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公开(公告)号：CN116835574A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310547327.X
申请日：2023-05-16
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C01B32/184 , C01B32/188 , C01B32/186 , B82Y40/00 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/58
Abstract: 本发明公开了一种通过气相沉积制备的C‑Ni薄膜热退火制备石墨烯的方法，方法包括步骤：通过磁控溅射在绝缘体或半导体上制备一层C掺杂Ni薄膜(C‑Ni薄膜)，对C‑Ni薄膜进行快速热退火处理，在薄膜C‑Ni薄膜上层或薄膜与基底界面处生成石墨烯，通过改变C‑Ni薄膜的制备条件以及退火条件，可以控制石墨烯的层数和质量。在绝缘体或半导体基底上直接制备石墨烯或掺杂石墨烯，可以避免其转移过程，可以避免对石墨烯引入杂质或褶皱等缺陷。
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公开(公告)号：CN115613004A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110783398.0
申请日：2021-07-12
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 内壁镀膜的塑料管及制备方法，属于塑料管应用技术领域。内壁镀膜的塑料管，在塑料管内壁有镀膜，所述镀膜为氧化钛、氧化铝或类金刚石，所述镀膜厚度为10～1000 nm，以化学键结合于塑料管基体表面。所述塑料管材质为PVC、PP、PE或PET，厚度为100～5000μm。本发明沉积的镀膜具有以下优异性能对气体、液体和油阻隔、抗迁移、抗粘附、低摩擦、抗冲刷、耐磨损，塑料管具有耐酸碱、耐腐蚀、防划痕及防潮防吸水、不潮解、不吸水、抗小分子迁移、不吸附，可以直接进行后续的工艺等优异性能。塑料管内壁镀膜附着力好，可抗液体流动冲刷、抗粘附、可低温存放、抗跌落、无破损、使用寿命长。
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公开(公告)号：CN112326771B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011229475.X
申请日：2020-11-06
Applicant: 北京印刷学院
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明涉及一种解析电喷雾电离装置，为了解决已有电喷雾电离装置无法用于液体表面或粉末样品电离检测的问题。该解析电喷雾电离装置，包括喷雾组件和中空导流组件，所述喷雾组件与中空导流组件同轴并密封安装在中空导流组件的一端。利用离子导流和气体导流空，仅仅使带电离子到达待分析表面，避免气流冲击待分析表面，从而可以用于液体表面、待测物表面粉末的原位分析和二维成像分析，扩大了应用范围。
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公开(公告)号：CN108385084A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810143831.2
申请日：2018-02-12
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/18 , C23C16/32 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明涉及一种化学气相沉积制备镍薄膜、碳化镍薄膜的设备及其方法。为了解决已有镍薄膜、碳化镍薄膜制备方法存在的工艺流程复杂、薄膜粒子尺寸与形貌难以调控、三维基材台阶覆盖率差的不足，本发明的制备镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，在该方法中，使用加热装置对镍单体瓶进行加热，将镍单体挥发为气体，气态镍与载气混合后通入沉积腔中，使用加热炉对沉积腔室进行加热，气态的镍单体在基材表面发生热分解反应生成镍薄膜、碳化镍薄膜与可挥发的副产物，镍薄膜、碳化镍薄膜沉积在基础表面，即得到镍薄膜、碳化镍薄膜。本发明方法相比于其他镍、碳化镍薄膜制备工艺，操作简便。本发明通过调控沉积温度，可以选择性沉积镍薄膜、碳化镍薄膜并可以调节镍碳比例。
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公开(公告)号：CN103643221B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310418810.4
申请日：2013-09-14
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/50 , C23C16/505
Abstract: 具有磁场增强旋转阵列电极的等离子体装置属于等离子体物理基础和应用领域。其特征在于包括：真空室、放电系统、卷绕系统；其中放电系统、卷绕系统均装在真空室内；放电系统包括旋转阵列电极（2-1）、射频或高频电源（2-2）、绝缘块和等离子体（2-4）；射频或高频电源（2-2）的两输出端分别连接到旋转阵列电极端部，绝缘块（2-3）使旋转阵列电极（2-1）和真空室（1-1）电隔离；外磁体位于旋转电极辊上方或下方，和内磁体构成一个闭合磁回路，约束放电产生的等离子体。本发明实现对电极阵列放电，阵列电极同时也是柔性基体旋转辊，提高等离子体的密度、增加放电稳定性、排除旋转阵列电极之间放电干扰、减少沉积薄膜对真空室的污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103882412A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410140035.5
申请日：2014-04-09
Applicant: 北京印刷学院 , 烟台鸿庆包装材料有限公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/40
Abstract: 本发明涉及一种采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法，属于阻隔薄膜制作技术领域。其特点是等离子体发生装置为常压射流式等离子体发生装置，通过输气管路引入放电气体，同时有机硅单体由载气携带进入射流枪内，与放电气体混合，在高压电极与接地射流头之间放电产生等离子体，形成纳米级薄膜气相成分，射流枪由高压电源驱动，等离子体经射流枪射流头喷出，在基材上沉积形成阻隔薄膜。本发明方法相比于其他阻隔薄膜制作工艺，生产成本低，制备速度快，操作简便，无需真空设备，在大气压条件下即可完成，对规则或不规则的基材表面均可实施薄膜沉积，同时材料便于回收利用，安全环保，可广泛用于食品行业、医药行业、真空绝热板等高阻隔层的制备。
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公开(公告)号：CN102534570A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210001348.3
申请日：2012-01-04
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法属于等离子体应用技术领域。本发明涉及一种采用空心阴极增强等离子体化学气相沉积工艺制备微晶硅薄膜的方法，尤其是利用微空心阴极阵列电极结构可以增加等离子体密度进而提高薄膜的沉积速率。这种电极结构可以提高放电效率，进而提高单体裂解率，增加空间里的活性基团浓度，大大提高薄膜的沉积速率，并可降低沉积温度。
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公开(公告)号：CN119746898A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510087968.0
申请日：2025-01-21
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明提供了一种镍基负载型催化剂及其制备方法和应用、二氧化碳甲烷化的方法，属于催化剂技术领域。本发明提供的镍基负载型催化剂，包括载体和负载在所述载体表面及孔道内的氧化镍；所述载体包括碳酸盐和/或柠檬酸盐。本发明以碳酸盐和/或柠檬酸盐作为载体，采用溶液燃烧法合成镍基负载型催化剂，具有更大的比表面积、更小的颗粒尺寸，以及氧化镍和载体之间具有更强的相互结合作用，具有优异的稳定性，能够实现长期在低温条件下催化CO2甲烷化。本发明通过将镍基负载型催化剂和低温等离子体结合，能够实现常温常压下催化CO2甲烷化，且具有较高的CO2转化率和CH4选择性。
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公开(公告)号：CN103643221A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310418810.4
申请日：2013-09-14
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/50 , C23C16/505
Abstract: 具有磁场增强旋转阵列电极的等离子体装置属于等离子体物理基础和应用领域。其特征在于包括：真空室、放电系统、卷绕系统；其中放电系统、卷绕系统均装在真空室内；放电系统包括旋转阵列电极（2-1）、射频或高频电源（2-2）、绝缘块和等离子体（2-4）；射频或高频电源（2-2）的两输出端分别连接到旋转阵列电极端部，绝缘块（2-3）使旋转阵列电极（2-1）和真空室（1-1）电隔离；外磁体位于旋转电极辊上方或下方，和内磁体构成一个闭合磁回路，约束放电产生的等离子体。本发明实现对电极阵列放电，阵列电极同时也是柔性基体旋转辊，提高等离子体的密度、增加放电稳定性、排除旋转阵列电极之间放电干扰、减少沉积薄膜对真空室的污染。
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公开(公告)号：CN102534570B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210001348.3
申请日：2012-01-04
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法属于等离子体应用技术领域。本发明涉及一种采用空心阴极增强等离子体化学气相沉积工艺制备微晶硅薄膜的方法，尤其是利用微空心阴极阵列电极结构可以增加等离子体密度进而提高薄膜的沉积速率。这种电极结构可以提高放电效率，进而提高单体裂解率，增加空间里的活性基团浓度，大大提高薄膜的沉积速率，并可降低沉积温度。
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