公开(公告)号：CN100339996C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410031794.4

申请日：2004-03-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰 ,  木岛健 ,  柄泽润一 ,  大桥幸司 ,  名取荣治

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02197 ,  G11C11/22 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

Abstract: 一种强电介质材料，在以通式ABO3表示的复合氧化物的原料中含有补偿A部位缺损的A部位补偿成分和补偿B部位缺损的B部位补偿成分；该原料含有钛酸锆酸铅；添加有至少取2价状态的元素和至少取3价状态的元素作为A部位补偿成分；添加有至少取5价状态的元素作为B部位补偿成分；取2价状态的元素的添加量是相对A部位的构成元素的1摩尔%～30摩尔%；取3价状态的元素的添加量是相对所述A部位的构成元素的1摩尔%～30摩尔%；取5价状态的元素的添加量是相对B部位的构成元素的1摩尔%～30摩尔%；取2价状态的添加量、取3价状态的添加量、取5价状态的添加量的合计是对A部位和B部位的全部构成元素的5摩尔%～40摩尔%。

公开(公告)号：CN1983462A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610172524.4

申请日：2003-10-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治 ,  大桥幸司

IPC: H01B3/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01L41/22 ,  C01G33/00

Abstract: 一种强电介质膜的制造方法，包括使用溶胶凝胶溶液形成强电介质膜的工序，使用至少混合PbZrO3用溶胶凝胶溶液、PbTiO3用溶胶凝胶溶液和PbNbO3用溶胶凝胶溶液的溶液作为所述溶胶凝胶溶液。

公开(公告)号：CN1979908A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610160693.6

申请日：2006-12-06

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 上野真由美 ,  樋口天光 ,  木岛健

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H03H9/25 ,  H03H9/145 ,  H03H9/64 ,  H03H9/15 ,  H03H9/00

Abstract: 本发明提供了一种在基体上形成有包括铌酸钾钠的压电体层的压电层压体。压电层压体(100)包括基体(1)和形成于所述基体(1)的上方的、包括铌酸钾钠的第一压电体层(3)。所述第一压电体层(3)以组成式(KaNa1－a)xNbO3表示，在该组成式中，0.1＜a＜1，1≤x≤1.2。

公开(公告)号：CN1979898A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610161862.8

申请日：2006-12-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  小西晃雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明提供一种具有新型结构的晶体管型铁电存储器。晶体管型铁电存储器(100)包括：基板(10)；在上述基板(10)的上方形成的栅电极(20)；在上述基板(10)的上方形成的覆盖上述栅电极(20)的铁电层(30)；在上述铁电层(30)的上方形成的源电极(40)；在上述铁电层(30)的上方形成的位于和上述源电极(40)分离位置的漏电极(42)；以及在上述铁电层(30)的上方形成的位于上述源电极(40)和上述漏电极(42)之间位置的沟道层(50)。

公开(公告)号：CN1312744C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200310119519.3

申请日：2003-12-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  名取荣治

IPC: H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种氧化物薄膜的制造方法，采用超临界流体作为溶剂，包括以下步骤：让由超临界流体构成的气泡溶存于氧化物的原料溶液中，在超临界流体中溶解氧化物的构成元素；将溶解有超临界流体的原料溶液涂敷在基板上；将涂敷有原料溶液的基板退火，让氧化物结晶化。

公开(公告)号：CN1924083A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610112283.4

申请日：2006-08-30

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  樋口天光

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/493 ,  C04B35/497 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/6325 ,  C04B35/6346 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/768 ,  C23C14/088 ,  H01L21/31691 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供一种可在与现有的烧结法相比温度非常低的环境下获得的绝缘性靶材。上述绝缘性靶材用于获得以通式AB1－xCxO3表示的绝缘性复合氧化膜，其中，A元素至少包括Pb，B元素包括Zr、Ti、V、W以及Hf中的至少一种，C元素包括Nb以及Ta中的至少一种。

公开(公告)号：CN1873926A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610081030.5

申请日：2006-05-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L41/318 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明公开了一种铁电体层的制造方法，在例如层叠型铁电电容器的铁电体层的制造方法中，可得到具有良好定向性的铁电体层。铁电体层的制造方法包括：利用气相法在基体的上方形成第一铁电体层(22)的工序；以及利用液相法在第一铁电体层(22)的上方形成第二铁电体层(24)的工序。

公开(公告)号：CN1797770A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510134101.9

申请日：2005-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  古林智一

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01B3/02 ,  H01G4/06 ,  C01G33/00 ,  C01G29/00

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/768 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种铁电膜、铁电膜的制造方法，本发明涉及的铁电膜(101)的制造方法包括：(a)将含有铌元素的多元羧酸盐、含铋元素的多元羧酸盐、多元羧酸或多元羧酸酯、和有机溶剂混合的工序；(b)将混合的溶液涂布在基体上之后进行热处理，由此形成由BiNbO4构成的铁电膜的工序。根据本发明，可以提供不含铅的可靠性高的铁电体及其制造方法、铁电体电容器以及铁电存储器。

公开(公告)号：CN1763911A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510107137.8

申请日：2005-09-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 大桥幸司 ,  木岛健

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

Abstract: 本发明所要解决的问题是提供一种强电介质特性良好、难以产生电极膜的剥离的强电介质电容器及其制造方法与强电介质存储装置。本发明的强电介质电容器的制造方法，在基体(10)的上方顺序配置下部电极(20)、至少一个中间电极(40)和上部电极(60)，并在各个电极之间设置强电介质膜(30、50)。在中间电极(40)的形成工序中，(a)在强电介质膜(30)的上方通过溅射法形成第一金属膜(41)，(b)在第一金属膜(41)的上方通过蒸镀法形成第二金属膜(46)。

公开(公告)号：CN1738007A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510074094.8

申请日：2005-05-31

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  上野真由美

IPC: H01L21/31 ,  H01L27/10 ,  H01B3/00 ,  H01L41/18 ,  B41J2/045 ,  B41J2/135

CPC classification number: C23C18/1254 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1241

Abstract: 本发明提供利用液相法具有好的组成控制性且使铅等的金属成分的再利用成为可能的强电介质形成用的前驱体组合物、该前驱体组合物的制造方法以及使用了前驱体组合物的强电介质膜的制造方法。本发明中的前驱体组合物是含有用于形成强电介质的前驱体的前驱体组合物，所述强电介质用通式AB1－XCXO3表示，A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W和Hf中的至少一个构成，C元素由Nb和Ta中的至少一个构成，所述前驱体至少含有所述B元素和C元素，而且局部含有酯键。