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公开(公告)号：CN107293620B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201710570324.2
申请日：2017-07-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，其中，在形成通孔和台阶区时能够通过一次光刻工艺即能实现，有效减少了光刻工艺次数，进而通过创新的制备方法而减少光刻工艺次数，以达到简化制作LED芯片的流程，且降低LED芯片成本的目的。
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公开(公告)号：CN109742209A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910110844.4
申请日：2019-02-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一半导体芯片及其制造方法，其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极的一列P型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所述透明导电层，并且一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置之间的连线为曲线，通过这样的方式，当电流自所述N型电极和所述P型电极被注入时能够被均匀地扩展。
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公开(公告)号：CN109638135A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910006183.0
申请日：2019-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一发光芯片及其制造方法和电流扩展方法，其中所述发光芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，所述发光芯片进一步包括层叠于所述钝化保护层的一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层和所述透明导电层，其中自所述N型电极注入的电流能够在所述N型电极的N型电极焊盘的附近被注入所述N型半导体层，自所述P型电极注入的电流能够在所述P型电极的P型电极焊盘的附近被进一步注入透明导电层，通过这样的方式，电流能够被均匀地分布，从而有利于提高发光效率和提升整体亮度。
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公开(公告)号：CN107331741B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710595928.2
申请日：2017-07-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种Micro LED芯片及其制作方法、Micro LED阵列基板，其中，Micro LED芯片采用垂直结构，将第一电极和第二电极分别制作在不同侧，通过在隔离层上设置网格结构的电极网，只需设置一个第二电极与电极网形成电连接，即可实现多个Micro LED子芯片独立发光，而无需通过每个Micro LED子芯片都设置第二电极进行发光控制，电极网设置在隔离层上，且电极网位置与隔离层位置相对设置，避免了电极网对有效发光区域的遮挡，从而极大地减小电极的挡光面积，对比现有技术，增加了Micro LED芯片的发光面积，有效提高了Micro LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN109244209A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810885637.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法，其中所述倒装芯片包括一外延单元、层叠于所述外延单元的一反射层、层叠于所述外延单元且包覆所述反射层的一防扩散层、层叠于所述防扩散层的一第一绝缘层、层叠于所述第一绝缘层的一电流扩展层以及层叠于所述电流扩展层的一电极组，其中所述第一绝缘层具有多个连接针通道，以供容纳所述电流扩展层的连接针，其中所述第一绝缘层的用于形成所述连接针通道的内壁为多段式内壁，通过这样的方式，能够扩大所述第一绝缘层于所述电流扩展层的结合面积，从而提高所述倒装芯片的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109216161A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810893959.0
申请日：2018-08-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一倒装芯片的制造方法和反射层溅射方法，其中所述反射层溅射方法包括如下步骤：在一外延单元的一P型半导体层形成至少一反射层图形；以一射频电源向一电场形成部供电的方式藉由所述电场形成部形成电场于一靶材和所述P型半导体层之间；以及当惰性气体在等离子体状态下于形成在所述靶材和所述P型半导体层之间的一溅射空间轰击所述靶材的表面时，自所述靶材脱落的原子或原子团在所述反射层图形的区域在电场的作用下沉积至所述P型半导体层，以形成层叠于所述P型半导体层的一反射层。
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公开(公告)号：CN108807629A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810939754.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/14
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管及制作方法，通过在钝化层上形成多个通孔，电流从第一电极注入，经过通孔结构传至电流扩展层，以增加横向电流扩展。并且，通过形成电流扩展凹槽，且将电流扩展凹槽的侧壁设置为波浪形，以增大出光面，增加纵向电流扩展，进而提高发光二极管的出光效率。并且，该发光二极管的制作方法简单。
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公开(公告)号：CN108732876A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810478963.0
申请日：2018-05-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G03F7/38 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一光阻烘烤方法和在半导体基底上形成光阻层的方法，其中所述光阻烘烤方法包括步骤：首先以一半导体基底的下部产生热量的方式烘烤被施涂于一半导体基底的一光阻材料层；其次，在所述光阻材料层的周围环境产生热量的方式烘烤所述光阻材料层，通过这样的方式，所述光阻材料层能够形成层叠于所述半导体基底的一光阻层，并保证所述光阻层的各个部分的溶剂含量一致，从而有利于保证后续的光刻工艺的稳定性。
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公开(公告)号：CN108417675A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810256911.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0075 , H01L33/48 , H01L33/60
Abstract: 本申请提供一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，所述高压发光二极管包括：第一部分和第二部分，其中，第二部分中的发光结构的顶部和底部均设置了隧穿结，通过隧穿结作用，第二部分与第一部分的同侧形成了不同类型的导电层，再通过第一透明导电层，实现两个发光二极管的发光结构不同类型导电层同侧分布且水平桥接；而不同高压发光二极管结构中的第一部分和第二部分通过第二透明导电层连接，同样也是不同类型导电层同侧的水平桥接，解决了传统高压发光二极管在桥接过程中，存在高度差，而造成的高压发光二极管性能较差的问题。
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公开(公告)号：CN106449924B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610770822.7
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开种光热电分离的倒装LED芯片,在衬底上形成缓冲层,在缓冲层上形成N‑GaN,在N‑GaN上形成有源层,在有源层上形成P‑GaN,依次部分蚀刻P‑GaN和有源层直至裸露部分N‑GaN;在P‑GaN上形成金属反射层,在裸露部分N‑GaN形成欧姆接触层,在金属反射层和欧姆接触层上形成导热绝缘层,导热绝缘层上形成导热金属层、P电极和N电极,P电极穿过导热绝缘层与金属反射层连接,N电极穿过导热绝缘层与欧姆接触层连接。本发明还公开种光热电分离的倒装LED芯片制作方法。本发明实现LED芯片光、热及电三重分离,出光面无电极挡光,取光效率高,热量由导热金属层导出,增加芯片可靠性。
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