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公开(公告)号：CN103946916A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280039946.8
申请日：2012-08-10
申请人： 普拉斯玛比利提有限责任公司
CPC分类号： G06F3/03542 , G06F1/325 , G06F3/037 , G06F3/0386 , G06F3/0416 , Y02D50/20
摘要： 一种用于平板显示器的具有节能和远程访问的CRT光笔接口仿真器包括笔的平板显示器，其指示至少一个用户使用光笔开关或其它装置的动作和位于其上或临近电磁笔平板显示器的显示表面的光笔仿真对象的存在。光笔仿真对象，其位于临近电磁笔平板显示器。处理器产生光笔仿真信号，该信号包括光笔仿真对象相对于电磁笔平板显示器的显示表面的位置数据。光笔CRT电子设备接口，具有电连接到处理器输出的输入，该光笔CRT电子设备接口把光笔仿真对象的位置数据转换为由CRT光笔查看CRT屏幕上的扫描点所产生的信号相比较的相应信号。
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公开(公告)号：CN105144849B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201480014623.2
申请日：2014-03-14
申请人： 普拉斯玛比利提有限责任公司
CPC分类号： C23C16/505 , C23C16/26 , C23C16/272 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32458 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要： 一种包含真空室的等离子体处理装置，该真空室包含：管道、处理室、用于将气体引入真空室内的第一气体输入口，以及用于从真空室中排出气体的泵出口。磁芯包围着管道。射频电源的输出与磁芯电连接。射频电源给磁芯供电，由此在真空室内形成环形等离子体回路放电。用于在等离子体处理期间支撑工件的台板位于处理室内。
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公开(公告)号：CN103946916B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280039946.8
申请日：2012-08-10
申请人： 普拉斯玛比利提有限责任公司
CPC分类号： G06F3/03542 , G06F1/325 , G06F3/037 , G06F3/0386 , G06F3/0416 , Y02D50/20
摘要： 一种用于平板显示器的具有节能和远程访问的CRT光笔接口仿真器包括笔的平板显示器，其指示至少一个用户使用光笔开关或其它装置的动作和位于其上或临近电磁笔平板显示器的显示表面的光笔仿真对象的存在。光笔仿真对象，其位于临近电磁笔平板显示器。处理器产生光笔仿真信号，该信号包括光笔仿真对象相对于电磁笔平板显示器的显示表面的位置数据。光笔CRT电子设备接口，具有电连接到处理器输出的输入，该光笔CRT电子设备接口把光笔仿真对象的位置数据转换为由CRT光笔查看CRT屏幕上的扫描点所产生的信号相比较的相应信号。
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公开(公告)号：CN114787430A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080084769.X
申请日：2020-12-07
申请人： 普拉斯玛比利提有限责任公司
摘要： 一种通过多晶金刚石生长辅助的生长单晶金刚石以提高单晶金刚石的尺寸和品质的方法，包括将金刚石籽晶热配合在基材支架的顶表面上，其提供用于单晶金刚石和多晶金刚石的组合的生长表面。在加工期间所述金刚石籽晶和所述基材支架之间的预定温度差连同等离子体工艺条件导致单晶金刚石生长速率与多晶生长速率相差预定量。引入工艺气体，和形成等离子体以在所述生长表面上生长单晶金刚石和多晶金刚石两者，使得邻近所述单晶金刚石生长的所述多晶金刚石保护正在生长的单晶金刚石的侧表面，从而改善跨正在生长的单晶金刚石的生长品质。
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公开(公告)号：CN107810542A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201680036668.9
申请日：2016-05-16
申请人： 普拉斯玛比利提有限责任公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/27 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/505 , C30B25/10 , C30B25/12 , C30B25/16 , C30B29/04 , C30B25/14
摘要： 一种等离子体处理装置包括环形形状的等离子体容器，环形形状的等离子体容器包括处理室。磁芯围绕环形形状的等离子体容器的一部分。具有电连接到的磁芯的输出的RF电源向磁芯通电，由此在等离子体室中形成环形等离子体回路放电。工件夹具放置于环形形状的等离子体容器中并且包括至少一个面。形成等离子体引导结构的形状和尺寸以便将等离子体的一段约束在环形等离子体回路中，以基本上垂直于至少一个面的法向而行进。
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公开(公告)号：CN105144849A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480014623.2
申请日：2014-03-14
申请人： 普拉斯玛比利提有限责任公司
CPC分类号： C23C16/505 , C23C16/26 , C23C16/272 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32458 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要： 一种包含真空室的等离子体处理装置，该真空室包含：管道、处理室、用于将气体引入真空室内的第一气体输入口，以及用于从真空室中排出气体的泵出口。磁芯包围着管道。射频电源的输出与磁芯电连接。射频电源给磁芯供电，由此在真空室内形成环形等离子体回路放电。用于在等离子体处理期间支撑工件的台板位于处理室内。
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