公开(公告)号：CN114787430A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080084769.X

申请日：2020-12-07

申请人： 普拉斯玛比利提有限责任公司

发明人： R·J·巴斯奈特 ,  A·F·巴斯奈特 ,  A·查尔斯埃尔南德斯 ,  W·霍尔伯 ,  T·C·韦德 ,  A·J·布朗

IPC分类号： C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/10 ,  C30B25/12 ,  C30B29/04

摘要： 一种通过多晶金刚石生长辅助的生长单晶金刚石以提高单晶金刚石的尺寸和品质的方法，包括将金刚石籽晶热配合在基材支架的顶表面上，其提供用于单晶金刚石和多晶金刚石的组合的生长表面。在加工期间所述金刚石籽晶和所述基材支架之间的预定温度差连同等离子体工艺条件导致单晶金刚石生长速率与多晶生长速率相差预定量。引入工艺气体，和形成等离子体以在所述生长表面上生长单晶金刚石和多晶金刚石两者，使得邻近所述单晶金刚石生长的所述多晶金刚石保护正在生长的单晶金刚石的侧表面，从而改善跨正在生长的单晶金刚石的生长品质。