公开(公告)号：CN116890528A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310303950.0

申请日：2023-03-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰 ,  矢野凯己 ,  北田和也 ,  大桥幸司

IPC: B41J2/14

Abstract: 本发明提供一种能够对振动板的位移量的效率(线性)的下降进行抑制的压电元件、头芯片、液体喷射装置以及传感器。本发明的压电元件具备：第一电极；压电体层，其被形成在所述第一电极的上方；第二电极，其被形成在所述压电体层的上方，所述压电体层包含钾、钠和铌，并且通过纳米压痕法而被测量出的所述压电体层的杨氏模量超过130GPa。

公开(公告)号：CN102189793B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201110049735.X

申请日：2011-02-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰

IPC: B41J2/045 ,  H01L41/083

CPC classification number: B41J2/045 ,  B41J2/14233 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明提供对环境友好的液体喷射头、液体喷射装置以及压电元件。所述液体喷射头设有压电元件，所述压电元件具备压电体层和设置在上述压电体层的电极，该压电体层由含有以具有钙钛矿构造的铁酸锰酸铋作为主成分的钙钛矿型化合物和SiO2的压电材料形成。

公开(公告)号：CN102189796B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201110050740.2

申请日：2011-03-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰

IPC: B41J2/045 ,  H01L41/083

CPC classification number: B41J2/14233 ,  B41J2002/14241 ,  B41J2002/14419 ,  B41J2002/14491 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/26 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C23C18/1216 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明提供一种对环境友好且相对介电常数高的液体喷射头、液体喷射装置以及压电元件。为一种液体喷射头，具有压电元件，所述压电元件具备压电体层和设于所述压电体层的电极，其中，所述压电体层由含有含铁酸锰酸铋和钛酸钡的钙钛矿型化合物的压电材料形成，膜厚在3μm以下，在(110)面优先取向，并且，来自该(110)面的X射线衍射峰的半峰全宽为0.24°～0.28°。

公开(公告)号：CN102189794A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110050716.9

申请日：2011-03-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰

IPC: B41J2/045 ,  H01L41/083

CPC classification number: B41J2/14201 ,  B41J2/14233 ,  B41J2002/14241 ,  B41J2002/14419 ,  C04B35/2633 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明提供一种对环境友好且相对介电常数高的液体喷射头、液体喷射装置以及压电元件。为一种液体喷射头，具有压电元件，所述压电元件具备压电体层和设置于所述压电体层的电极，其中，所述压电体层由含有含铁酸锰酸铋和钛酸钡的钙钛矿型化合物的压电材料形成，膜厚在3μm以下，且在(110)面优先取向。

公开(公告)号：CN1983464B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200610172526.3

申请日：2003-10-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治 ,  大桥幸司

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/49 ,  C01G25/00 ,  C01G33/00 ,  H01L27/10 ,  H01L41/18 ,  B05C5/00 ,  B41J2/01

Abstract: 一种强电介质膜，由AB1-XNbXO3的通式表示，其中，作为A元素至少含有Pb，作为B元素由Zr、Ti、V、W、Hf、和Ta中的至少一种以上构成，0.1≤x≤0.4。

公开(公告)号：CN1929038B

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200610127756.8

申请日：2006-09-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  大桥幸司 ,  滨田泰彰

IPC: H01B3/10 ,  H01B3/12 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/00

CPC classification number: H03H9/02574 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318 ,  Y10T428/12493

Abstract: 本发明提供一种绝缘性优良的复合氧化物层压体及其制造方法。包括：基板(20)；形成在所述基板(20)的上方、用通式ABO3表示的第一复合氧化物层(24)；以及形成在所述第一复合氧化物层(24)的上方、用通式AB1-xCxO3表示的第二复合氧化物层(26)，其中A元素至少包括Pb，B元素包括Zr、Ti、V、W及Hf中的至少一种，C元素包括Nb及Ta中的至少一种。

公开(公告)号：CN101552317A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910129911.3

申请日：2009-04-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰 ,  木岛健

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/18 ,  B41J2/135

CPC classification number: H01L41/18 ,  B41J2/045 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1645 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明提供一种特性良好的非铅系压电材料。尤其是能够提高以Bi(Fe、Mn)O3及Ba(Zr、Ti)O3为基础的压电材料的特性。本发明的压电元件的特征在于，具有：第一电极(6)、配置于所述第一电极上的压电体膜(9)、配置于所述压电体膜上的第二电极(11)，其中，构成所述压电体膜的压电材料为由Bi(Fe、Mn)O3和Ba(Zr、Ti)O3的混合晶构成的压电材料，并由组成式(1－x)Bi(Fe1－yMny)O3－xBa(ZruTi1－u)O3表示，且0＜x＜0.40、0.01＜y＜0.1及0≤u＜0.16。根据这样的构成，能够维持Bi(Fe1－yMny)O3的自发极化量及高居里温度，通过Ba(ZruTi1－u)O3能够实现压电特性的提高。

公开(公告)号：CN100463180C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200510002523.0

申请日：2005-01-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  宫泽弘 ,  滨田泰彰

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/316 ,  H01L41/16 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11507 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C23C18/1216 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明提供一种可以得到可靠性高的铁电装置的铁电体膜，其由用ABO3表示的钙钛矿结构铁电体构成，在A位上包括作为A位补偿离子的Si2+、Ge2+、以及Sn2+中的至少一种，在B位上包括作为B位补偿离子的Nb5+。

公开(公告)号：CN100442455C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200510074094.8

申请日：2005-05-31

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  上野真由美

IPC: H01L21/31 ,  H01L27/10 ,  H01B3/00 ,  H01L41/18 ,  B41J2/045 ,  B41J2/135

CPC classification number: C23C18/1254 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1241

Abstract: 本发明提供利用液相法具有好的组成控制性且使铅等的金属成份的再利用成为可能的强电介质形成用的前驱体组合物、该前驱体组合物的制造方法以及使用了前驱体组合物的强电介质膜的制造方法。本发明中的前驱体组合物是含有用于形成强电介质的前驱体的前驱体组合物，所述强电介质用通式AB1-XCXO3表示，A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W和Hf中的至少一个构成，C元素由Nb和Ta中的至少一个构成，所述前驱体至少含有所述B元素和C元素，而且局部含有酯键。

公开(公告)号：CN1329927C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200380101906.2

申请日：2003-10-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治 ,  大桥幸司

IPC: H01B3/12 ,  C01G25/00 ,  C01G33/00 ,  H01L27/10 ,  H01L41/18

Abstract: 一种由AB1-XNbXO3的通式表示的氧化物形成的强电介质膜。A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W、Hf和Ta中至少一种以上构成。并且，其中x在0.05≤x＜1的范围内。该强电介质膜也可应用于1T1C、2T2C和单纯矩阵型强电介质存储器中的任一个当中。