公开(公告)号：CN105144849B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201480014623.2

申请日：2014-03-14

申请人： 普拉斯玛比利提有限责任公司

发明人： W·霍尔伯 ,  R·J·巴斯奈特

IPC分类号： H05H1/24 ,  H05H1/46

CPC分类号： C23C16/505 ,  C23C16/26 ,  C23C16/272 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

摘要： 一种包含真空室的等离子体处理装置，该真空室包含：管道、处理室、用于将气体引入真空室内的第一气体输入口，以及用于从真空室中排出气体的泵出口。磁芯包围着管道。射频电源的输出与磁芯电连接。射频电源给磁芯供电，由此在真空室内形成环形等离子体回路放电。用于在等离子体处理期间支撑工件的台板位于处理室内。

公开(公告)号：CN109680259A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201910123426.9

申请日：2019-02-18

申请人： 合肥百思新材料研究院有限公司

发明人： 孔令杰 ,  李晓丽 ,  吴克松 ,  李明 ,  陶辉

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  C23C16/54

CPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  C23C16/545

摘要： 本发明公开一种立式连续PE增强卷对卷石墨烯薄膜生长设备，包括设备框架，所述设备框架的前端外表面从上往下依次安装有压力表、触摸控制屏幕与射频控制仪，所述设备框架的一侧安装有石英管，所述石英管的顶部安装有放卷舱，所述放卷舱的上端中间位置开设有二号进气口，所述放卷舱内部中间位置安装有放卷卷轴，所述放卷舱的顶部开设有二号进气口；本发明一种立式连续PE增强卷对卷石墨烯薄膜生长设备通过卷轴联动，PE激发等离子体连续、快速制备大面积、高质量石墨烯，从而大大提高生产速率，利用自重来保证铜箔呈竖直拉紧状态，增大气体与铜箔的接触面积，铜箔双面均可以形核扩散生长石墨烯膜，能够免收反应气体的干扰，有效的提升成膜质量及效率。

公开(公告)号：CN108883057A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680078689.7

申请日：2016-11-18

申请人： SIO2医药产品公司

发明人： C·韦卡特 ,  M·S·贝内特 ,  J-P·吉劳德

IPC分类号： A61K9/00 ,  A61M5/31 ,  C23C16/00

CPC分类号： A61F9/0017 ,  A61J1/1468 ,  A61K9/0048 ,  A61K39/3955 ,  A61L31/08 ,  A61L31/088 ,  A61L31/14 ,  A61L2400/10 ,  A61L2420/08 ,  A61M5/002 ,  A61M5/3129 ,  A61M5/31505 ,  A61M5/3202 ,  A61M5/5086 ,  A61M2005/3131 ,  A61M2205/0222 ,  A61M2207/10 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505

摘要： 披露了例如注射器、药筒或小瓶等药物包装中的眼科药物的液体配制品，所述药物包装部分或全部由热塑性聚合物制成，在内部涂覆有衔接涂层或层、阻隔涂层或层、pH保护涂层或层、以及任选的润滑涂层或层。

公开(公告)号：CN108630581A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810217598.8

申请日：2018-03-16

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 钱骏 ,  普鲁沙塔姆·库马尔 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  翟佑 ,  耶利米·鲍尔温 ,  金孙齐

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： C23C16/45557 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67253

摘要： 本发明涉及衬底处理系统的前体蒸气供应系统中流监测的系统和方法。一种使用蒸气输送系统在衬底处理系统中输送汽化前体的方法包括：(a)在衬底的沉积时间段期间选择性地将推送气体供应到储存液体前体和汽化前体的安瓿的入口；(b)在所述沉积时间段期间测量安瓿出口处的推送气体和汽化前体的压力；(c)确定在沉积时间段期间的最大压力；(d)基于采样间隔和采样间隔期间的最大压力来确定针对所述沉积时间段的积分面积；(e)针对衬底的多个沉积时间段来重复(a)、(b)、(c)和(d)。

公开(公告)号：CN104513973B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201410513782.9

申请日：2014-09-29

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 斯利士·K·雷迪 ,  季春海 ,  陈欣怡 ,  普拉莫德·苏布拉莫尼姆

IPC分类号： C23C16/505 ,  C23C16/26

CPC分类号： H01L21/0332 ,  C23C16/505 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274

摘要： 提供了使用等离子体增强化学气相沉积形成高蚀刻选择性、低应力的可灰化硬膜的方法。在某些实施方式中，所述方法涉及在使用双射频等离子体源沉积可灰化硬膜期间在保持高频射频功率恒定的同时使低频射频功率脉动。根据各种实施方式，低频射频功率可以在非零水平之间脉动或者通过开启和关闭低频射频功率而脉动。所得的沉积的高选择性可灰化硬膜由于一个或多个因素可以具有减小的应力，这些因素包括在可灰化硬膜上减少的离子和原子轰击以及陷入可灰化硬膜中更低水平的氢。

公开(公告)号：CN108112266A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201680036964.9

申请日：2016-04-13

申请人： 弗劳恩霍夫应用研究促进协会

发明人： M.弗格尔 ,  S.布伦斯 ,  H-U.克里歇尔多夫 ,  L.舍费尔 ,  M.赫费尔 ,  M.阿姆加尔特

IPC分类号： G02B1/115 ,  G02B1/14

CPC分类号： G02B1/115 ,  C23C14/35 ,  C23C16/271 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  G02B1/02 ,  G02B1/14

摘要： 本发明涉及一种涂层物体（100），其包括衬底（1）和布置在所述衬底（1）上的光学涂层（2），其中所述光学涂层（2）具有减少反射的层序列（3），所述减少反射的层序列包括一个具有折射率nA的覆盖层（4）和至少一个具有折射率nD1 > nA的金刚石层（5），其中所述金刚石层（5）布置在所述覆盖层（4）与所述衬底（1）之间而且具有金刚石晶体或由金刚石晶体组成，其中所述金刚石层（5）具有小于500nm的层厚度。

公开(公告)号：CN108004522A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711104392.6

申请日：2017-11-10

申请人： 北京印刷学院

发明人： 刘忠伟 ,  桑利军 ,  郭群

IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505

CPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/505

摘要： 本发明公开了一种等离子体增强原子层沉积碳化镍薄膜的设备及方法，包括有载气瓶、氢气瓶、AMD-Ni单体瓶、DAD-Ni单体瓶、加热炉、机械泵和射频电源，将AMD-Ni单体瓶和DAD-Ni单体瓶放在加热套内，加热套内壁缠上加热带，在加热炉内设有反应腔，反应腔内放有基片台，基片台内置有热电偶，所述的载气瓶的出气口分别连接质量流量控制器一、流量控制器二、流量控制器三，流量控制器一的出口依次连接ALD阀一和AMD-Ni单体瓶的进口，流量控制器二的出口依次连接ALD阀二和DAD-Ni单体瓶的进口、流量控制器三的出口依次连接ALD阀三和三通阀的一口。

公开(公告)号：CN107974664A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201610915358.6

申请日：2016-10-21

申请人： 苏州今道创业投资有限公司

发明人： 李宇 ,  陈品良

IPC分类号： C23C16/22 ,  C23C16/50

CPC分类号： C23C16/22 ,  C23C16/505

摘要： 本申请公开了一种铁掺杂含氢非晶碳薄膜及其制备方法,铁掺杂含氢非晶碳薄膜的制备方法，包括：s1、衬底经丙酮和无水乙醇超声清洗；s2、以氢气和/反式-2-丁稀/异丁烯作为载气，以二茂铁粉作为碳源和铁源前驱体，采用射频电感耦合等离子体增强方法在衬底表面沉积掺杂铁的含氢非晶碳薄膜；s3、沉积的膜通过H+原位处理2～3小时；s4、在氮气氛围保护下，于400～600℃退火10～30分钟。本发明制备方法简单，通过低含量Fe的掺杂，所制得的膜发光中心在1.92eV，发光强度高，在紫外光电探测器等领用具有应用前景。

公开(公告)号：CN107406977A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680011976.6

申请日：2016-02-25

申请人： 应用材料公司

发明人： 塔帕什·查克拉博蒂 ,  普莉娜·古拉迪雅 ,  罗伯特·简·维瑟

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56

CPC分类号： H01L21/28518 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  C30B25/165 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636

摘要： 本文提供了使用自组装单层(self-assembled monolayer；SAM)的选择性电介质沉积的方法。一种在具有暴露的硅表面和暴露的含硅表面的基板顶上选择性沉积低k电介质层的方法，包括：(a)在暴露的含硅表面顶上生长基于有机硅烷的自组装单层，其中基于有机硅烷的自组装单层在大于约300摄氏度的第一温度下是热稳定的；以及(b)在基板的暴露的硅表面顶上选择性地沉积低k电介质层，其中基于有机硅烷的自组装单层抑制低k电介质层沉积在含硅表面顶上。

公开(公告)号：CN107227451A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710495315.1

申请日：2017-06-26

申请人： 广东振华科技股份有限公司

发明人： 潘振强 ,  朱惠钦

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505

摘要： 本发明属于真空镀膜技术领域，具体公开贵金属防氧化膜的真空镀膜方法，具体步骤是：(1)对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理：(2)在低真空度的环境下，对待镀的贵金属基材通过离子源放电方式进行表面放电处理；(3)上述待镀的贵金属基材在本底真空环境下，采用等离子体化学气相沉积的方法，在高压功率源的作用下，在待镀的贵金属基材的表面镀制氧化硅防氧化膜；(4)完成整个防氧化薄膜过程。该镀膜方法能在贵金属的表面沉积纳米无机非金属氧化物透明保护薄膜，实现对金属银表面的防氧化防护，其以实现大批量贵金属表面的防氧化薄膜制备，提高设备的生产效率，同时采用该工艺制备的防氧化薄膜具有优良的基材附着力和耐摩擦性能。