公开(公告)号：CN102677022B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201210001350.0

申请日：2012-01-04

Applicant: 北京印刷学院

Inventor： 陈强 ,  杨丽珍 ,  王正铎 ,  桑利军 ,  刘忠伟 ,  张受业

IPC: C23C16/50

Abstract: 一种原子层沉积装置属于等离子体应用技术领域，涉及一种阵列式空心阴极结构的等离子体发生装置。该装置包括配气系统(1)、真空腔室(2)、阵列式空心阴极上电极(3)、平板式接地下电极(4)、抽真空系统(5)、电源系统(6)，所述阵列式空心阴极上电极(3)带有多个均匀分布的直径范围为1-3mm的通孔，相邻的孔的间距为2-4mm，阵列式空心阴极上电极(3)与平板式接地下电极(4)之间的间距为5-20mm，阵列式空心电极(3)连接配气系统(1)的供气管道。该装置降低等离子体温度，改善其他一些等离子体参数，从而提高沉积效率，并优化所沉积材料的微观结构和性能。

公开(公告)号：CN102677022A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210001350.0

申请日：2012-01-04

Applicant: 北京印刷学院

Inventor： 陈强 ,  杨丽珍 ,  王正铎 ,  桑利军 ,  刘忠伟 ,  张受业

IPC: C23C16/50

Abstract: 一种原子层沉积装置属于等离子体应用技术领域，涉及一种阵列式空心阴极结构的等离子体发生装置。该装置包括配气系统(1)、真空腔室(2)、阵列式空心阴极上电极(3)、平板式接地下电极(4)、抽真空系统(5)、电源系统(6)，所述阵列式空心阴极上电极(3)带有多个均匀分布的直径范围为1-3mm的通孔，相邻的孔的间距为2-4mm，阵列式空心阴极上电极(3)与平板式接地下电极(4)之间的间距为5-20mm，阵列式空心电极(3)连接配气系统(1)的供气管道。该装置降低等离子体温度，改善其他一些等离子体参数，从而提高沉积效率，并优化所沉积材料的微观结构和性能。

公开(公告)号：CN102534570A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210001348.3

申请日：2012-01-04

Applicant: 北京印刷学院

Inventor： 陈强 ,  杨丽珍 ,  王正铎 ,  刘忠伟 ,  张春梅 ,  张受业

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/24

Abstract: 一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法属于等离子体应用技术领域。本发明涉及一种采用空心阴极增强等离子体化学气相沉积工艺制备微晶硅薄膜的方法，尤其是利用微空心阴极阵列电极结构可以增加等离子体密度进而提高薄膜的沉积速率。这种电极结构可以提高放电效率，进而提高单体裂解率，增加空间里的活性基团浓度，大大提高薄膜的沉积速率，并可降低沉积温度。

公开(公告)号：CN102534570B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201210001348.3

申请日：2012-01-04

Applicant: 北京印刷学院

Inventor： 陈强 ,  杨丽珍 ,  王正铎 ,  刘忠伟 ,  张春梅 ,  张受业

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/24

Abstract: 一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法属于等离子体应用技术领域。本发明涉及一种采用空心阴极增强等离子体化学气相沉积工艺制备微晶硅薄膜的方法，尤其是利用微空心阴极阵列电极结构可以增加等离子体密度进而提高薄膜的沉积速率。这种电极结构可以提高放电效率，进而提高单体裂解率，增加空间里的活性基团浓度，大大提高薄膜的沉积速率，并可降低沉积温度。