06-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 增加ESD保护的LED芯片及其制造方法，涉及LED的生产技术领域。本发明在P极焊盘和第一绝缘层之间的透明导电层上设置图形化的a‑Si层；在部分第一绝缘层和部分图形化的a‑Si层上设置图形化的Drain极层；在透明导电层和另一部分图形化的a‑Si层设置图形化的Source极层；在透明导电层和图形化的Source极层、裸露的a‑Si层、部分图形化的Drain极层上设置第二绝缘层。本发明为可极大提升芯片ESD防护效果，为目前正装结构芯片提供一种具有ESD防护功能结构，该结构相对传统的齐纳二极管组方式更为简单，易于生产，也利于降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN109346586A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811186244.8
申请日：2018-10-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一发光芯片及其制造方法，其中所述发光芯片包括一外延叠层、一钝化层、一N型电极以及一P型电极，所述外延叠层具有相互间隔的自所述外延叠层的一P型半导体层经一有源区延伸至一N型半导体层的一N型焊盘裸露部和至少一N型扩展条穿孔，所述钝化层层叠于所述N型半导体层和所述P型半导体层，且所述钝化层的N型焊盘通道和所述N型焊盘裸露部相连通，所述钝化层的第一通道和所述N型扩展条穿孔相连通，所述钝化层的P型焊盘通道和第二通道对应于所述P型半导体层；所述N型电极和所述P型电极分别层叠于所述钝化层，并且所述N型电极电连接于所述N型半导体层，所述P型电极电连接于所述P型半导体层。
-
公开(公告)号：CN108682726A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810478979.1
申请日：2018-05-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/007 , H01L33/38 , H01L33/44
Abstract: 本发明公开了一发光二极管及其芯片和制造方法以及芯片的发光方法，其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，其中所述钝化保护层具有多个分别对应于所述透明导电层的不同位置的孔洞，一P型电极的一部分在穿过这些所述孔洞后被电连接于所述透明导电层，一N型电极被电连接于所述N型半导体层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098885B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610557382.7
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种量子点白光发光二极管，包括衬底、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层、N电极、P电极和透明电接触层，衬底上依次设置N‑GaN层、有源层、P‑GaN层和透明电接触层，N‑GaN层和P‑GaN层分别与N电极和P电极连接，透明电接触层内具有导电颗粒以及红光、黄光和绿光量子点。本发明将具有红光、黄光、绿光的量子点及导电颗粒的透明电接触层置于P型层之上，形成能够产生多波长荧光的透明电接触层，透明电接触层由氮化镓基发光二极管本身发出的蓝光激发后，实现单颗芯片的白光发光。
-
公开(公告)号：CN105633240B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201610152153.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种CSP封装芯片结构，包括外延层、导电层、P电极、N电极和基板；外延层由依次形成的N‑GaN、有源发光层及P‑GaN构成；导电层形成在P‑GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P‑GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N‑GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P‑GaN及导电层绝缘；P电极及N电极分别与基板键合。本发明还公开一种CSP封装芯片结构制作方法。本发明可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
-
公开(公告)号：CN108110099A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710213823.6
申请日：2017-04-01
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 刘英策 , 宋彬 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 汪洋 , 陈凯轩 , 魏振东 , 邬新根 , 周弘毅 , 蔡立鹤 , 黄新茂 , 林志伟 , 李永同 , 吕奇孟 , 蔡和勋 , 李耿成
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/36
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底、外延结构、透明导电层、钝化保护层、第一电极和第二电极；透明导电层具有至少一个第一通孔；钝化保护层具有至少一个第二通孔，第二通孔与第一通孔在垂直于衬底的方向上无交叠；第一电极通过贯穿钝化保护层、透明导电层、量子阱发光层和第二半导体层的第三通孔与第一半导体层电连接；第二电极覆盖第一通孔和第二通孔，且第二电极通过第二通孔与透明导电层电连接。在第一通孔对应的区域，第二电极与第二半导体层之间的钝化保护层可以起到电流阻挡的作用，不仅降低了LED芯片的成本，而且提高了LED芯片的发光效率；此外，在第二通孔处可以实现点式发光，进而可以提高LED芯片的亮度。
-
公开(公告)号：CN106129192B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610567049.4
申请日：2016-07-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开的一种发光二极管制备工艺，本发明的通过角度互补的方式制作具有等腰梯形截面的发光二极管，先通过光阻层和DBR阻挡层配合塑性，确定等腰梯形截面的倾斜角度，去掉光阻层后在DBR阻挡层之间的间隙中生长第二N‑GaN层、有源层以及P‑GaN，因此形成的发光二极管的角度由光阻层的角度决定，所以只需对光阻层角度进行控制就能够控制发光二极管的角度，而这个角度需要结合预先设定的LED灯高度、宽度等参数来控制。本发明根据发光二极管的宽度、高度来准确地控制反射光的出射角度，实现不同角度的出光结构，以避免光损失，提高出光量。
-
公开(公告)号：CN105552191B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610071720.6
申请日：2016-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 魏振东 , 刘英策 , 李小平 , 邬新根 , 黄新茂 , 蔡立鹤 , 吕奇孟 , 陈凯轩 , 张永 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
IPC: H01L33/40
Abstract: 能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，涉及LED芯片的生产技术领域。本发明包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。本发明的电极结构可以增加电流的横向扩散，并且达到光的多面反射的效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
109
records
(took 0.033 seconds)
