公开(公告)号：CN100530575C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200580025879.4

申请日：2005-07-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边了介 ,  楠本直人 ,  中村理

IPC: H01L21/56 ,  B29C65/02 ,  G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  B42D15/10

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B32B37/0053 ,  B32B37/226 ,  B32B2425/00 ,  G06K19/077 ,  G06K19/07718 ,  H01L24/86 ,  H01L27/1214 ,  H01L2224/7965 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: 从衬底上剥离薄膜集成电路，并且为了提高制造产量有效地密封剥离的薄膜集成电路。本发明提供一种层压系统，包括：传送装置，用于传送提供有多个薄膜集成电路的衬底；第一剥离装置，用于将薄膜集成电路的第一表面结合到第一薄片构件，以从该衬底剥离该薄膜集成电路；第二剥离装置，用于将薄膜集成电路的第二表面结合到第二薄片构件，以从第一薄片构件剥离薄膜集成电路；和密封装置，用于在第二薄片构件和第三薄片构件之间插入该薄膜集成电路，以用第二薄片构件和第三薄片构件密封该薄膜集成电路。

公开(公告)号：CN1985353A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200580023217.3

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鹤目卓也 ,  大力浩二 ,  楠本直人

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/13 ,  H01L29/786 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/822 ,  G06K19/07 ,  H01L27/04 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01L21/67132 ,  B32B37/226 ,  B32B38/0004 ,  B32B2305/342 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/786 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/97 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目标是降低IC芯片的单位成本，并实现IC芯片的大量生产。按照本发明，使用尺寸上没有限制的衬底(例如玻璃衬底)取代硅衬底。这实现了IC芯片的大量生产以及单位成本的降低。此外，通过研磨和抛光衬底(例如玻璃衬底)提供了薄的IC芯片。

公开(公告)号：CN1866548A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610082461.3

申请日：2006-05-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 菅原裕辅 ,  西和夫 ,  荒尾达也 ,  山田大干 ,  高桥秀和 ,  楠本直人

IPC: H01L31/08 ,  H01L27/144 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1055 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02325

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，其中漏电流得到抑制。本发明的光电转换装置包括：衬底上的第一电极；第一电极上的光电转换层，该光电转换层包括具有一种导电性的第一导电层、第二半导体层以及具有与第一半导体层的导电性相反导电性的第三半导体层，其中第一电极的末端部分覆盖有第一半导体层；在第三半导体层之上提供绝缘薄膜，在该绝缘薄膜之上提供与第三半导体薄膜电连接的第二电极，该绝缘薄膜位于第三半导体薄膜和第二电极之间，且其中位于光电转换层区域中的第二半导体层的一部分和第三半导体层的一部分被去除，该区域没有覆盖绝缘薄膜。

公开(公告)号：CN1280871C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN01139471.4

申请日：1995-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/133 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

Abstract: 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。

公开(公告)号：CN1606174A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410090504.3

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  安达广树 ,  丸山纯矢 ,  楠本直人 ,  菅原裕辅 ,  青木智幸 ,  杉山荣二 ,  高桥宽畅

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/861 ,  H01L31/00 ,  H01L27/12 ,  H01L23/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L31/0203 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14618 ,  H01L31/048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种形成在绝缘衬底上的半导体器件，通常半导体器件具有如下结构：其中在光学传感器、太阳能电池或使用TFT的电路中可提高与布线板的安装强度，并且可以使其以高密度安装在布线板上，并且本发明还提供一种制造该半导体器件的方法。根据本发明，在半导体器件中，半导体元件形成在绝缘衬底上，凹部形成在半导体器件的侧面上，并且在凹部中形成电连接到半导体元件的导电膜。

公开(公告)号：CN1079987C

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN95118410.5

申请日：1995-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中嶋节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

Abstract: 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。

公开(公告)号：CN1137171A

公开(公告)日：1996-12-04

申请号：CN96105598.7

申请日：1996-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 楠本直人 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0665 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285

Abstract: 采用具有简正分布型或类似的光束分布的线性脉冲激光束光照硅膜，使非晶形硅膜结晶中，线性脉冲激光束以一种叠加方式作用，可以取得类似于采用激光照射功率以阶跃方式多次扫描中逐步增加然后下降的方法所取得的效果。

公开(公告)号：CN1131341A

公开(公告)日：1996-09-18

申请号：CN95121671.6

申请日：1995-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  楠本直人 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 在用激光辐照退火来制作半导体器件中，同时使线状激光沿垂直于一条直线的方向扫描，来完成对半导体材料的退火。在此状态下，因为在对应于一条直线方向的光束横的方向上的退火效果与扫描方向上的退火效果有2倍以上的差异，使多个半导体元件沿线状激光辐照的一直线方向形成。另外，使连接薄膜晶体管的源和漏区的一直线方向与线状激光的线条方向对准。

公开(公告)号：CN1127423A

公开(公告)日：1996-07-24

申请号：CN95118410.5

申请日：1995-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

Abstract: 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。

公开(公告)号：CN115202115B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202210844141.6

申请日：2019-01-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川岛进 ,  楠本直人

IPC: G02F1/1362 ,  H10K59/121 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3225

Abstract: 本发明提供一种能够提高图像品质的显示装置。该显示装置包括第一电路、像素及布线。第一电路具有对布线供应数据的功能及使布线处于浮动状态而保持所述数据的功能。像素具有从布线取得数据两次而进行加法运算的功能，可以在布线被供应数据的期间进行第一次的数据写入且在布线保持所述数据的期间进行第二次的所述数据写入。由此，通过对源极线进行一次数据充电就可以对显示元件供应源极驱动器的输出电压以上的数据电位。