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公开(公告)号：CN101165903B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200710181854.4
申请日：2007-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/26586 , H01L27/115 , H01L27/11524
Abstract: 非易失性存储器件包括在半导体衬底上的串选择栅极和地选择栅极，以及在串选择栅极和地选择栅极之间的衬底上的多个存储单元栅极。在多个存储单元栅极中的各个存储单元栅极之间，第一杂质区延伸到衬底中直至第一深度。在串选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的第一个存储单元栅极之间、以及地选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的最后一个存储单元栅极之间，第二杂质区延伸到衬底中直至大于第一深度的第二深度。还说明了相关制造方法。
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公开(公告)号：CN101621078A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910139658.X
申请日：2009-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/792 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L27/115 , G11C7/10
CPC classification number: H01L21/28282 , H01L21/28273 , H01L27/11565 , H01L29/42332 , H01L29/513 , H01L29/7883 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供一种具有多层隧道绝缘体的存储器单元晶体管及存储器器件。一种存储器单元晶体管包括：有源区，该有源区在第一延伸方向上伸长；该有源区上的隧道层，该隧道层包括第一隧道绝缘层、第一隧道绝缘层上的第二隧道绝缘层和第二隧道绝缘层上的第三隧道绝缘层；隧道层上的电荷储存层；电荷储存层上的阻挡绝缘层；以及阻挡绝缘层上的控制栅电极，该控制栅电极在横向于第一延伸方向的第二延伸方向上伸长，有源区具有第二延伸方向上的第一宽度，第二隧道绝缘层具有第二延伸方向上的第二宽度，第二宽度不同于第一宽度。
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公开(公告)号：CN100481374C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410101909.2
申请日：2004-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/76 , H01L21/28 , H01L21/82 , H01L21/8234 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/76229 , H01L21/823481 , H01L27/115
Abstract: 公开了一种具有自对准栅导电层的半导体器件及其制造方法。在本发明的某些实施例中，在半导体衬底上形成多个场隔离图形，以在半导体衬底中限定多个有源区。然后通过例如热退火工艺增加场隔离图形的密度。然后在各个有源区上形成多个栅绝缘图形。然后在各个栅绝缘图形上形成多个第一导电图形。
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公开(公告)号：CN101165903A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710181854.4
申请日：2007-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/26586 , H01L27/115 , H01L27/11524
Abstract: 非易失性存储器件包括在半导体衬底上的串选择栅极和地选择栅极，以及在串选择栅极和地选择栅极之间的衬底上的多个存储单元栅极。在多个存储单元栅极中的各个存储单元栅极之间，第一杂质区延伸到衬底中直至第一深度。在串选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的第一个存储单元栅极之间、以及地选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的最后一个存储单元栅极之间，第二杂质区延伸到衬底中直至大于第一深度的第二深度。还说明了相关制造方法。
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公开(公告)号：CN1866525A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610082710.9
申请日：2006-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌炫
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8239 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/792 , H01L21/28282 , H01L21/823462 , H01L27/0629 , H01L27/105 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L28/20 , H01L29/4232
Abstract: 公开了一种具有在衬底上限定的单元区和外围电路区的非易失性存储器件。在单元区中设置单元栅电极，同时在外围电路区中设置外围栅电极。每个单元栅电极包括层叠的导电和半导体层，但是外围栅电极包括层叠的半导体层。单元栅电极的导电层在材料上不同于外围栅电极的最低半导体层，其能够改进存储单元和外围晶体管的性能而不导致彼此间的相互干扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110600479B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201910951061.9
申请日：2014-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供具有垂直沟道结构的半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上交替地形成多个牺牲层和多个绝缘层，多个牺牲层包括第一牺牲层和在第一牺牲层上的多个第二牺牲层，多个第二牺牲层包括与第一牺牲层的材料不同的材料；形成穿过多个牺牲层和多个绝缘层的沟道孔以暴露衬底的顶表面；在沟道孔的内壁上形成侧壁保护层；形成填充沟道孔的底部的沟道接触层，其中沟道接触层的顶表面位于比多个第二牺牲层当中的最下面的第二牺牲层的底表面低的水平处；完全去除侧壁保护层；在沟道孔的内壁上形成接触沟道接触层的沟道层；去除第一牺牲层；以及在第一牺牲层被去除的位置处形成第一栅电极。
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公开(公告)号：CN110416223B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201910678901.9
申请日：2015-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌炫
IPC: H10B43/27 , H01L21/336 , H01L29/792
Abstract: 本发明公开了垂直存储器件。根据示例实施方式，一种垂直存储器件包括在下绝缘层上的低电阻层、在低电阻层上的沟道层、在沟道层上的多个垂直沟道、以及多个栅线。垂直沟道在相对于沟道层的顶表面垂直的第一方向上延伸。栅线围绕垂直沟道的外侧壁，并且在第一方向上层叠并且彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN110520895A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201780089536.7
申请日：2017-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种图像处理方法，包括：生成全向球面图像；确定关于指示全向球面图像的一些区域的导引视图的信息；通过将全向球面图像投影到多面体的展开视图来生成投影图像；基于关于导引视图的信息，从投影图像中分割对应于导引视图的导引视图投影图像；通过移动导引视图投影图像的至少一个像素的位置，将导引视图投影图像整形为导引视图矩形图像；以及生成导引视图矩形图像被编码进的比特流。
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公开(公告)号：CN110416223A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910678901.9
申请日：2015-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌炫
IPC: H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L29/792
Abstract: 本发明公开了垂直存储器件。根据示例实施方式，一种垂直存储器件包括在下绝缘层上的低电阻层、在低电阻层上的沟道层、在沟道层上的多个垂直沟道、以及多个栅线。垂直沟道在相对于沟道层的顶表面垂直的第一方向上延伸。栅线围绕垂直沟道的外侧壁，并且在第一方向上层叠并且彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN105637356B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201480054761.3
申请日：2014-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了气体传感器模块、具有气体传感器模块的冰箱和冰箱的控制方法。在另一个方面，在气体传感器模块中，离子对被预先溶解在水溶液中同时其量和初始水溶液的pH可以被调整以调整相对于要被感测的目标气体的感测范围和灵敏度。在另一个方面，用于感测目标气体的量的气体传感器模块包括如下的水溶液，在该水溶液中溶解了具有与目标气体相同的解离常数的物质的离子对，而且该气体传感器模块感测由于目标气体溶解在水溶液中而发生的水溶液的pH变化。
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