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公开(公告)号：CN103049008A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210384397.X
申请日：2012-10-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , G01F1/68 , G01F5/00 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8158
Abstract: 本发明提供一种流量控制装置以及处理装置。在控制流向气体通路的气体流量的流量控制装置中，具备：主气体管；检测流向该主气体管的气体的流量，输出流量信号的流量检测单元；控制流量的流量控制阀机构；存储用于表示从外部输入的流量指示信号与目标流量的关系的、与多个气体种类对应的多个换算数据的换算数据存储部；基于从外部输入的气体种类选择信号，从多个换算数据中选择对应的换算数据，并且基于流量指示信号求出上述目标流量，并基于目标流量与流量信号控制流量控制阀机构的流量控制主体。
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公开(公告)号：CN102453888A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110312237.X
申请日：2011-10-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/45548
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法。该成膜装置在容器内设有用于划分出成膜空间的、由耐腐蚀性比构成容器的材料的耐腐蚀性优良的材料制作而成的分区构件，该成膜空间包含：配置在容器内、用于载置基板的旋转台；用于向旋转台供给第1反应气体的第1反应气体供给部；用于向旋转台供给第2反应气体的第2反应气体供给部。该成膜装置包括用于测量成膜空间压力的压力测量部、及用于测量成膜空间的外侧空间的压力的压力测量部，通过这些测量，成膜空间的外侧空间的压力被维持为稍高于成膜空间压力的压力。
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公开(公告)号：CN101093057B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200710110099.0
申请日：2007-06-22
Applicant: 喜开理株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F16K27/003 , F16K7/14 , F16K31/06 , H01L21/31691 , Y10T137/4259 , Y10T137/87885
Abstract: 液体原材料供应单元适于对汽化器供应液体原材料。该单元包括：集管，其内形成有流动通道；和多个流体控制阀，它们安装在集管上且包括：液体原材料控制阀；清洗溶液控制阀；吹扫气体控制阀；和第一引入控制阀，它可连接到汽化器上，用于控制从流动通道到汽化器的流体供应，吹扫气体控制阀、清洗溶液控制阀、液体原材料控制阀、和第一引入控制阀从集管的上游侧按此顺序安装在集管上。流动通道分别连接那些控制阀的阀口，这些阀口与相应控制阀的阀开口连通，而且流动通道构造成允许从吹扫气体控制阀供应来的吹扫气体直接在设置于吹扫气体控制阀下游的清洗溶液控制阀和液体原材料控制阀的阀口中流动。
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公开(公告)号：CN101839355A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010135748.4
申请日：2010-03-16
Applicant: 喜开理株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: F16K11/085 , F16K5/04
CPC classification number: F16K11/0856 , Y10T137/4358 , Y10T137/85954 , Y10T137/86863 , Y10T137/86871
Abstract: 本发明涉及一种旋转型切换阀，能够防止主流体从间隙部泄漏。旋转型切换阀具有：阀主体(2)，形成流动有工艺气体的腔室连通路(24)和将主流体排出的排放连通路(25)；以及圆筒阀芯(3)，可旋转地保持在阀主体(2)内，内部形成供主流体流动的主流路(31)，通过使圆筒阀芯3旋转，能够将主流路(31)在腔室连通路(24)和排放连通路(25)之间切换，其中，具有用于使清洗气体向阀主体(2)和圆筒阀芯(3)之间的间隙部(11)流动的清洗气体流路(22a、22b、22c、22d、22e)，通过使清洗气体向间隙部(11)流动，防止主流体从主流路(31)泄漏。
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公开(公告)号：CN101591146A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910145230.6
申请日：2009-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C03C23/0075
Abstract: 本发明提供一种除去附着在选自半导体处理用的立式热处理装置的反应管、晶舟、保温筒中的石英部件上的金属污染物质的方法。该方法包括：得到未安装于上述立式热处理装置的状态的上述石英部件的工序；接着利用稀氢氟酸对上述石英部件进行洗净的稀氢氟酸洗净工序；接着利用纯水对上述石英部件进行洗净的第一纯水洗净工序；接着利用盐酸对上述石英部件进行洗净的盐酸洗净工序；和接着利用纯水对上述石英部件进行洗净的第二纯水洗净工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101379592A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780005002.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 东洋炭素株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F17D1/04 , C01B7/19 , F17C2250/032 , F17C2270/0518 , H01L21/67017 , H01L21/67276
Abstract: 氟气发生装置与半导体制造装置(3a～3e)经由气体供给系统(2)连接，该气体供给系统(2)具有能够贮藏规定量的由现场氟气发生装置(1a～1e)发生的氟气的贮藏罐(12)，当现场氟气发生装置(1a～1e)中1个以上停止时，通过从贮藏有规定量的氟气的贮藏罐(12)向半导体制造装置(3a～3e)供给氟气，从而维持半导体制造装置(3a～3e)的运用。由此，能够安全稳定地将在氟气发生装置发生的氟气向半导体制造装置供给，并且获得在半导体制造中价格性能比也优越的半导体制造设备。
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公开(公告)号：CN101032008A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200680000931.5
申请日：2006-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/205 , G01F1/00 , G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0658 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置，能够正确地检测基于基板处理时实际产生的热虹吸现象的零点漂移量并进行可靠修正，包括：将气体供给到热处理部(110)内的气体供给路(210)，比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制气体供给路的气体流量为设定流量的MFC(240)和控制部(300)，控制部实行基板处理前预先至少利用基板处理时使用的气体置换MFC内并在关闭设置在MFC上游侧与下游侧的截止阀(230、250)的状态下检测来自MFC的输出电压并储存于存储装置，在实行基板处理时基于储存于存储装置的MFC的输出电压修正对应于基板处理时使用气体的气体流量的设定电压，在MFC中设定修正的设定电压。
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公开(公告)号：CN1967776A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610146543.X
申请日：2006-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/768 , C30B33/02 , F22B3/02 , F22D1/38
CPC classification number: F22B1/287 , F22B1/30 , H01L21/67109 , Y10S261/65
Abstract: 半导体处理系统，具有将水蒸气供给收容被处理基板的处理室内的气体供给系统。气体供给系统包含用于从纯水得到水蒸气的气体生成装置。气体生成装置包含第一气化部和第二气化部。第一气化部通过在利用载体气体喷雾纯水的同时进行加热，生成包含雾的一次水蒸气。第二气化部通过气化一次水蒸气中的雾，从第一次水蒸气生成处理用水蒸气。第二气化部包含由配置为在第一气化部和处理室之间横穿所述一次水蒸气的通路的、捕捉雾的网状结构体构成的薄膜。
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公开(公告)号：CN2674647Y
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN03203318.4
申请日：2003-02-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 本实用新型涉及流体控制装置和热处理装置。在现有的气体供应系统中，由于气体管路有转换阀、过滤器、压力调节器及压力传感器而不能充分实现系统小型化。为此提出一种流体控制装置，它有包括设有流量控制器的第一区域、在第一区域上游的且有压力调节机构和/或压力监视机构的第二区域的气体管路、设在气体管路第二区域的上游的且连接流体供应源的多个连接机构。还提出一种流体控制装置，它有多个气体管路和连接机构，气体管路分别有第一区域和第二区域，至少一条气体管路有第一部分和连接机构设置于其上的第二部分。还提出一种热处理装置，它有流体控制装置和通过流体控制装置接受流体的反应处理炉。流体控制装置和热处理装置主要用于半导体制造。
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公开(公告)号：CN103775759A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310489576.4
申请日：2013-10-18
Applicant: 株式会社富士金
IPC: F16L19/025 , F16L19/03 , F16L23/18
CPC classification number: F16L19/0218 , F16L19/025 , F16L23/20 , F16L23/18
Abstract: 本发明提供一种管接头，即使反复进行拆装也不会产生微粒。管接头（1）包括：具有相互连通的流体通路（2a、3a）的第1接头部件及第2接头部件（2、3）；夹设在两个接头部件（2、3）的对接端面之间的圆环状垫圈（4）；和使接头部件（2、3）彼此结合的螺母（6）。在螺母（6）上设有内表面处理层（30）。内表面处理层（30）由设在螺母（6）内表面上的Co（钴）-P（磷）合金保护膜和设在合金保护膜表面上的氟涂层构成。
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