公开(公告)号：CN100355042C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN02806150.0

申请日：2002-03-07

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 柄泽润一 ,  维克伦·荷西

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明是一种制造具有超薄顶层的层状超晶格材料的方法及一种铁电存储元件在集成电路存储元件的制造中，锶铋钽酸盐或锶铋钽铌酸盐薄膜层(50)沉积在衬底(28、49)上面，并在沉积超薄铋钽酸盐层(51)之前对锶铋钽酸盐层(50)进行仔细控制的UV烘烤处理。第二电极(52)形成于超薄铋钽酸盐层(51)的顶部。

公开(公告)号：CN100388420C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN01818340.9

申请日：2001-10-30

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 柄泽润一 ,  维克伦·荷西

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31691

Abstract: 在制造集成电路时，第一电极(48)形成在衬底(28)上。在第一实施例中，在第一电极(48)的顶部形成钽酸锶铋层(5)和第二电极(52)。在最后晶化退火之前，对第一电极(48)、钽酸锶铋层(50)和第二电极(52)进行构图。然后在衬底(28)上进行最后晶化退火。在第二实施例中，在第一和第二层(50)、(132)的顶部形成第二电极(52)之前，在钽酸锶铋层(50)的顶部淀积第二层钽酸锶铋(132)。在第三实施例中，在钽酸锶铋层(50)上进行精细控制的UV烘焙工艺。在第四实施例中，在构图工艺之后和最后晶化退火工艺之前，在衬底上进行附加的快速热退火工艺。

公开(公告)号：CN1534782A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410031471.5

申请日：2004-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 柄泽润一 ,  木岛健 ,  名取荣治

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/00

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 本发明提供一种强电介质存储装置的数据读出方法，具有：在强电介质电容器上施加读出电压的工序；施加了读出电压后的强电介质电容器的电容值动态变化，且检测出反应其动态变化大小的电压的工序。在时刻T，存储有第1数据的存储单元分极非反相时和存储有第2数据的存储单元分极反相时，产生电压差ΔV，读出余量变大。

公开(公告)号：CN101188198A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710168156.0

申请日：2007-11-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 泷口宏志 ,  柄泽润一

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种有机强电介质膜的形成方法、存储元件的制造方法、存储装置和电子设备。具有：在基板2的一个面上涂布·干燥含有有机强电介质材料的液状材料，形成具有结晶度比有机强电介质膜4还低的结晶度、以有机强电介质材料作为主材料而构成的低结晶度膜4B的第1工序；和通过低结晶度膜4B的加热·加压，在对低结晶度膜4B整形的同时提高低结晶度膜4B的结晶度，形成有机强电介质膜4的第2工序。

公开(公告)号：CN1311554C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200410031471.5

申请日：2004-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 柄泽润一 ,  木岛健 ,  名取荣治

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/00

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 本发明提供一种强电介质存储装置的数据读出方法，具有：在强电介质电容器上施加读出电压的工序；施加了读出电压后的强电介质电容器的电容值动态变化，且检测出反映其动态变化大小的电压的工序。在时刻T，存储有第1数据的存储单元分极非反相时和存储有第2数据的存储单元分极反相时，产生电压差ΔV，读出余量变大。

公开(公告)号：CN1610116A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410031794.4

申请日：2004-03-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰 ,  木岛健 ,  柄泽润一 ,  大桥幸司 ,  名取荣治

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02197 ,  G11C11/22 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明的强电介质材料是在以通式ABO3来表示的复合氧化物的原料液中含有：补偿A部位缺损的A部位补偿成分和补偿B部位缺损的B部位补偿成分。

公开(公告)号：CN1426602A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN01808428.1

申请日：2001-12-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 ,  名取荣治 ,  宫泽弘 ,  柄泽润一

IPC: H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/101 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 强电介质存储装置中，设有简单矩阵型存储单元阵列。设第一信号电极(12)与第二信号电极(16)之间所加电压的绝对值的最大值为Vs，则由第一电极(12)、第二电极(16)以及强电介质层(14)构成的强电介质电容器(20)的极化值(P)满足以下关系：当施加电压从+Vs设为－1/3Vs时，0.1P(+Vs)＜P(－1/3Vs)；当施加电压从－Vs设于+1/3Vs时，0.1P(－Vs)＞P(+1/3Vs)。

公开(公告)号：CN100339996C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410031794.4

申请日：2004-03-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰 ,  木岛健 ,  柄泽润一 ,  大桥幸司 ,  名取荣治

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02197 ,  G11C11/22 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

Abstract: 一种强电介质材料，在以通式ABO3表示的复合氧化物的原料中含有补偿A部位缺损的A部位补偿成分和补偿B部位缺损的B部位补偿成分；该原料含有钛酸锆酸铅；添加有至少取2价状态的元素和至少取3价状态的元素作为A部位补偿成分；添加有至少取5价状态的元素作为B部位补偿成分；取2价状态的元素的添加量是相对A部位的构成元素的1摩尔%～30摩尔%；取3价状态的元素的添加量是相对所述A部位的构成元素的1摩尔%～30摩尔%；取5价状态的元素的添加量是相对B部位的构成元素的1摩尔%～30摩尔%；取2价状态的添加量、取3价状态的添加量、取5价状态的添加量的合计是对A部位和B部位的全部构成元素的5摩尔%～40摩尔%。

公开(公告)号：CN1620719A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN02806150.0

申请日：2002-03-07

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 柄泽润一 ,  维克伦·荷西

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L27/115

Abstract: 在集成电路存储元件的制造中，锶铋钽酸盐或锶铋钽铌酸盐薄膜层(50)沉积在衬底(28、49)上面，并在沉积超薄铋钽酸盐层(51)之前对锶铋钽酸盐层(50)进行仔细控制的UV烘烤处理。第二电极(52)形成于超薄铋钽酸盐层(51)的顶部。

公开(公告)号：CN1613138A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN01818340.9

申请日：2001-10-30

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 柄泽润一 ,  维克伦·荷西

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31691

Abstract: 在制造集成电路时，第一电极(48)形成在衬底(28)上。在第一实施例中，在第一电极(48)的顶部形成钽酸锶铋层(5)和第二电极(52)。在最后晶化退火之前，对第一电极(48)、钽酸锶铋层(50)和第二电极(52)进行构图。然后在衬底(28)上进行最后晶化退火。在第二实施例中，在第一和第二层(50)、(132)的顶部形成第二电极(52)之前，在钽酸锶铋层(50)的顶部淀积第二层钽酸锶铋层(132)。在第三实施例中，在钽酸锶铋层(50)上进行精细控制的UV烘焙工艺。在第四实施例中，在构图工艺之后和最后晶化退火工艺之前，在衬底上进行附加的快速热退火工艺。