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公开(公告)号：CN116165842A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211385369.X
申请日：2022-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/004 , C08F220/38 , C08F220/18
Abstract: 提供光酸产生剂、包括其的光致抗蚀剂组合物以及通过使用光酸产生剂形成图案的方法。所述光酸产生剂包括在曝光时产生酸的单体和酸不稳定单体的共聚物，所述酸不稳定单体对于显影溶剂的溶解性通过经由酸的分解而改变，其中所述共聚物由式1表示，其中，在式1中，x、y、L、A‑、B+、R1、R2、和R3各自与详细描述中所描述的相同。[式1]
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公开(公告)号：CN106009664A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610184508.0
申请日：2016-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开组合物、由其制备的复合物、以及包括其的膜和电子器件。所述组合物包括用烷氧基硅烷基团改性的聚酰胺酸和低聚硅氧化合物，其中所述用烷氧基硅烷基团改性的聚酰胺酸包括如下的反应产物：(i)酸酐和二胺的缩合反应产物，和(ii)反应性有机硅烷化合物，所述低聚硅氧化合物包括有机硅烷二醇和烷氧基硅烷化合物的缩合反应产物，其中所述组合物中的硅原子的量小于或等于15重量％，基于所述组合物中的固含量的总重量。
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公开(公告)号：CN103054803A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210401322.8
申请日：2012-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: A61K41/0028 , A61K41/0052 , A61K47/62 , A61K47/6911
Abstract: 包括脂质双层、与疏水性基元偶联的弹性蛋白样多肽(ELP)、致化学敏感剂、和抗癌剂的脂质体，包括该脂质体的药物组合物，及使用该脂质体将致化学敏感剂和抗癌剂递送到受试者靶部位的方法。
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公开(公告)号：CN101123275A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710139981.8
申请日：2007-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L29/0653 , H01L29/513 , H01L29/66666 , H01L29/7831
Abstract: 一种晶体管，包括衬底上的第一和第二对垂直覆盖源/漏区。各第一和第二垂直沟道区在该第一和第二对覆盖源/漏区的各对覆盖源/漏区之间延伸。各第一和第二绝缘区被设置在各第一和第二对覆盖源/漏区的覆盖源/漏区之间并相邻于第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区。在第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区上设置各第一和第二栅绝缘体。在该第一和第二栅绝缘体之间设置栅电极。第一和第二垂直沟道区可以被设置在覆盖源/漏区的相邻边缘附近。
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公开(公告)号：CN118259544A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311455544.2
申请日：2023-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用其形成图案的方法，所述抗蚀剂组合物包括由下式1表示的有机金属化合物、和包括由下式2表示的重复单元的聚合物，其中，在式1和2中，M11、R11、R12、n、A21、L21‑L23、a21‑a23、R21‑R24、b22、p、和X21如说明书中所描述的。式1M11(R11)n(OR12)(4‑n)式2#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117624002A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310295692.6
申请日：2023-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07C381/12 , G03F7/20 , G03F7/00 , C07D333/76 , C07C65/01 , G03F7/004
Abstract: 提供由式1表示的羧酸盐、包括其的光致抗蚀剂组合物、和通过使用光致抗蚀剂组合物形成图案的方法。其中，在b15式、n111中、，n12A11和、RM1+1如说明‑R15、书中所描述的。式1
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公开(公告)号：CN101582296B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200910128693.1
申请日：2009-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C23/00 , H01L27/108
Abstract: 本发明公开了机电开关及其形成方法。本发明提供了一种存储器装置，该存储器装置包括形成在存储器单元中的贮存节点、第一电极和第二电极，贮存节点贮存电荷，第一电极包括电连接到第二部分的第一部分，当第二电极被赋予能量时，第一部分移动以连接到贮存节点。
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公开(公告)号：CN101477986B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200810136694.6
申请日：2008-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L21/8238 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/7856 , H01L29/4925 , H01L29/4958 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供一种鳍式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法。FinFET可以包括至少一个有源鳍、至少一个栅极绝缘层图案、第一电极图案、第二电极图案和至少一对源极/漏极扩张区。至少一个有源鳍可以形成在衬底上。至少一个栅极绝缘层图案可以形成在至少一个有源鳍上。第一电极图案可以形成在至少一个栅极绝缘层图案上。此外，第一电极图案可以与至少一个有源鳍交叉。第二电极图案可以形成在第一电极图案上。进一步地，第二电极图案的宽度可以大于第一电极图案的宽度。至少一对源极/漏极扩张区可以形成在第一电极图案的两侧的至少一个有源鳍的表面上。因此，FinFET可以具有提高的容量和减小的GIDL电流。
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公开(公告)号：CN101118909A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710104475.5
申请日：2007-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/792 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L29/66833 , H01L29/7851 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L29/7926
Abstract: 本发明提供了一种存储器件，该存储器件包括：第一有源区，在基底上；第一源/漏区和第二源/漏区，在基底上，第一源/漏区毗邻所述第一有源区的对应的第一侧壁，第二源/漏区毗邻所述第一有源区的对应的第二侧壁。第一栅结构设置在第一源/漏区和第二源/漏区之间的第一有源区上。第二有源区设置在位于第一源/漏区和第二源/漏区之间并毗邻第一源/漏区和第二源/漏区的第一栅结构上。第二栅结构设置在位于所述第一栅结构上面的第二有源区上。
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公开(公告)号：CN1855495A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610073547.X
申请日：2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/085 , H01L27/105 , H01L27/02 , H01L21/8232 , H01L21/8239 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/66825 , H01L21/823437 , H01L21/823487 , H01L21/84 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/10876 , H01L27/10879 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L27/11 , H01L27/1116 , H01L27/11534 , H01L27/1203 , H01L29/42336 , H01L29/66621 , H01L29/66795 , H01L29/7851 , H01L29/7881
Abstract: 在半导体器件及其制造方法中，在公用半导体层上形成平面型存储器件和垂直定向薄体器件。例如，在半导体器件中，期望具有器件的外围区中的平面型晶体管和单元区中的垂直定向薄体晶体管器件。以这种方式，可以将每种类型的器件的优势应用到存储器件的适宜功能中。
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