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公开(公告)号：CN117542932A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311789095.5
申请日：2023-12-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，其可通过溶液腐蚀或干法刻蚀或激光切割或图形化电镀工艺，以实现所述导电衬底在晶圆端的预先分割。基于此，在后续制备出子半导体单元阵列后，无需再进行切割和劈裂，进而避免了后续导电衬底切割过程中机台昂贵、切割效率低下、晶圆翘曲、切边拉丝、金属颗粒污染等一系列问题。
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公开(公告)号：CN117012875A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310946636.4
申请日：2023-07-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：在所述导电基板的表面依次设置导电型键合层、金属反射层、介质层、第二欧姆接触层以及外延叠层；其中，所述介质层具有若干个通孔，且在所述通孔内设有第一欧姆接触层；所述第二欧姆接触层与所述第一欧姆接触层形成接触。从而，在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜，使光线被反射后从LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率；同时，通过所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层和通孔的配合接触，在保证金属反射层与外延叠层的半导体材料接触的同时，可横向阻挡所述金属反射层和电极的金属扩散。
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公开(公告)号：CN111883552B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010771244.5
申请日：2020-08-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成式LED芯片模组及其制作、测试、切割方法，其LED阵列单元通过交叉沟槽隔离形成于所述基板表面；所述绝缘层覆盖所有所述LED阵列单元及沟槽，且所述绝缘层具有裸露各所述LED阵列单元表面的缺口；所述电极引线平铺于所述沟槽上方且相互间隔设置，并通过所述绝缘层与所述LED阵列单元和/或基板隔离设置；所述子电极沉积于所述缺口并延伸至所述绝缘层的表面与所述电极引线形成电连接；基于本发明所提供的技术方案，可利用测试电极做打线金球，从而避免在LED阵列单元表面打线引起的遮光问题；同时，可通过将测试电极与外部控制电路连接，实现LED阵列单元的独立控制，并降低控制电路与各LED阵列单元的连接难度。
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公开(公告)号：CN116190521A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310317675.8
申请日：2023-03-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过将衬底设置具有多个凸起，所述发光结构层叠于所述衬底具有凸起的一侧表面；其中，所述凸起沿第一方向的横截面积逐渐减小；沿第一方向上所述凸起的单位高度所对应的横截面积差值为变化速率，则变化速率和凸起高度的曲线呈“V”形；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述发光结构。基于上述设置所获得的凸起形状，使得光在所述凸起形成更全面的反射方向，从而扩大了LED芯片的发光角度；如此，在后续显屏组装时可简化背光设计，尤其适用于微型LED芯片(如Mini‑LED或Micro‑LED等)。
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公开(公告)号：CN115732622A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211555098.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过将介质层延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；所述金属反射层通过层叠于所述介质层表面的方式，嵌入所述介质孔与所述第二型半导体层形成接触，并延伸至所述通孔的侧壁；所述金属连接层层叠于所述金属反射层背离所述介质层的一侧表面，且所述金属连接层在朝向所述外延叠层的一侧表面具有裸露面；所述绝缘层通过覆盖所述金属连接层及金属反射层的方式，延伸至所述通孔的侧壁。从而，实现了将金属反射层延伸到通孔内部，提高了通孔内部的反射率的同时，可以实现将通孔内部的热量从台面传导，以提高芯片的散热能力，可以很好地解决通孔型垂直结构LED芯片因为空洞的存在导致热量无法及时散去的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115548181A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211201174.5
申请日：2022-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高压LED芯片及其制作方法，将所述发光结构通过分割道形成相互独立的第一发光结构和第二发光结构，且所述第一发光结构和所述第二发光结构分别具有裸露对应所述第一型半导体层部分表面的通孔；并通过导电衬底、电极连通层和第一电极的设置，使所述第一、第二发光结构分别形成通孔型的垂直LED芯片；其次，通过第二绝缘层的设置，使所述电极连通层与所述第二电极层在所述分割道上方连接，从而实现了所述两发光结构的串联。如此，使第一发光结构和第二发光结构无需通过台阶即可在平坦的分割道上方实现桥接串联，大大提升了高压LED芯片的可靠性；同时，由于桥接区域分布于两发光结构的分割道，不占据发光面积，可提高芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN115425129A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211120718.5
申请日：2022-09-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多色LED芯片及其制作方法，在衬底表面依次层叠的第一反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、复合电流扩展结构以及欧姆接触层；其中，所述复合电流扩展结构至少包括沿第一方向依次堆叠的电流扩展底层、第二反射层、第三反射层以及电流扩展顶层；且所述第一反射层、第二反射层以及第三反射层所反射的光波依次减小，以实现单颗LED芯片的多色立体显示效果。基于此，从发光外延结构的底面开始依次反射的波段逐渐减小，并在发光外延结构表面通过反射层配合电流扩展层，有效避免发光外延结构表面的光下射到有源区而损耗光效，同时可实现发光外延结构表面的横向电流扩展。
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公开(公告)号：CN115295694A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210342228.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过在所述衬底表面依次堆叠缺陷阻隔层、第一N型半导体层、电流阻挡层、第二N型半导体层、有源层、P型半导体层。通过所述缺陷阻隔层阻挡所述衬底与半导体层之间因晶格失配所产生的缺陷的向上延伸；同时，通过所述电流阻挡层阻挡电流在所述第二N型半导体层表面的纵向传输，提高电流在界面的横向传递，增加电流扩展的效果。
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公开(公告)号：CN114628561A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210442069.4
申请日：2022-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本。同时，在所述外延叠层的侧壁设有用于保护LED芯片的钝化层，且基于该结构，所述钝化层与所述绝缘层可在同道光刻及刻蚀工艺中图形化，即可同步实现LED芯片的侧壁钝化以及PAD的制作。
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公开(公告)号：CN114464712A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210275391.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延结构、LED芯片及其制作方法，其中外延结构包括：图形化的混合生长衬底、N型半导体层、有源区和P型半导体层；混合生长衬底包括蓝宝石衬底及设置在蓝宝石衬底上表面的多个凸起结构和缓冲层，凸起结构为易腐蚀性材料，且相邻凸起结构的底部相互紧挨，形成底部相连的凸起结构，部分凸起结构的底部边沿与蓝宝石衬底上表面的边沿部分重叠，再者缓冲层与蓝宝石衬底的接触面积远小于各所述凸起结构与蓝宝石衬底的接触面积，可使LED芯片能够采用湿法剥离的方法，高效、低成本的剥离蓝宝石衬底。
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