公开(公告)号：CN105895613A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610059834.9

申请日：2016-01-28

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 何彦仕 ,  张恕铭 ,  沈信隆

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/486 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373

摘要： 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、介电接合层、载体与重布线层。晶片具有基底、焊垫与保护层。保护层位于基底上。焊垫位于保护层中。介电接合层位于保护层上，且介电接合层位于载体与保护层之间。载体、介电接合层与保护层具有连通的穿孔，使焊垫从穿孔裸露。重布线层包含连接部与无源元件部。连接部位于焊垫、穿孔的壁面与载体背对介电接合层的表面上。无源元件部位于载体的表面上，且无源元件部的一端连接在载体的表面上的连接部。本发明不仅可节省大量的组装时间、降低已知电感元件的成本，还可提升设计上的便利性。

公开(公告)号：CN105810700A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610027128.6

申请日：2016-01-15

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 刘沧宇 ,  郑家明

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/11 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14683

摘要： 一种晶片封装体及其制作方法，该晶片封装体的制作方法包含下列步骤：接合透光基板于晶圆的第一表面上，使位于透光基板与晶圆之间的间隔元件覆盖晶圆的焊垫；蚀刻晶圆相对第一表面的第二表面，使晶圆同步形成选择性连通的镂空区与沟槽；以及蚀刻焊垫上的第一绝缘层，使焊垫从镂空区裸露。本发明可提升晶片封装体的强度与可靠度，且不易漏电。

公开(公告)号：CN102969286B

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201210553812.X

申请日：2012-12-19

申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司

发明人： 王之奇 ,  喻琼 ,  王蔚

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 本发明揭示了一种半导体芯片封装结构及封装方法，其中，所述封装结构包括芯片，所述芯片包括上表面、与上表面相背的下表面，所述下表面上设有感光区和焊垫；基底，所述基底包括上表面，与上表面相背的下表面，所述基底上表面与所述芯片下表面连接；焊球，所述焊球设置于所述芯片上表面；导电层，电连接所述焊垫和所述焊球；所述半导体芯片封装结构还包括覆盖于除基底下表面外的所有芯片封装体外表面的气相沉积高分子有机薄膜。本发明不仅可更好的保护芯片封装体，同时，优化了芯片封装体的成像质量。

公开(公告)号：CN105742255A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610203034.X

申请日：2016-04-01

申请人： 江苏长电科技股份有限公司

发明人： 张江华

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/11 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L24/02 ,  H01L24/80

摘要： 本发明涉及一种金属圆片级凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及方法，所述结构包括表面声滤波芯片晶圆（1），所述表面声滤波芯片晶圆（1）表面设置有第一金属层（2），所述表面声滤波芯片晶圆（1）上方设置有贴合晶圆（4），所述贴合晶圆（4）与表面声滤波芯片晶圆（1）之间形成空腔（6），所述贴合晶圆（4）上设置有第一开孔（7），所述贴合晶圆（4）表面设置有第一绝缘层（8），所述第一开孔（7）内填充有导电胶或电镀金属（9），所述导电胶或电镀金属（9）的表面设置有第二金属层（10），所述第二金属层（10）上设置有金属球（11）。本发明一种金属圆片级凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及方法，它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件，并且具有更低的制造成本。

公开(公告)号：CN105702692A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510897480.0

申请日：2015-12-08

申请人： 株式会社东芝

发明人： 河野光贵

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L2224/11

摘要： 本发明涉及半导体装置及固态摄像装置。实施方式的半导体装置具备：半导体基板，具有元件部；绝缘膜，设于所述半导体基板的主面上；配线，设于所述绝缘膜上，与所述元件部电连接；凹凸部，设于所述半导体基板的所述主面侧；及保护膜，以接触所述配线及所述凹凸部，且接触所述绝缘膜的方式设置。

公开(公告)号：CN105679841A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610031368.3

申请日：2012-08-02

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 永野辉昌 ,  细川畅郎 ,  铃木智史 ,  马场隆

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/107 ,  H01L27/144

CPC分类号： H01L27/1446 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14605 ,  H01L28/20 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/107 ,  H01L2224/11

摘要： 本发明的半导体光检测元件(10)将包含以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管(APD)、相对于各雪崩光电二极管(APD)串联连接的灭弧电阻(R1)、及并联连接有灭弧电阻(R1)的信号线(TL)的光电二极管阵列(PDA)作为一个信道且具有多个信道。搭载基板(20)与各信道对应的多个电极(E9)配置于主面(20a)侧，并且处理来自各信道的输出信号的信号处理部(SP)配置于主面(20b)侧。在半导体基板(1N)中，在各信道形成有与信号线(TL)电连接的贯通电极(TE)。贯通电极(TE)与电极(E9)经由凸块电极(BE)而电连接。

公开(公告)号：CN105654856A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610081276.6

申请日：2016-02-04

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 陈立强 ,  李红

IPC分类号： G09F9/30

CPC分类号： G09F9/301 ,  G09G3/20 ,  G09G2380/02 ,  H01L21/77 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L27/12 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/12 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81125 ,  H01L2224/81127 ,  H01L2224/81201 ,  H05K1/11 ,  H05K13/046 ,  H05K2201/10128

摘要： 本发明公开了一种显示装置及其芯片邦定方法，包括柔性显示面板以及邦定在柔性显示面板的非显示区域的芯片，由于各引脚的延伸方向根据所在的区域满足以下条件：每一排引脚中，至少位于侧区域的各引脚沿同一端的延长线汇聚于基准线上的同一点，属于同一引脚组中的两个引脚各自的延长线与基准线的夹角相等。这样当柔性显示面板的尺寸在沿第一方向发生变化后，在将柔性显示面板与芯片进行邦定时可以通过调节柔性显示面板与芯片在垂直第一方向上的相对位置后再进行邦定，从而保证只要柔性显示面板在沿第一方向的尺寸变化在一定的范围时均可以实现芯片引脚与柔性显示面板引脚的正确对位，从而增加显示装置的芯片邦定良率。

公开(公告)号：CN105636740A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201580001558.4

申请日：2015-01-28

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 荘司郁夫 ,  雁部竜也 ,  渡边裕彦

IPC分类号： B23K35/363 ,  H01L21/60 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H05K3/34

CPC分类号： B23K35/362 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/36 ,  B23K35/3613 ,  B23K35/3618 ,  C22C13/00 ,  H01L2224/11 ,  H05K3/3489 ,  H05K2203/041

摘要： 本发明提供在钎料球接合时，以覆盖钎料球的方式热固化而进行加强的钎料用焊剂组合物。使用了钎焊用焊剂，该钎焊用焊剂包含环氧树脂、至少含有0.1～40质量％分子量在180以下的二羧酸的有机羧酸、以及触变剂，以所述有机羧酸的羧基相对于1.0当量所述环氧树脂的环氧基为0.8～2.0当量的方式添加所述环氧树脂及所述有机羧酸，相对于焊剂总量，所述环氧树脂、所述有机羧酸和所述触变剂的总含量为70质量％以上。

公开(公告)号：CN105633034A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201511000180.4

申请日：2015-12-25

申请人： 南通富士通微电子股份有限公司

发明人： 施建根

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3171 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L21/56 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13

摘要： 本发明提供了一种半导体晶圆凸点结构，其包括：晶圆；形成于晶圆上表面的再造钝化层；形成于晶圆下表面的聚合物材料层；形成于聚合物材料层的各裸露面上的背胶层。与现有技术相比，本发明提供的半导体晶圆凸点结构的形成方法，能够削弱晶圆翘曲，从而有利于切割前的测试、打印、植球等工序的制造。

公开(公告)号：CN103258791B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310186602.6

申请日：2013-05-16

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 张文奇

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/603 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 本发明公开了一种通过制备超细间距微凸点来实现半导体或固体器件金属互连的方法及相应器件，首先沉积碳化硅刻蚀停止层和电解质层，涂胶，干法在电解质层中刻蚀出孔，沉积金属种子层，填充金属，用CMP清除面上的金属，对电解质层进行刻蚀，形成金属露头结构并镀上抗氧化或低熔点的金属，再进行键合，该方法避免了凸点钻蚀，可以将凸点的间距缩小到几个微米级，甚至纳米级，远远小于目前的凸点间距尺寸；金属端面比电解质层高，可以克服由于CMP造成的金属表面的凹穴现象，保证在键合时上下金属通过塑性变形能完全接触，对晶圆CMP后的平整度要求降低；可以通过常规的热压法在较低的温度下完成键合，具有成本低的优势。