公开(公告)号：CN115863342A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211122880.0

申请日：2022-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵槿汇 ,  金珍圭 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  金载哲 ,  李相勋

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一器件区和第二器件区；有源区，在衬底上彼此间隔开，该有源区具有恒定的宽度并沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸，并且该有源区包括：设置在第一器件区上的第一有源区和第二有源区；以及设置在第二器件区上的第三有源区和第四有源区；多个沟道层，设置在有源区上并被配置为在垂直于衬底的上表面的方向上彼此间隔开；栅结构，设置在衬底上并延伸以与有源区和多个沟道层交叉；以及源/漏区，在栅结构的至少一侧设置在有源区上。

公开(公告)号：CN115621281A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210807743.4

申请日：2022-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高明东 ,  千健龙 ,  金洞院 ,  金贤锡 ,  李尚炫 ,  李炯锡

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案和第二有源图案，位于衬底上，沿第一方向延伸，并沿第二方向间隔开；栅电极，位于第一有源图案和第二有源图案上并沿第二方向延伸；第一栅极分离结构，位于第一有源图案与第二有源图案之间，沿第一方向延伸，并分离栅电极；以及第一元件分离结构，位于栅电极之间，沿第二方向延伸，并分离第二有源图案，其中，距第一栅极分离结构的第一部分的第一边的距离小于距第一栅极分离结构的第二部分的第一边的距离，并且到第一部分的第二边的距离小于到第二部分的第二边的距离。

公开(公告)号：CN114649329A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111075535.1

申请日：2021-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明吉 ,  赵槿汇 ,  权相德 ,  金洞院 ,  宋炫昇

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/48

Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，包括外围区域；第一有源图案，在外围区域上；第一源极/漏极图案，在第一有源图案上；第一沟道图案，形成在第一有源图案上并且连接到第一源极/漏极图案，其中，第一沟道图案包括彼此堆叠并且间隔开的半导体图案；第一栅电极，在第一方向上延伸并与第一沟道图案交叉；栅极绝缘层，置于第一栅电极与第一沟道图案之间；第一栅极接触件，设置在第一栅电极上并且在第一方向上延伸；以及第一介电层，置于第一栅电极与第一栅极接触件之间。第一介电层置于第一栅极接触件与第一栅电极之间并且在第一方向上延伸。

公开(公告)号：CN108962973B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201810496326.6

申请日：2018-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院 ,  裵金钟

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底；多个鳍，包括第一鳍、第二鳍、第三鳍、第四鳍及第五鳍，所述多个鳍中的每一个在第一方向上从所述衬底突出并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及多个沟槽，包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽及第四沟槽，所述多个沟槽中的每一个形成在所述多个鳍中的相邻的鳍之间，其中所述第一沟槽的第一宽度及所述第三沟槽的第三宽度的变化小于第一变化，其中所述第二沟槽的第二宽度及所述第四沟槽的第四宽度的变化小于第二变化，且其中所述第二变化大于所述第一变化。

公开(公告)号：CN110047803A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201811201559.5

申请日：2018-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/308

Abstract: 本申请涉及一种制造半导体器件的方法和通过该方法制造的半导体器件，该方法包括：在衬底上形成硬掩模图案；形成围绕硬掩模图案的蚀刻停止图案；形成覆盖蚀刻停止图案的侧壁的间隔物图案；去除蚀刻停止图案；蚀刻衬底以形成有源鳍和虚设鳍；形成围绕有源鳍和虚设鳍的阻挡掩模图案层，并在阻挡掩模图案层的顶表面上形成掩模蚀刻图案；蚀刻阻挡掩模图案层以形成围绕有源鳍的阻挡掩模图案；蚀刻虚设鳍；去除围绕有源鳍的阻挡掩模图案；以及在衬底上沉积器件隔离膜，使得器件隔离膜不与有源鳍的上部接触，其中有源鳍与虚设鳍之间的间隔距离大于有源鳍之间的有源鳍间隔距离。

公开(公告)号：CN1855495B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200610073547.X

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  朴东建 ,  金洞院 ,  金旻相 ,  尹恩贞

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/105 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/84 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7881

Abstract: 在半导体器件及其制造方法中，在公用半导体层上形成平面型存储器件和垂直定向薄体器件。例如，在半导体器件中，期望具有器件的外围区中的平面型晶体管和单元区中的垂直定向薄体晶体管器件。以这种方式，可以将每种类型的器件的优势应用到存储器件的适宜功能中。

公开(公告)号：CN101751992A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910252333.2

申请日：2009-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旻相 ,  李志明 ,  裵贤俊 ,  金洞院 ,  徐俊 ,  权容贤 ,  张原玮 ,  赵槿汇

IPC: G11C11/401 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/40 ,  H01L29/685

Abstract: 本发明提供一种开关及其形成方法。一种存储器装置，其包括存储器单元，该存储器单元包括储存节点、第一电极和第二电极，该储存节点储存电荷，并且当第二电极通电时，第一电极移动从而连接至储存节点。

公开(公告)号：CN101477986A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200810136694.6

申请日：2008-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金旻相 ,  李志明 ,  金洞院

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/7856 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供一种鳍式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法。FinFET可以包括至少一个有源鳍、至少一个栅极绝缘层图案、第一电极图案、第二电极图案和至少一对源极/漏极扩张区。至少一个有源鳍可以形成在衬底上。至少一个栅极绝缘层图案可以形成在至少一个有源鳍上。第一电极图案可以形成在至少一个栅极绝缘层图案上。此外，第一电极图案可以与至少一个有源鳍交叉。第二电极图案可以形成在第一电极图案上。进一步地，第二电极图案的宽度可以大于第一电极图案的宽度。至少一对源极/漏极扩张区可以形成在第一电极图案的两侧的至少一个有源鳍的表面上。因此，FinFET可以具有提高的容量和减小的GIDL电流。

公开(公告)号：CN101132005A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710092021.0

申请日：2007-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成泳 ,  金洞院 ,  朴东健 ,  尹恩贞

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: G11C11/50 ,  G11C11/56 ,  G11C16/0475 ,  G11C23/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在存储器件及其形成方法中，在一个实施例中，存储器件包括：衬底；以及衬底上沿第一方向延伸的位线。将第一字线结构设置在位线上并且与位线间隔且绝缘，第一字线结构沿横穿第一方向的第二方向延伸。电极与位线相连，在第一字线结构之上延伸并且与第一字线结构间隔第一间隙。第二字线结构在电极之上并且与电极间隔第二间隙，第二字线结构沿第二方向延伸。电极在第一字线结构和第二字线结构之间是悬臂形式的，使得电极偏转以通过第一间隙与在第一弯曲位置第一字线结构的顶部电连接，以及偏转以通过第二间隙在第二弯曲位置与第二字线结构的底部电连接，并且电极在止动位置与第一字线结构和第二字线结构相隔离。

公开(公告)号：CN101123244A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710097092.X

申请日：2007-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成泳 ,  金洞院 ,  朴贤雨 ,  尹恩贞

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在存储器件和形成其的方法中，在一个实施例中，存储器件包括衬底上的第一字线结构，该第一字线结构在第一方向上延伸。位线设置在第一字线结构上并且与第一字线分开第一间隔，该位线在横断于第一方向的第二方向上延伸。第二字线结构设置在位线之上并且与位线分开第二间隔，该第二字线结构在第一方向上延伸。位线在第一字线结构和第二字线结构之间浮置，使得位线偏转以在第一弯折位置上通过第一间隔与第一字线结构的顶部电耦合，并且位线偏转以在第二弯折位置上通过第二间隔与第二字线结构的底部电耦合，并且在重置位置上该位线与第一字线结构和第二字线结构相隔离。