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公开(公告)号：CN112501589A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011229445.9
申请日：2020-11-06
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积装置，为了解决现有的热原子层沉积过程中，当沉积温度高于前驱体温度窗口上限时，沉积方式变为化学气相沉积问题，该装置包括可变温的基片台与沉积腔，实现了低温吸附、高温分解或进行反应，从而避免了原子层沉积受限于沉积窗口，拓展了原子层沉积技术前驱体的选择范围。
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公开(公告)号：CN101921994A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010241708.8
申请日：2010-07-30
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/40 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法。本发明用双频即微波ECR加射频负偏压设备产生等离子体沉积氧化铝薄膜。用微波ECR加射频负偏压系统使工作气体产生等离子体，以三甲基铝(TMA)为单体，用TMA-Ar-O2-Ar的交替脉冲的方式用等离子体方法实现原子层沉积氧化铝薄膜，沉积温度为室温。由于采用等离子体作为活性基的产生方式，沉积可以在较低的环境温度下进行，且生长速率较热原子层沉积高，约为0.12nm/周期，制备的薄膜质量也较热原子层沉积高。所得的Al2O3薄膜可广泛地应用于微电子器件、电致发光器件、光波导器件以及抗腐蚀涂层等众多领域。
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公开(公告)号：CN116835574A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310547327.X
申请日：2023-05-16
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C01B32/184 , C01B32/188 , C01B32/186 , B82Y40/00 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/58
Abstract: 本发明公开了一种通过气相沉积制备的C‑Ni薄膜热退火制备石墨烯的方法，方法包括步骤：通过磁控溅射在绝缘体或半导体上制备一层C掺杂Ni薄膜(C‑Ni薄膜)，对C‑Ni薄膜进行快速热退火处理，在薄膜C‑Ni薄膜上层或薄膜与基底界面处生成石墨烯，通过改变C‑Ni薄膜的制备条件以及退火条件，可以控制石墨烯的层数和质量。在绝缘体或半导体基底上直接制备石墨烯或掺杂石墨烯，可以避免其转移过程，可以避免对石墨烯引入杂质或褶皱等缺陷。
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公开(公告)号：CN103643221B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310418810.4
申请日：2013-09-14
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/50 , C23C16/505
Abstract: 具有磁场增强旋转阵列电极的等离子体装置属于等离子体物理基础和应用领域。其特征在于包括：真空室、放电系统、卷绕系统；其中放电系统、卷绕系统均装在真空室内；放电系统包括旋转阵列电极（2-1）、射频或高频电源（2-2）、绝缘块和等离子体（2-4）；射频或高频电源（2-2）的两输出端分别连接到旋转阵列电极端部，绝缘块（2-3）使旋转阵列电极（2-1）和真空室（1-1）电隔离；外磁体位于旋转电极辊上方或下方，和内磁体构成一个闭合磁回路，约束放电产生的等离子体。本发明实现对电极阵列放电，阵列电极同时也是柔性基体旋转辊，提高等离子体的密度、增加放电稳定性、排除旋转阵列电极之间放电干扰、减少沉积薄膜对真空室的污染。
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公开(公告)号：CN101921994B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010241708.8
申请日：2010-07-30
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/40 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法。本发明用双频即微波ECR加射频负偏压设备产生等离子体沉积氧化铝薄膜。用微波ECR加射频负偏压系统使工作气体产生等离子体，以三甲基铝(TMA)为单体，用TMA-Ar-O2-Ar的交替脉冲的方式用等离子体方法实现原子层沉积氧化铝薄膜，沉积温度为室温。由于采用等离子体作为活性基的产生方式，沉积可以在较低的环境温度下进行，且生长速率较热原子层沉积高，约为0.12nm/周期，制备的薄膜质量也较热原子层沉积高。所得的Al2O3薄膜可广泛地应用于微电子器件、电致发光器件、光波导器件以及抗腐蚀涂层等众多领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106521427B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201611039640.9
申请日：2016-11-22
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明公开了一种连续生产高附着力镀铝膜的装置及方法，属于柔性包装基材薄膜技术领域。本发明的装置由放卷辊(1)、张力辊(2)、溅射室(3)、镀膜室(4)、收卷辊(5)以及辅助的水路、电路、气路系统和真空系统构成。本发明的方法包括柔性基材经放卷辊(1)和收卷辊(5)装置驱动柔性基材匀速走膜、柔性基材在经过溅射室(3)时溅射沉积缓冲层和沉积有缓冲层的柔性基材经过镀膜室(4)时沉积铝膜三个主要步骤。本发明公开的装置和方法能够连续操作，溅射缓冲层和镀铝过程在同一个系统中完成，在操作过程中柔性基材无需取出，有利于工业化连续生产，大幅提高生产效率。
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公开(公告)号：CN108004522A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711104392.6
申请日：2017-11-10
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/32 , C23C16/455 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/32 , C23C16/4554 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种等离子体增强原子层沉积碳化镍薄膜的设备及方法，包括有载气瓶、氢气瓶、AMD-Ni单体瓶、DAD-Ni单体瓶、加热炉、机械泵和射频电源，将AMD-Ni单体瓶和DAD-Ni单体瓶放在加热套内，加热套内壁缠上加热带，在加热炉内设有反应腔，反应腔内放有基片台，基片台内置有热电偶，所述的载气瓶的出气口分别连接质量流量控制器一、流量控制器二、流量控制器三，流量控制器一的出口依次连接ALD阀一和AMD-Ni单体瓶的进口，流量控制器二的出口依次连接ALD阀二和DAD-Ni单体瓶的进口、流量控制器三的出口依次连接ALD阀三和三通阀的一口。
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公开(公告)号：CN106521427A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611039640.9
申请日：2016-11-22
Applicant: 北京印刷学院
CPC classification number: C23C14/26 , C23C14/16 , C23C14/165 , C23C14/205 , C23C14/30 , C23C14/35 , C23C14/562
Abstract: 本发明公开了一种连续生产高附着力镀铝膜的装置及方法，属于柔性包装基材薄膜技术领域。本发明的装置由放卷辊(1)、张力辊(2)、溅射室(3)、镀膜室(4)、收卷辊(5)以及辅助的水路、电路、气路系统和真空系统构成。本发明的方法包括柔性基材经放卷辊(1)和收卷辊(5)装置驱动柔性基材匀速走膜、柔性基材在经过溅射室材经过镀膜室(4)时沉积铝膜三个主要步骤。本发明公开的装置和方法能够连续操作，溅射缓冲层和镀铝过程在同一个系统中完成，在操作过程中柔性基材无需取出，有利于工业化连续生产，大幅提高生产效率。(3)时溅射沉积缓冲层和沉积有缓冲层的柔性基
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公开(公告)号：CN102677022B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210001350.0
申请日：2012-01-04
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/50
Abstract: 一种原子层沉积装置属于等离子体应用技术领域，涉及一种阵列式空心阴极结构的等离子体发生装置。该装置包括配气系统(1)、真空腔室(2)、阵列式空心阴极上电极(3)、平板式接地下电极(4)、抽真空系统(5)、电源系统(6)，所述阵列式空心阴极上电极(3)带有多个均匀分布的直径范围为1-3mm的通孔，相邻的孔的间距为2-4mm，阵列式空心阴极上电极(3)与平板式接地下电极(4)之间的间距为5-20mm，阵列式空心电极(3)连接配气系统(1)的供气管道。该装置降低等离子体温度，改善其他一些等离子体参数，从而提高沉积效率，并优化所沉积材料的微观结构和性能。
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公开(公告)号：CN102677022A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210001350.0
申请日：2012-01-04
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/50
Abstract: 一种原子层沉积装置属于等离子体应用技术领域，涉及一种阵列式空心阴极结构的等离子体发生装置。该装置包括配气系统(1)、真空腔室(2)、阵列式空心阴极上电极(3)、平板式接地下电极(4)、抽真空系统(5)、电源系统(6)，所述阵列式空心阴极上电极(3)带有多个均匀分布的直径范围为1-3mm的通孔，相邻的孔的间距为2-4mm，阵列式空心阴极上电极(3)与平板式接地下电极(4)之间的间距为5-20mm，阵列式空心电极(3)连接配气系统(1)的供气管道。该装置降低等离子体温度，改善其他一些等离子体参数，从而提高沉积效率，并优化所沉积材料的微观结构和性能。
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