具有磁场增强旋转阵列电极的等离子体装置

    公开(公告)号:CN103643221A

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201310418810.4

    申请日:2013-09-14

    Abstract: 具有磁场增强旋转阵列电极的等离子体装置属于等离子体物理基础和应用领域。其特征在于包括:真空室、放电系统、卷绕系统;其中放电系统、卷绕系统均装在真空室内;放电系统包括旋转阵列电极(2-1)、射频或高频电源(2-2)、绝缘块和等离子体(2-4);射频或高频电源(2-2)的两输出端分别连接到旋转阵列电极端部,绝缘块(2-3)使旋转阵列电极(2-1)和真空室(1-1)电隔离;外磁体位于旋转电极辊上方或下方,和内磁体构成一个闭合磁回路,约束放电产生的等离子体。本发明实现对电极阵列放电,阵列电极同时也是柔性基体旋转辊,提高等离子体的密度、增加放电稳定性、排除旋转阵列电极之间放电干扰、减少沉积薄膜对真空室的污染。

    一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法

    公开(公告)号:CN102534570B

    公开(公告)日:2014-02-19

    申请号:CN201210001348.3

    申请日:2012-01-04

    Abstract: 一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法属于等离子体应用技术领域。本发明涉及一种采用空心阴极增强等离子体化学气相沉积工艺制备微晶硅薄膜的方法,尤其是利用微空心阴极阵列电极结构可以增加等离子体密度进而提高薄膜的沉积速率。这种电极结构可以提高放电效率,进而提高单体裂解率,增加空间里的活性基团浓度,大大提高薄膜的沉积速率,并可降低沉积温度。

    一种解析电喷雾电离装置

    公开(公告)号:CN112326771A

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN202011229475.X

    申请日:2020-11-06

    Abstract: 本发明涉及一种解析电喷雾电离装置,为了解决已有电喷雾电离装置无法用于液体表面或粉末样品电离检测的问题。该解析电喷雾电离装置,包括喷雾组件和中空导流组件,所述喷雾组件与中空导流组件同轴并密封安装在中空导流组件的一端。利用离子导流和气体导流空,仅仅使带电离子到达待分析表面,避免气流冲击待分析表面,从而可以用于液体表面、待测物表面粉末的原位分析和二维成像分析,扩大了应用范围。

    大气压等离子体对塑料表面进行接枝改性的方法及生产线

    公开(公告)号:CN103881130A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201410111213.1

    申请日:2014-03-25

    Abstract: 本发明涉及一种大气压气体放电等离子体对塑料表面进行接枝改性的方法及生产线,属于塑料表面处理技术领域。该生产线包括塑料走膜系统、等离子体放电系统和黏合剂涂布系统,等离子体放电系统包括放电表面正向相对且平行放置的第一平板电极和贴有绝缘介质的第二平板电极,第一平板电极的放电表面与绝缘介质之间的间隙组成的等离子体放电区域,待处理的塑料膜通过塑料走膜系统进入等离子体放电系统的等离子体放电区域进行接枝改性处理,经处理后进入黏合剂涂布系统涂布完成处理。本发明缩短了生产线,减少了工序,降低了环境污染、能耗和生产线占地面积,利用该方法对塑料表面处理,降低了成本,保证了黏合剂附着牢固。

    一种解析电喷雾电离装置

    公开(公告)号:CN112326771B

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202011229475.X

    申请日:2020-11-06

    Abstract: 本发明涉及一种解析电喷雾电离装置,为了解决已有电喷雾电离装置无法用于液体表面或粉末样品电离检测的问题。该解析电喷雾电离装置,包括喷雾组件和中空导流组件,所述喷雾组件与中空导流组件同轴并密封安装在中空导流组件的一端。利用离子导流和气体导流空,仅仅使带电离子到达待分析表面,避免气流冲击待分析表面,从而可以用于液体表面、待测物表面粉末的原位分析和二维成像分析,扩大了应用范围。

    具有磁场增强旋转阵列电极的等离子体装置

    公开(公告)号:CN103643221B

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201310418810.4

    申请日:2013-09-14

    Abstract: 具有磁场增强旋转阵列电极的等离子体装置属于等离子体物理基础和应用领域。其特征在于包括:真空室、放电系统、卷绕系统;其中放电系统、卷绕系统均装在真空室内;放电系统包括旋转阵列电极(2-1)、射频或高频电源(2-2)、绝缘块和等离子体(2-4);射频或高频电源(2-2)的两输出端分别连接到旋转阵列电极端部,绝缘块(2-3)使旋转阵列电极(2-1)和真空室(1-1)电隔离;外磁体位于旋转电极辊上方或下方,和内磁体构成一个闭合磁回路,约束放电产生的等离子体。本发明实现对电极阵列放电,阵列电极同时也是柔性基体旋转辊,提高等离子体的密度、增加放电稳定性、排除旋转阵列电极之间放电干扰、减少沉积薄膜对真空室的污染。

    一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法

    公开(公告)号:CN102534570A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201210001348.3

    申请日:2012-01-04

    Abstract: 一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法属于等离子体应用技术领域。本发明涉及一种采用空心阴极增强等离子体化学气相沉积工艺制备微晶硅薄膜的方法,尤其是利用微空心阴极阵列电极结构可以增加等离子体密度进而提高薄膜的沉积速率。这种电极结构可以提高放电效率,进而提高单体裂解率,增加空间里的活性基团浓度,大大提高薄膜的沉积速率,并可降低沉积温度。

    一种连续生产高附着力镀铝膜的装置及方法

    公开(公告)号:CN106521427B

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201611039640.9

    申请日:2016-11-22

    Abstract: 本发明公开了一种连续生产高附着力镀铝膜的装置及方法,属于柔性包装基材薄膜技术领域。本发明的装置由放卷辊(1)、张力辊(2)、溅射室(3)、镀膜室(4)、收卷辊(5)以及辅助的水路、电路、气路系统和真空系统构成。本发明的方法包括柔性基材经放卷辊(1)和收卷辊(5)装置驱动柔性基材匀速走膜、柔性基材在经过溅射室(3)时溅射沉积缓冲层和沉积有缓冲层的柔性基材经过镀膜室(4)时沉积铝膜三个主要步骤。本发明公开的装置和方法能够连续操作,溅射缓冲层和镀铝过程在同一个系统中完成,在操作过程中柔性基材无需取出,有利于工业化连续生产,大幅提高生产效率。

    电池隔膜的表面改性处理方法

    公开(公告)号:CN103972451B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201410216920.7

    申请日:2014-05-21

    Abstract: 本发明属于材料表面改性处理技术,特别是对电池隔膜进行表面改性处理的方法。其原理为在离子辅助电子束蒸发镀膜装置中,无机氧化物原料被加热蒸发、沉积至电池隔膜表面形成氧化物涂层的过程中,硅氧烷类有机单体被离子源电离活化并掺杂至无机氧化物涂层中。由于无机氧化物涂层的引入,提高了聚烯烃隔膜的亲水性和耐热性。且由于硅氧烷类有机单体的离化掺杂效应,明显降低无机氧化物涂层的内应力和阻隔性,从而使聚烯烃隔膜可以较好地保持原有的柔韧性和孔隙。从而,改善聚烯烃电池隔膜的亲水性、耐热性,并保持较好的柔韧性和孔隙率。

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